Emitterdan bazaga zaryad tashuvchilarning injektsiyasi

etib kelgan asosiy bo'lmagan zaryad tashuvchilarni bazadan kollektorga ekstraktsiyasi.
Emitter o'tish to'g'ri yo'nalishda siljiganda (UEB kuchlanish manbai bilan ta'minlanadi) uning potentsial to'siq balandligi kamayadi va emitterdan bazaga elektronlar injektsiyasi sodir bo'ladi.


118. Tiristor – to'rt qatlamli yarim o'tkazgichli asbob. Unda uchta r-p o'tish bo'lib, A nuqtaga manbaning musbat qutbi, B nuqtaga manfiy qutbi ulansa, P1 va P3 o'tishlar to'g'ri, P2 esa teskari r-p o'tishga ega bo'ladi. Uning ishlash printsipini tushuntirish uchun, tiristorni ikkita r-p-r va p-r-p tipli tranzistorlarga ekvivalent deb qaraladi. Tiristorning tuzilishi quyidagi rasmda keltirilgan.

Tiristorning tuzilishi.


Agar qiymat birga nisbatan kichik bo'lsa, u holda umumiy tok I(yopiq) ga yaqin bo'ladi. Asbobni ochiq holatga o'tkazish uchun qiymat birga intilishi kerak. Bunday holda tiristor orqali o'tuvchi tok keskin ortadi.
Tranzistorning ishlash printsipiga ko'ra, ning qiymati emitter tokiga bog'liq. Emitter toki kichik bo'lganda, ham kichik qiymatga ega bo'ladi. Emitter toki oshishi bilan ham keskin ortadi. A va K nuqtalar orasidagi kuchlanishni orttirib borilsa, tiristor orqali o'tuvchi tok dastlab sezilarli darajada o'zgarmaydi. Kuchlanish ma'lum yorib o'tish qiymatiga yetganda P2 o'tishda zaryadlarning ko'chkisimon ko'payishi ro'y berib, va qiymati keskin ortadi. Natijada asbob ochiq holatga o'tadi. Bu holatga o'tishi uchun kerak bo'ladigan kuchslanish qiymati ko'chkisimon ko'payish kuchlanishi deb yuritiladi. Agar tiristordan o'tuvchi tok shartni qanoatlantirsa, tiristor ochiq holatda qoladi. Bu tok, tutib turuvchi tok I(tut) deb ataladi.


119. Valent zonadagi to'ldirilmagan energetik sath yoki erkin valent bog'lanish kovak deb ataladi. Kovak qiymati bo'yicha elektron zaryadiga teng bo'lgan musbat zaryadli EZTdir. To'ldirilmagan energetik sathlardagi kovaklarning ko'chishi valent elektronlar tizimi harakatiga qarama-qarshi bo'ladi. Shunday qilib, atomlar orasidagi kovalent bog'lanishlarning uzilishi bir vaqtning o'zida erkin elektron va kovak (elektron-kovak juftligi) hosil bo'lishiga sabab bo'ladi. Bu jarayon zaryad tashuvchilar generatsiyasi deb ataladi. Agar bu jarayon issiqlik ta'sirida amalga oshsa, u termogeneratsiya deyiladi. ast chastotalarda p-n o'tish toki elektron - kovak o'tishning hamda yarimo'tkazgich p- va n- sohalarining aktiv qarshiligi (rB) bilan aniqlanadi. Yuqori chastotalarda p-n o'tishning inersiya-dorligi uning sig'imi bilan belgilanadi. Elektron - kovak o'tish qo'sh elektr qatlamni tashkil etadi va zaryadlangan kondensatorga o'xshaydi. p-n o'tish sig'imi o'tish yuzasi S, uning kengligi va yarimo'tkazgichning dielektrik doimiysi ε bilan aniqlanadi.


120. Yarim o'tkazgichli asboblarning ko'pchiligi bir jinsli bo'lmagan yarim o'tkazgichlardan tayyorlanadi. Xususiy xolatda bir jinsli bo'lmagan yarim o'tkazgich bir sohasi p–turdagi, ikkinchisi esa n-turdagi monokristaldan tashkil topadi. Bunday bir jinsli bo'lmagan yarim o'tkazgichning p va n – sohalarining ajralish chegarasida hajmiy zaryad qatlami hosil bo'ladi, bu sohalar chegarasida ichki elektr maydoni yuzaga keladi va bu qatlam elektron – kovak o'tish yoki p-n o'tish deb ataladi. p-n o'tish hodisasi asosida ishlaydigan eng sodda yarim o'tkazgichli asbob yarim o'tkazgichli diod deb ataladi. Uning shakli ko'p faktorlarga bog'liqdir. Masalan, tashqi temperaturaga kontakt sohasining geometrik o'lchamlariga, tok tashuvchilar miqdoriga teskari kuchlanish kattaligiga va h.k.
Amaliy jihatdan bu faktorlarinning teskari tokka bo'lgan ta'siri katta ahamiyatga ega. Masalan muhit haroratining ko'tarilishi yoki teskari kuchlanishi biror qiymatgacha oshirilishi teskari tokning birdan ko'payib ketishiga, natijada p-n o'tishning buzilishiga,sabab bo'ladi. Shulardan issiqlik va elektr buzilishini ko'raylik quyidagi rasmda yarim o'tkazgichli diodning sxemada belgilanishi va to'lqin volt-amper xarakteristikasi ko'rsatilgan. Unda 1-chiziq issiqlik bo'lishi, 2-chiziq esa, elektr buzilishini ko'rsatadi.