Elektronika va sxemalar 2 fanidan 1-mustaqil ish mavzu: Integral mikrosxema tayyorlash jarayoni


Download 78.26 Kb.
bet4/10
Sana02.06.2024
Hajmi78.26 Kb.
#1833494
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10
Bog'liq
“Yarim o’tkazgichli to’g’rilagichlarni kompyuter dasturidan foyd-hozir.org

Analogli-raqamli IMSlar


  • ракамли-аналогли (РАА-ЦАП) ва аналогли-ракамли ацлантиргичлар (АРА-АЦП);

  • Ракамли хисоблаш синтезаторлари (ЦВС);

  • трансиверлар (например, преобразователь интерфейса Ethernet);

  • Модуляторлар ва демодуляторлар;

    • радиомодемлар

    • Телетекст декодерлари , УКВ-радио-матн

    • Fast Ethernet трансиверлари ва оптик линиялар

    • Dial-Up модемлар

    • Ракамли ТВ кабул килгичлари

    • Оптик сичконча кабул килгичлари

  • РЭК курилмалари таъминлаш манбалари микросхемалари — стабилизаторлар, ва х.к.;

  • Ракамли аттенюаторлар;

  • Частотани Фазовий автосозлаш курилмаси (ФАПЧ);

  • коммутаторлар;

  • Генераторлар ва синхронизация такти частотасини тикловчи курилмалар;

  • Базовий матрицали кристаллар (БМК): содержит как аналоговые, так и цифровые схемы;

Yarim o’tkazgichli IMS


  • Yarim o’tkazgichli IMS larda barcha elementlar va elementlarni ulash yarim o’tkazgich hajmi yoki sirtida amalga oshiriladi.Bunday IMS larda elementlar yarim o’tkazgichning 0,5-10 mk qalinlikdagi sirt qatlamiga joylashtiriladi va elementlar maxsus izolyasiya sohalari bilan ajratiladi. Yarim utkazgich IMS larda ishlatiladigan aktiv elementning turiga qarab ular 2 asosiy guruhga bo’linadi:

  • Bipolyar tranzistorlar asosidagi IMS lar.

  • Metall – dielektrik yarim o’tkazgich (MDYa) tranzistorlar asosidagi IMS lar.

  • Bipolyar mikrosxemaning asosiy elementi bo’lib n-p-n tranzistor hisoblanadi. MDYa mikrosxemalarda esa, n-kanalli MDYa tranzistor asosiy aktiv element hisoblanadi.

Gibrid IMS


  • Gibrid IMS osma komponentlar va qatlamli passiv elementlardan tashkil topgan bo’ladi. Dielektrik taglik - plataga yupqa qatlamli passiv elementlar-rezistor, induktivlik, kondensator hosil qilinib, aktiv element-korpussiz tranzistor, diodlar payvandlab o’rnatiladi. Gibrid IMS hosil qilingan qatlam qalinligiga qarab, yupqa qatlamli (d1 mkm) va qalin qatlamli (d1 mkm) IS larga bo’linadi. Gibrid IMS lar nisbatan arzon va oson yasaladi, ammo o’lchamlari katta va yig’ish texnologiyasi murakkabligi sababli yarim o’tkazgich IMS larga qaraganda kamroq ishlatiladi. Yarim o’tkazgich IMS lar qator afzalliklarga ega bo’lishi bilan birga, ularning o’ziga xos kamchiliklari ham mavjud.

Download 78.26 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling