Elektronika va sxemotexnika

0
XAL 
kirish kuchlanish 
darajasi bo‗yicha mumkin bo‗lgan maksimal xalaqit kuchlanish qiymati; 
- manbadan iste‘mol qilinayotgan quvvat R; 
- Ye
M
 kuchlanish va I
M
 tok manbalari; 
- «0» holatdan «1» holatga, yoki aksincha o‗tishdagi qayta ulanish 
kechikish vaqti; 
- qayta ulanishlarning (tezkorlik) o‗rtacha kechikish vaqti - 0,5

(t
0
K
+ t
1
K
). 
Zamonaviy statik tizimlarning asosiy negiz elementi bo‗lib Shottki diodlari
qo‗llanilgan TTM, I
2
M, EBM, MDYa – tranzistorlarda (yoki r – kanalli MDYa, 
yoki n – kanalli MDYa) yasalgan mantiq, komplementar MDYa – tranzistorlarda 
(KMDYa) yasalgan mantiq elementlari hisoblanadi. 
Raqamli integral mikrosxema negiz elementlariga qo‗yiladigan asosiy talab 
– ularninng tezkorligi, kichik sochilish quvvati, katta joylashtirish zichligi (yagona 
kristall sirtida joylashgan elementlar soni) va tayyorlanishni texnologikligi 
hisoblanadi. 
Yuqorida sanab o‗tilgan negiz elementlar, u yoki bu, yoki bir necha 
parametrlariga ko‗ra bir – biridan ustun tursa, boshqa parametrlariga ko‗ra 
yomonroq hisoblanadi.
IMS negiz mantiqiy elementi asosi bo‗lib, qayta ulagichlar sifatida 
qo‗llaniladigan biror elektron kalit hizmat qilishi mumkin. Qayta ulagichlar 
sifatida qo‗llaniladigan yarim o‗tkazgichli asboblarga quyidagi umumiy talablar 
qo‗yiladi: birdan katta bo‗lgan kuchaytirish koeffisienti; axborot uzatish tizimining 
bir tomonlamaligi; kirish va chiqish bo‗yicha katta tarmoqlanish koeffisientlari; 
qayta ulanishlarning katta tezligi; kichik iste‘mol quvvati. Elektron kalitlar sifatida 
kremniyli bipolyar va maydoniy tranzistorlar qo‗llaniladi. Maydoniy 
tranzistorlarda bajarilgan kalitlar kichik sochilish quvvatiga ega bo‗lsalar, bir 
vaqtning o‗zida bipolyar tranzistorlarda bajarilgan elektron kalitlarning 
qo‗llanilishi ularning tezkorligini oshirishga imkon yaratadi.