Gann effekti va ko’chkili ko’payish. Reja

II.1.Gann effekti va Gann diodi.
Gann Effekti — N simon hajmiy volt-amper xarakteristikali yarim oʻtkazgichlarda elektrtokining yuqori chastotali tebranishlarini generatsiyalash. Gann effektini amerikalik fizik J.Gann (J.Gann) elektron oʻtkazuvchanlikli GaAs va JnP namunalarida kuzatgan (1963). Gann effekti doimiy kuchlanish maromida namunalarda doimiy ravishda paydo boʻladigan, koʻchadigan va yoʻqoladigan kuchli elektr maydon sohasining mavjudligi tufayli yuzaga keladi. Bu soha Gann domeni deyiladi. Gann effektida tebranish chastotasi namuna uzunligiga teskari mutanosib boʻladi. Uz. 30—50 mkm li GaAs kristallda tebranish chastotasi – 0,3—2 GGs.
Gann diodlari. Generatsiyalovchi diodlarning boshqa turini Gann diodlari tashkil
etadi. (GANN DIODI) —bir jinsli yarimo'tkazgichda Gann effekti hisobiga MDQka ega yarimo'tkazgich asbob. Hajmiy rezonatorga ulangan GANN DIODI O'YCHli garmonik tebranishlar generatsiyalashga qodir.

Gann diodi ko’rinishining zamonaviy talqini.
Diod uzunligi smli bir jinsli yarimo'tkazgich plastinadan iborat. Plastinaning qarama-qarshi tomonlarida katod К va anod A deb ataluvchi metall kontaktlar hosil qilinadi. Gann diodlarini hosil qilish uchun n —turli GaAs, InSb, InAs va InP kabi birikmalardan foydalaniladi. Diod tebranish konturiga ulanadi. Gann diodi kontaktlariga kuchlanganligi 3 • V/sm ga yaqin elektr maydon hosil qiluvchi doimiy kuchlanish berilganda uning hajmida chastotasi 60 GGs gacha bo'lgan elektr tebranishlar hosil bo'ladi. Elektr tebranishlar quwati 10÷15 Vt gacha
bo'ladi, diodning FIKi esa 10÷12 % ni tashkil etadi. Gann diodi asosidagi generatorning 10 GGs chastotadagi maksimal quwati 2 Vtga yaqin (FIK 9-15%). Chastota ortishi bilan u1/ f 1 qonun bo'yicha kamayib boradi. Bunday natijalar nobarqaror hajmiy zaryad sohasi rejimida olingan.