Generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi

O‘ZBEKISTON RESPUBLIKASI
RAQAMLI TEXNOLOGIYALAR VAZIRLIGI
MUHAMMAD AL-XORAZMIY NOMIDAGI TOSHKENT AXBOROT TEXNOLOGIYALARI UNIVERSITETI
«Kompyuter injiniringi» fakulteti Kompyuter injiniringi yo'nalishi
2-kurs 101-22 guruh talabasi
Urazbaeva Dinaraning



Elektronika va sxemalar fanidan
Mustaqil ishi
Topshirdi: Urazbaeva D
Qabul qildi: Djumabekova A

Nukus­-2023
Mavzu:Bipolyar tranzistor
Reja
1.Kirish bo’limi
Skaner haqida
2.Asosiy bo’limi
Skanerning turlari
Skanerni ulash
Skanerni sozlash
3.Xulosa

Tranzistor (inglizcha: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — elektr tebranishlarni kuchaytirish,generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika qurilmalarining asosiy elementi.
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda ikkala turdagi (p-tipli va n-tipli) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan p-n oʻtish hisobiga ishlaydi va baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi (n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali amalga oshiriladiBipolyar tranzistor - uch elektrodli yarimo'tkazgichli qurilma, tranzistorlar turlaridan biri. Yarimo'tkazgich strukturasida ikkita p-n birikmasi hosil bo'ladi, ular orqali zaryad o'tkazish ikki qutbli tashuvchilar - elektronlar va teshiklar tomonidan amalga oshiriladi. Shuning uchun qurilma maydon (unipolyar) tranzistoridan farqli o'laroq, "bipolyar" (ingliz tilidan. Bipolyar) deb nomlangan.ranzistor .
U elektr tebranishlarini kuchaytirish yoki yaratish uchun elektron qurilmalarda, shuningdek, kommutatsiya elementida (masalan, TTL davrlarida) foydalaniladi.
Bipolyar tranzistor o'zgaruvchan turdagi nopoklik o'tkazuvchanligiga ega bo'lgan uchta yarimo'tkazgich qatlamidan iborat: emitent ("E", inglizcha E bilan belgilanadi), tayanch ("B", inglizcha B) va kollektor ("K", inglizcha C) . Qatlamlarning almashinish tartibiga qarab n-p-n (emitter - n-yarimo'tkazgich, asos - p-yarim o'tkazgich, kollektor - n-yarim o'tkazgich) va p-n-p tranzistorlar farqlanadi. Supero'tkazuvchilar to'g'rilanmaydigan kontaktlar qatlamlarning har biriga ulanadi.
Supero'tkazuvchilar turlari nuqtai nazaridan emitent va kollektor qatlamlari farq qilmaydi, ammo ishlab chiqarish jarayonida ular qurilmaning elektr parametrlarini yaxshilash uchun doping darajasida sezilarli darajada farqlanadi. Kollektor qatlami engil doping bilan qoplangan, bu esa ruxsat etilgan kollektor kuchlanishini oshiradi. Emitent qatlami katta miqdorda qo'llaniladi: emitent ulanishining teskari kuchlanishining kattaligi juda muhim emas, chunki tranzistorlar odatda oldinga yo'naltirilgan emitent aloqasi bo'lgan elektron zanjirlarda ishlaydi. Bundan tashqari, emitent qatlamining og'ir dopingi asosiy qatlamga ozchilik tashuvchisini yaxshiroq in'ektsiya qilishni ta'minlaydi, bu umumiy tayanch davrlarida oqim o'tkazish koeffitsientini oshiradi. Asosiy qatlam engil doping bilan qoplangan, chunki u emitent va kollektor qatlamlari orasida joylashgan va yuqori elektr qarshiligiga ega bo'lishi kerak.

Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — IGBT ishlab chiqildi. 1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan. 1956-yilda tranzistor effektini tadqiq qilgani uchun William Shockley, John Bardeen va Walter Brattain fizika boʻyicha Nobel mukofoti bilan taqdirlanishgan. 1980-yilga kelib, oʻzining kichik oʻlchamlari, barqaror ishlashi, iqtisodiy jihatdan arzonligi hisobiga tranzistorlar elektronika sohasidan elektron lampalarni siqib chiqardi. Shuningdek, kichik kuchlanish va katta toklarda ishlay olish qobiliyati tufayli, elektromagnit rele va mexanik uzib-ulagichlarga ehtiyoj qolmadi. Elektron sxemalarda tranzistor „VT“ yoki „Q“ harflari bilan hamda joylashgan oʻrniga muvofiq indeks bilan belgilanadi. Masalan, VT15. Rus tilidagi adabiyotlar va hujjatlarda esa XX asrning 70-yillariga qadar „T“, „PP“ (poluprovodnikoviy pribor) yoki „PT“ (poluprovodnikoviy triod) kabi belgilanishlar ham ishlatilgan.