Fizika fakulteti

2.9 Galliy arsenidi GaAs

GaAsdagi eń nátiyjeli akseptor nopokligi Zn-E0 = 0, 08 eV menen, Zn dıń GaAsdagi eriwsheńlik shegarası 1026 m'3. Eń nátiyjeli donor Se, DE0 = 0. 008 eV, eriwsheńlik shegarası 1027 m3. Joqarı qarsılıqlı GaAlar nikel yamasa xrom menen eritpe nátiyjesinde alınadı. Qarsılıq O2 qatnasıwında kúshayadi, bul donorlar hám akseptorlarning kompensatsiyası menen anıqlama bernedi.

Gallium arsenidi tórtew marka daǵı bir kristallı quyma formasında islep shiǵarıladı : AGE, AGET, AGDTs hám AGP (A hám G – galyum arsenidi, E hám D – elektron hám tesik túrleri, T hám C – eritpe elementi – tellur hám rux, P – yarım izolyatsion). Eki nomer, ádetde háripler belgilewinen keyin, tómendegilerdi ańlatadı : birinshisi, zaryad tasıwshılardıń nominal kontsentratsiyası, ekinshisi – bul bahanıń onlıq rejiminiń kórsetkishi (mısalı, AGE belgisinde – 4-15 nomer 4 * 1015 cm-3 ke teń konsentraciyanı ańlatadı ).

Selenli dopingli n-túrdegi galyum arsenidi tunnel puls diodalarini islep shıǵarıw ushın isletiledi.