๐๐พ = ๐๐ โ ๐๐ ga teng boโlgan potensial toโsiq yoki kontakt potensiallar farqi hosil boโlishi 2.1b-rasmdan koโrinib turibdi. Uk qiymati yarimoโtkazgich taqiqlangan zona kengligi va kiritmalar konsentratsiyasiga bogโliq
boโlib, quyidagi ifoda bilan hisoblanadi
๐ผ = ๐๐ป ๐๐ ๐๐
= ๐๐ป ๐๐ ๐๐
๐ฒ ๐
๐๐ ๐
๐๐
๐ ๐พ โ 0.35V ni, kremniylilar uchun esa - 0,7V ni tashkil etadi.
p-n oโtishni hosil qiluvchi Nd va Na kiritmalar konsentratsiyasi
texnoiogik chegarada zinasimon oโzgarsa keskin p-n o'tish yuzaga keladi. Uning kengligi l0 nafaqat kiritmalar konsentratsiyasiga, balki
oโtishdagi konsentratsiyaning oโzgarish qonuniyatiga bogโliq boโlib, quyidagi ifoda boโyicha topiladi.
๐๐บ๐๐บ
๐ ๐
๐๐ = โ
๐ผ (
๐ ๐ฒ
๐ต๐ถ
+ )
๐ต๐
va mikrometming oโnlarcha ulushidan bir necha mikrometrgacha boโlgan qiymatlarni tashkil etadi. Demak, tor p-n oโtish hosil qilish uchun yarimoโtkazgichga yuqori konsentratsiyali kiritmalar kiritish, keng p-n oโtish hosil qilish uchun esa kiritmalar konsentratsiyasi kichik boโlishi kerak.
Bu yerda, q - elektron zaryadi, ๐ 0 - elektr doimiysi, ๐ - yarimoโtkazgichning nisbiy elektr doimiysi.
2. Nomuvozanat holatda p-n oโtish
Do'stlaringiz bilan baham: |