E`lektronika va Sxemalar

7.3 DK asosiy parametrlari.
Turli modifikatsiyali DKlar o‘zlarining aniqlik parametrlari bilan xarakterlanadilar.
Shunday parametrlardan biri bo‘lib nolning siljish kuchlanishi U_SIL xizmat qiladi. DK chiqishida nolga teng kuchlanish olish uchun kirishga beriladigan kuchlanish qiymati siljituvchi kuchlanish deb ataladi. Gap shundaki, yelkalar assimmetriyasi hisobiga kirishda signal bo‘lmagan holda, chiqishda qandaydir kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu kuchlanish signal sifatida qabul qilinishi mumkin. Turli DKlarda U_SIL qiymati 30÷50 mV bo‘lishi mumkin. U_SIL ning temperaturaga bog‘liqligini e’tiborga olish zarur. Bu bog‘liqlik temperatura sezgirlik ε_U=0,0570 mV/⁰S bilan ifodalanadi.
DKning yana bir aniqlik parametri – siljitish toki ΔI_SIL dir. U kirish toklari ayirmasidan iborat. Parametrning an’anaviy qiymatlari mikroamperlardan nanoamper ulushlarigacha bo‘ladi. Siljish toki signal manbai qarshiligi R_G orqali o‘tib, unda yolg‘on signal hosil qiladi. Masalan, agar ΔI_SIL= 20 nA va R_G= 100 kOm bo‘lsa, ΔI_SIL · R_G =2 mV ni tashkil etadi.
O‘rtacha kirish toki I_KIR.O‘RT VA DKning aniqlik parametrlaridan hisoblanadi. O‘rtacha kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli DK larda 1÷7·10³ nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi R_G orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi sinfaz signaldek tutadi. K_U.SF marta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsiyenti kollektor zanjiridagi R_K yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada R_K qiymatining ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati VA ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsiyentini oshirish uchun, R_K rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar YOKI maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi 7.3-rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p – n – p turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi.

7.3-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi.
BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan ko‘p marta kichik. Bu holda BTGdan sokinlik toki oqib o‘tishi hisobiga kuchlanish pasayishi, uning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal berilganda kollektor toklarining o‘zgarishi hisobiga chiqish kuchlanishining o‘zgarishi uning differensial qarshiligi bilan bog‘liq bo‘ladi. Shuning uchun (7.3) formulada R_K o‘rniga R_DIF qo‘yilishi kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsiyentining kaskadda ruxsat etilgan maksimal qiymati to-piladi. Tashqi yuklama ulanganda kuchaytirish koeffitsiyentining absolyut qiymati faqat uning qarshiligi R_Yu bilan aniqlanadi, ya’ni (7.3) formulada R_K o‘rniga R_Yu qo‘yilishi kerak.
DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni kuchaytirish koeffitsiyentidan, sinfaz tashkil etuvchini so‘ndirish koeffitsiyentidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari VA kiradi.
Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi R_Yu e’tiborga olin-maganda
DKning chiqish qarshiligi
R ЧИК RK1 +RK2. Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi chap va o‘ng tomonlar kirish qarshiliklari yig‘indisiga teng bo‘ladi va signal manbaiga nisbatan ketma-ket ulangan bo‘ladi. R_E=0 bo‘lganda: