Глава I исследование электрофизических свойств и Анализ методов получения пленок (ZnSe) Х (SnSe ) 1-х §

1.3.1.Физические методы осаждения
В физических методах, пожеланный фильм может быть покрын испарением/ отстрелом материала цели от источника к источнику. Для подготовки пленок SnSe использовался широкий спектр физических методов, таких как двухступенчатый процесс, атомное напыление, термическое испарение, электронно-лучевое испарение, испарение со вспышкой, лазерное испарение, конденсация инертного газа, эпитаксия горячих стенок и радиочастотное распыление.
Осаждения атомных слоев. Исследование физических свойств пленок SnSe, нанесенных атомным слоем (ALD), было сообщено Дрозд и др. [36] в 2009 году. Они наносили пленки SnSe на различные подложки, такие как кремний, кварц и слюда, в диапазоне температур 200-450 °С. Их осажденные пленки при температуре подложки 350 °С показали сферические зерна с хорошей стехиометрией с запрещенной зоной 1,15 эВ. Щенг Джшао и др. [37] подготовил пленок SnSe электрохимическим осаждение атомных слоев (EC-ALD). Их потенциал открытой цепи и исследования Мотта-Шоттки показали, что пленок SnSe показал запрещенную зону 1,25 эВ с проводимостью p-типа.
Термически испарение. Терада [38] впервые в 1971 году сообщила о пленок SnSe методом двухступенчатого испарения из сплава олова-Селена (олово, легированное 4% селеном). Изучены механизмы роста испарительной техники как экспериментально, так и теоретически. Наконец, авторы предложили превосходство метода испарения для точного контроля толщины и соотношения примесного содержания осажденных пленок. Группа Бенноун и Тран [39-42] готовили пленки SnSe методом испарения различной толщины при скорости осаждения 350 А° / мин. Изучена структурная оптическая и электронная структура пленок SnSe. Они также описали электронную плотность состояний пленок SnSe, объединив УФ-фотоэлектронную спектроскопию и измерения отражательной способности. Сродство к электрону и первый порог измерялись для SnSe соответственно в 4,7 и 5,6 эВ. Они отметили, что удельное сопротивление готовых пленок уменьшается с повышением температуры, а подвижность Холла и плотность носителей увеличиваются. При комнатной температуре пленки толщиной 250 Нм показали удельное сопротивление, подвижность Холла и концентрацию носителей и запрещающий зона 33 х-см, 8,9 см² в^-1 с^-1, 4,49*10¹⁷ см^-3 и 1,21 эВ соответственно. С 1985 по 1996 год Суббарао и др. [43-48] исследованы термически испаренные пленок SnSe с постоянной скоростью осаждения 30 Нм/мин при различных условиях роста, таких как температура подложки (от 302 К до 573 К), типа подложки (стекло и слюда), толщина (100 и 200 Нм) и атмосфера отжига. Они изучали структурные, морфолопгические, электропроводящие и фотопроводящие свойства SnSe в зависимости от условий роста, используя измерения XRD, SEM, TEM, эффекта Холла и калиброванного термопила Эппли (температурно-зависимые измерения в диапазоне от 301 до 110 K). Их осажденные пленки SnSe имели орторомбическую структуру (a = 1.14 нм, b = 0.416 нм и c = 0.442 нм) с (111) в качестве предпочтительной ориентации и показали проводимость p-типа. Они обнаружили энергию состояния ловушки в диапазоне 0,025–0,062 эВ из исследования температурно-зависимой концентрации носителей. Оценены барьеры потенциала границ зерен (0,17 эВ), время фото релаксации носителя заряда (50-150 с) и плотность состояния ловушки (2 *10²⁵ м^-3) по измерениям фотопроводимости. С 1989 по 1994 год группа Десаи [49-55] изучил свойства термически испаренных пленок SnSe по отношению к температуре и толщине подложки. Их фильмы показали орторомбическую структуру с (111) в качестве доминирующей ориентации. Удельное сопротивление пленок уменьшается с увеличением толщины и температуры подложки. Их однофазные пленок SnSe имели удельное сопротивление 18 X-см, энергию активации 0,013 ЭВ и эффективную массу дырок 4,4*10^-4 m₀ (m₀-масса электрона) при комнатной температуре. Они описали (в зависимости от температуры и интенсивности) фотопроводимость пленок SnSe. Они также описали электрооптические свойства пленки сплава SnSe-SnSe₂. Их пленок сплавов показали p-типа проводимости с непрямой запрещенной зоны 1.1 эВ. Джохан и др. [56] осажденные пленки SnSe реакционным испарением при различных температурах подложки в диапазоне 473-600 К. Пленок SnSe ориентацию 400 и высокий коэффициент поглощения 10⁴ см^-1 с оптический запрещенная зона 1,2 эВ. Оптические свойства термически испаренных пленок SnSe изучены в работе Солиман и др. [57].
В их пленках выявлены косвенные и прямые разрешенные переходы с энергетическими зазорами 0,895 и 1,27 эВ соответственно с высоким коэффициентом оптического поглощения[10⁴ см^-1.

Сугуна и др. [58] изготовили тонкопленочные конденсаторы Al- SnSe-Al на хорошо очищенные стеклянные подложки путем термического испарения. В этом докладе они изучили структуру, диэлектрик, старение, отжиг и свойства проводимости переменного тока пленок. Они обнаружили, что структура фильма была поликристаллических и диэлектрической проницаемости изменялась от 34 до 146 при толщина от 75 до 275 Нм. Пандиян [59] описал электрические и фотоэлектрические свойства вакуумно-осажденных тонких пленок SnSe в 2000 году. Пленки отжигали при 300 ° С показали хорошую кристалличность с прямой запрещенной зоны 1.26 эВ по сравнению с как-осажденных пленок. Пленки отжигали при 300 ° С показали хорошую кристалличность с прямой запрещенной зоны 1.26 эВ по сравнению с как-осажденных пленок. Они отметили, что светочувствительность возрастает с увеличением уровня освещенности и времени жизни носителей до 1,6 С.