Elektronika va asbobsozlik yo’nalishi 421-21 e va a guruh talabasi

Tranzistor xarakteristikalari 
Xarakteristika 
Tartib 
nomeri 
U
b
, V 
I
e
, A 
U
k
, V 
I
k
, A 
Kirish 
Xarakteristikasi 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
CHikish 
xarakteristikasi 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
X I S O B O T M A Z M U N I 
1. Xisobotning nomi. 
2. Elektr ulchash asboblari va jixozlarining parametrlari. 
3. Ulchash sxemasi. 
4. Ulchangan va xisoblab topilgan kattaliklar yozilgan jadval. 
5. Boglanish grafiklari: 
const
U
к

da
)
(
э
э
U
f
I

, 
const
I
э

da 
)
(
к
к
U
f
I


---

SINOV SA V OLLARI 
1. 
Bipolyar tranzistorlarning necha xil xarakteristikalari mavjud? 
2. 
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda 
nimani tushunasiz? 
3. 
Tranzistorning UK sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda 
nimani tushunasiz? 
4. 
Tranzistorning UE sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda 
nimani tushunasiz? 
5. 
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi tuyinish soxasini 
tushuntiring. 
6. 
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi aktiv soxasini 
tushuntiring. 
7. 
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi kesish va buzulish 
soxalarini tushuntiring. 
 
6-Tajriba ishi : U mumiy emitter sxemasi buyicha ulangan
bipolyar tranzistor tavsiflarini o’rganish. 
 
 
Quyidagi sxema orqali UE ulanish sxemasi hosil qilinadi (1-rasm). 
1-rasm. 
Sxemaning asosiy elementlari bo‘lib manba E
k
, boshqariluvchi element – 
tranzistor T hisoblanadi, qolgan elementlar yordamchi vazifani bajaradi. Masalan, 
С
а2
С
а1
0 
0 
0 
0 
0 
0 

---

sig‘im S
a1
, S
a2
– ajratuvchi sig‘im, S
a1
– tokning o‘zgarmas tashkil etuvchisini 
o‘tkazmaydi, S
a2
– yuklamaga o‘zgarmas tashkil etuvchi kuchlanishni 
o‘tkazmaydi, o‘zgaruvchan tashkil etuvchini o‘tkazadi. 
R
1
va R
2
zanjirda boshlang‘ich ish holatini ta’minlab beruvchi qarshiliklar. S
E
teskari bog‘lanishning elementi bo‘lib, harorat oshganda zanjirni tinch holatiga 
salbiy ta’sirini kamaytiradi. Sig‘im S
E
esa R
E
qarshilikni o‘zgaruvchan tok orqali 
shuntlaydi, shu bilan bir qatorda o‘zgaruvchan tashkil etuvchining manfiy teskari 
bog‘lanishni cheklaydi. 
Bu sxemani kuchaytirgichning umumiy emitterli ulanish sxemasi deyishga 
asos emitter elektori kirish va chiqish zanjiri uchun umumiydir. Sxemaning ishlash 
prinsipi quyidagicha: Kaskadning chiqishida va kirish zanjirida o‘zgarmas 
potensial hosil qilinadi. CHiqishdagi hosil qilingan potensialning kattaligi 
kirishdagi potensialdan katta bo‘ladi. Kirishga kuchaytirmoqchi bo‘lgan U
kir
signalni bersak, bazaning o‘zgaruvchan tashkil etuvchi tokini o‘zgartiradi, bu esa 
kollektorning o‘zgaruvchan tashkil etuvchi tokiga ta’sirini o‘tkazadi, o‘z 
navbatida, R
k
qarshilikdagi kuchlanish pasayishining o‘zgarishiga ta’sir etadi. Bu 
o‘zgarish esa kollektor chiqishidagi sig‘im S
a2
orqali yuklamaga beriladi. 
SHunday qilib, chiqishda kirish signalining chastotasiga teng bo‘lgan, ammo 
amplitudasi undan katta bo‘lgan kuchaytirilgan signal 180
° 
fazalar farqi bilan 
olinadi. 
Kuchaytirish kaskadining parametrlariga: tok bo‘yicha kuchaytirish 
koeffitsienti – K
I
; kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti – K
u
; quvvat 
bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti K
r
va kirish qarshiligi R
kir
; chiqish qarshiligi 
R
chiq 
kiradi. Bu parametrlar o‘zgaruvchan tok orqali topiladi. Buni aniqlash uchun 
tranzistor va butun sxema ekvivalent sxemaga almashtiriladi. 
Quyidagi 8.3-rasmda UE kuchaytirish kaskadi ekvivalent sxemasi keltirilgan. 
8.3-rasm. 
Kaskadning kirish qarshiligi R
kir
R
kir
=R
1
//R
2
//r
kir
, 
(8.1) 
bunda r
kir
– tranzistorning kirish qarshiligi (// – belgisi qarshiliklar parallel 
ulangandagi ekvivalent qiymatini anglatadi). 
r
kir
=r
b
+(1+

)r
E
,
(8.2) 
R
1
//R
2

(2

5)r
kir
, shart berilganda kirish qarshiligi r
kir
1

3 kOm dan oshmaydi. 
CHiqish qarshiligi

---

R
chiq
=R
k
//r
k(e)
,
(8.3) 
r
ke1
>>R
k
 da chiqish qarshiligi R
k
orqali aniqlanadi. 
Tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti K
I
: 
K
I

(

R
k
//R
yuk
)/R
yuk
. (8.4) 
Kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti K
u
: 
K
u
=i
yuk
∙R
yuk
/i
kir
(R
i
+R
kir
)=K
I
R
yuk
/(R
i
+R
kir
). 
(8.5) 
Quvvat bo‘yicha kuchaytirish koeffitsienti K
r
: 
K
r
=R
chiq
/R
kir
=K
u
∙K
I
. (8.6) 
UE ulanishdagi kaskadda K
r
=(0,2

5)∙10
3
gacha etadi. 
Xarakteristika 
Tartib 
nomeri 
U
b
, V 
I
e
, A 
U
k
, V 
I
k
, A 
Kirish 
Xarakteristikasi 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
CHikish 
xarakteristikasi 
1 
2 
3 
4 
5 
6 
X I S O B O T M A Z M U N I 
1. Xisobotning nomi. 
2. Elektr ulchash asboblari va jixozlarining parametrlari. 
3. Ulchash sxemasi. 
4. Ulchangan va xisoblab topilgan kattaliklar yozilgan jadval. 
5. Boglanish grafiklari: 
const
U
к

da
)
(
э
э
U
f
I

, 
const
I
э

da 
)
(
к
к
U
f
I

S I N O V S A V O L L A R I 
1. 
Bipolyar tranzistorlarning necha xil xarakteristikalari mavjud? 
2. 
Tranzistorning UB sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda 
nimani tushunasiz? 

---

3. 
Tranzistorning UK sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda 
nimani tushunasiz? 
4. 
Tranzistorning UE sxema uchun kirish xarakteristikasi deganda 
nimani tushunasiz? 
5. 
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi tuyinish soxasini 
tushuntiring. 
6. 
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi aktiv soxasini 
tushuntiring. 
7. 
Tranzistorning chikish xarakteristikasidagi kesish va buzulish 
soxalarini tushuntiring.