Emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injektsiyasi

a) b)
Ketma-ket RL – zanjiri sxemasi; b) vektor diagrammasi.



122. Elektrod toklari asosiy zaryad tashuvchilarning kristall hajmidagi elektr maydon ta'sirida dreyf harakatlanishiga asoslangan uch elektrodli, kuchlanish bilan boshqariladigan yarimo'tkazgich asbob maydoniy tranzistor (MT) deyiladi. MTlarda tok hosil bo'lishida faqat bir turli asosiy zaryad tashuvchilar (elektronlar yoki kovaklar) qatnashgani sababli ular ba'zan unipolyar tranzistorlar deb ataladi. MTlarda, BTlardagi kabi tezkorlikka ta'sir etuvchi injeksiya va ekstraksiya natijasida noasosiy zaryad tashuvchilarning to'planish jarayonlari mavjud emas. MTlarda tok bo'ylama elektr maydon ta'sirida erkin zaryad tashuvchilarning dreyf harakati tufayli hosil bo'ladi. Tok hosil qiluvchi o'tkazgich qatlam kanal deb ataladi va u n – kanalli va r – kanalli bo'lishi mumkin. Kanal chekkalariga elektrodlar o'rnatilgan bo'lib, ularning biri istok, ikkinchisi esa stok deb ataladi. Elektrodlardan qay biri istok, qaysinisi stok deb olinishining ahamiyati yo'q. Zaryad tashuvchilar qaysi elektroddan kanalga oqsa, o'sha elektrod istok deb, zaryad tashuvchilarni kanaldan o'ziga qabul qiluvchi elektrod esa stok deb belgilanadi. Uchinchi elektrod – zatvor yordamida kanaldagi tok qiymati ko'ndalang elektr maydon bilan boshqariladi.Tuzilmasi va kanal sohasi o'tkazuvchanligini boshqarish usuliga ko'ra MTlarning bir-biridan farqlanuvchi uchta turi bor.
1. Zatvori izolyatsiyalangan MTlarda metall zatvor va kanal orasida yupqa dielektrik qatlam mavjud. Bunday MT metall – dielektrik – yarimo'tkazgich (MDYa) tuzilmaga egaligi sababli MDYa-tranzistor deb ham ataladi. Uning kanali qurilgan va kanali induksiyalangan turlari mavjud bo'lib: birinchi turdagi tranzistorlarda kanal sohasi texnologik usul bilan hosil qilinadi, ikkinchisida esa, kanal sohasi zatvorga ma'lum qutbli va qiymatli kuchlanish berilganda hosil bo'ladi (induksiyalanadi). Ko'ndalang elektr maydon yupqa dielektrik orqali o'tib, kanaldagi zaryad tashuvchilar konsentratsiyasini boshqaradi.
2. Shottki barerli MTlarda metall bilan yarimo'tkazgichning bevosita kontakti zatvor sifatida ishlatiladi. Ishchi rejimda to'g'rilovchi kontaktga teskari siljituvchi kuchlanish beriladi. U kontakt ostidagi yarimo'tkazgichning kambag'allashgan sohasi qalinligini o'zgartirib, tok o'tkazuvchi kanal kengligi, kanaldagi zaryad tashuvchilar soni va undan oqadigan tok qiymatini boshqaradi.
3. p–n o'tish bilan boshqariluvchi MTlarda zatvor sifatida kanal o'tkazuvchanligiga nisbatan teskari o'tkazuvchanlikka ega yarimo'tkazgichdan foydalaniladi. Natijada, ular orasida p–n o'tish hosil bo'lib, ishchi rejimda ushbu p–n o'tish teskari siljitiladi. Elektr sxemalarda MTning zatvori kirish elektrodi bo'lib xizmat qiladi va kanaldan teskari ulangan p–n o'tish yoki dielektrik bilan izolyatsiyalanadi. Shuning uchun MTlar BTlardan farqli ravishda o'zgarmas tokda katta kirish qarshiligiga (10^8÷10^10 Om) ega.


123. Nurlanuvchi diodlar — bitta p-n o'tishga ega bo'lgan, elektr energiyani nokogerent yorug'lik nuriga o'zgartuvchi yarimo'tkazgich nurlanuvchi elektron asbobdir. Nurlanuvchi diodlarda elektron-kovak juftliklarining rekombinatsiyalashuvi natijasida yorug'lik nuri paydo bo'ladi. Agar p-n o'tish to 'g 'ri yo'nalishda siljitilgan bo'lsa rekombinatsiya sodir bo'ladi. Nurlanuvchi rekombinatsiya to'g'ri zonali deb ataluvchi yarimo'tkazgichlarda hosil bo'ladi. Bunday yarim o'tkazgich sifatida arsenid galliyni keltirish mumkin. Nurlanayotgan yorug'likning to'lqin uzunligi va energiyasi taxminan yarimo'tkazgich taqiqlangan zonasi kengligiga mos keluvchi kvant energiyasi bilan aniqlanadi. Arsenid galliy asosida tayyorlangan nurlanuvchi diodlarning to'lqin uzunligi 0,9—1,4 mkm ni tashkil etadi. Ko'rinuvchi nurlar diapazonidagi nurlanuvchi diodlar fosfid galliy, karbid kremniy va boshqalar asosida tayyorlanadi. Zamonaviy nurlanuvchi diodlarda galliyning azot va aluminiy bilan birikmalaridan foydalaniladi.



124. Hozirgi zamon elektronika asrida elektron qurilmalar chizmalarida bipolyar, ya'ni ikki qutbli tranzistorlar bilan bir qatorda maydonli yoki bir qutbli tranzistorlar keng ishlatiladi. Bir qutbli tranzistorlar birinchi marta 1952-yilda v.Shokli tomonidan kashf etilgan. Ular ikki qutblilarga qaraganda ancha sodda va arzondir. Tranzistor sxemaga ulanayotganda chiqishlaridan biri kirish va chiqish zanjiri uchun umumiy qilib ulanadi, shu sababli quyidagi ulanish sxemalari mavjud: umumiy baza (UB) (a-rasm); umumiy emitter (UE) (b-rasm); umumiy kollektor (UK) (c-rasm). Bu vaqtda umumiy chiqish potentsiali nol'ga teng deb olinadi. Kuchlanish manbai qutblari va tranzistor toklarining yo'nalishi tranzistorning aktiv rejimiga mos keladi. UB ulanish sxemasi qator kamchiliklarga ega bo'lib, juda kam ishlatiladi.