Elektronika va sxemotexnika

3.2. Bipolyar tranzistorlarni statik xarakteristikalari va fizik parametrlari 
Tranzistor statik xarakteristikalari kollektor zanjiriga yuklama qo‗yilmagan 
holda o‗rnatilgan kirish va chiqish toklari va kuchlanishlar orasidagi o‗zaro 
bog‗liqlikni ifodalaydi. Har bir ulanish uchun statik xarakteristikalar oilasi 
ma‘lumotnomalarda keltiriladi. Eng asosiylari bo‗lib tranzistorning kirish va 
chiqish xarakteristikalari hisoblanadi. Qolgan xarakteristikalar kirish va chiqish 
xarakteristikalaridan hosil qilinishi mumkin. 
UB sxemasi uchun kirish statik xarakteristikasi bo‗lib U
KB 
= const 
bo‗lgandagi I
E
= f (U
EB
) bog‗liqlik, UE sxemasi uchun esa U
KE
= const 
bo‗lgandagi I
B
=f(U
BE
) bog‗liqlik hisoblanadi. Kirish xarakteris-tikalarining 
umumiy xarakteri odatda to‗g‗ri yo‗nalishda ulangan p-n bilan aniqlanadi. Shu 
sababli tashqi ko‗rinishiga ko‗ra kirish xarakteristiklari eksponensial xarakterga 
ega (25- rasm). 
Rasmlardan ko‗rinib turibdiki, chiqish kuchlanishining o‗zgarishi kirish 
xarakteristiklarini siljishiga olib keladi. Xarakteristikaning siljishi Erli effekti (baza 
kengligining modulyatsiyasi) bilan aniqlanadi. Buning ma‘nosi shundaki, kollektor 
o‗tishdagi teskari kuchlanishning ortishi uning kengayishiga olib keladi, bu vaqtda 
baza sohasidagi kengayish uning kengligining kichrayishi hisobiga sodir bo‗ladi. 
Baza kengligining kichrayishi ikkita effektga olib keladi: zaryad tashuvchilar 
rekombinatsiyasining kamayishi hisobiga baza tokining kamayishi va bazadagi 
asosiy bo‗lmagan zaryad tashuvchilar konsentratsiya gradientining ortishi hisobiga 
emitter tokining ortishi. 
a) b) 
25 – rasm. 
Shu sababli kollektor o‗tishdagi teskari kulanishning ortishi bilan UB 
sxemadagi kirish xarakteristika chapga, UE sxemada esa o‗ngga siljiydi. 
UB sxemadagi tranzistorning chiqish xarakteristikalari oilasi bo‗lib I
E
 
=const bo‗lgandagi I
K
= f (U
KB
) bog‗liqlik, UE sxemada esa I
B
 =const bo‗lgandagi 
I
K
= f (U
KE
) bog‗liqlik hisoblanadi. 
Chiqish xarakteristikalari ko‗rinishiga ko‗ra teskari ulangan diod VAX siga 
o‗xshaydi, chunki kollektor o‗tish teskari ulangan. Xarakteristikalarni qurishda 
kollektor o‗tishning teskari kuchlanishini o‗ngda o‗rnatish qabul qilingan (26 – 
rasm). 

---

48 
48 
a) 
 
 
 
 
 
b) 
26 – rasm. 
26 a - rasmdan ko‗rinib turibdiki, UB sxemadagi chiqish xarakteris-tikalari 
ikki kvadrantlarda joylashgan: birinchi kvadrantdagi VAX aktiv ish rejimiga, 
ikkinchi kvadrantdagisi esa – to‗yinish ish rejimiga mos keladi. Aktiv rejimda 
chiqish toki (3.4) nisbat bilan aniqlanadi. Aktiv rejimga mos keluvchi 
xarakteristika sohalari abssissa o‗qiga uncha katta bo‗lmagan qiyalikda, deyarli 
parallel o‗tadilar. Qiyalik yuqorida aytib o‗tilgan Erli effekti bilan tushuntiriladi. 
I
E
=0 bo‗lganda (emitter zanjiri uzilganda) chiqish xarakteristikasi teskari siljigan 
kollektor o‗tish xarakteristikasi ko‗rinishida bo‗ladi. Emitter o‗tish to‗g‗ri 
yo‗nalishda ulanganda injeksiya toki hosil bo‗ladi va chiqish xarakteristiklari 
)
(
1
2
Э
Э
I
I


kattalikka chapga siljiydi va x.z. 
UE sxemasida ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasi UB sxemada 
ulangan tranzistorning chiqish xarakteristikasiga nisbatan katta qiyalikka ega. 
Chunki uning ko‗rinishiga Erli effekti katta ta‘sir ko‗rsatadi. Bog‗liqliklarning 
umumiy xarakteri (26 b-rasm) kollektor va baza toklari orasidagi quyidagi 
bog‗liqlik bilan aniqlanadi: 
0
КЭ
Б
K
I
I
I



, (3.9) 
bu yerda I
KE0
 – I
B
=0 (uzilgan baza) bo‗lgandagi kollektorning to‗g‗ri toki. 
I
KE0
toki I
K0
tokidan 
1


martaga katta bo‗ladi, chunki U
BE
=0 bo‗lganda U
KE
kuchlanishining bir qismi emitter o‗tishga qo‗yilgan bo‗ladi va uni to‗g‗ri 
yo‗nalishda siljitadi. Shunday qilib, I
KE0
=(
1


)I
K0
– ancha katta tok bo‗lib, 
tranzistor ishining buzilishini oldini olish maqsadida baza zanjirini uzish kerak. 
Baza toki ortishi bilan kollektor toki 
)
(
1
2
Б
Б
I
I


kattalikka ortadi va x.z., 
va xarakteristika yuqoriga siljiydi. UE sxemadagi chiqish VAXlarining asosiy
xossasi shundaki, ham aktiv va ham to‗yinish rejimlarida bir kvadrantda 
joylashadi. Ya‘ni, elektrodlarning berilgan kuchlanish ishoralarida ham aktiv rejim, 
ham to‗yinish rejimida bo‗lishi mumkin. Rejimlar almashinishi kollektor 

---

49 
49 
o‗tishdagi kuchlanishlar nolga teng bo‗lganda sodir bo‗ladi. Kollektor soha 
qarshiligini hisobga olmagan holda U
KE 
= U
KB
+ U
BE 
bo‗lgani uchun, talab 
qilinayotgan bo‗sag‗aviy kuchlanish qiymati U
*
KE 
= U
BE
bo‗ladi. U
BE
qiymati 
berilgan baza tokida kirish xarakteristikasidan aniqlanadi.