Глава I исследование электрофизических свойств и Анализ методов получения пленок (ZnSe) Х (SnSe ) 1-х §

§1.3. ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ТОНКОЙ ПЛЕНКИ ZNSE И SNSЕ, ПОЛУЧЕННЫЕ РАЗЛИЧНЫ МЕТОДОВ.
1.3. Методы роста пленок SnSe
§1.3. Методы получение тонких пленок

Thin film deposition of SnSe has been widely described in the literature. Chemical bath deposition [9], electro-deposition [10], solid state reactions [11], solvothermal [12], molecular beam epitaxy [13], vacuum evaporation [2] and pulsed laser deposition [6,14] have been used to grow SnSe thin films. In the case of SnSe₂, polycrystalline thin films have been more likely prepared using a conventional thermal evaporation of Sn and Se, or SnSe₂ powder [15]. Layered thin film p/n multi-junctions of SnSe and SnSe₂ by eutectic transformation [5,16]. The chemical vapour deposition (CVD) of tin selenide thin films has been investigated yet only SnSe has been reported. Tetramethyltin and hydrogen selenide have been used as dual source precursors to grow SnSe films [17]. While the single-source precursor bis(bis(trimethylsilyl)-methyl)tin(IV) selenide [Sn{CH(SiMe3)2}2 (μ-Se)]2 deposited SnSe thin films by low pressure CVD [18,19]. Pyridine selenolate complexes of tin have been suggested as useful precursors for CVD [20], as the bulk thermolysis of [Sn(2-SeNC5H4)2] and [Sn(2-SeNC5H4)4] leads to SnSe and SnSe₂.

[9] Z. Zainal, N. Saravanan, K. Anuar, M.Z. Hussein, W.M.M. Yunus, Mater. Sci. Eng., B, Solid-State Mater. Adv. Technol. 107 (2004) 181.

[10] B. Subramanian, T. Mahalingam, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran, M.J.Chockalingam, Thin Solid Films 357 (1999) 119.
[11] D. Tran Quan, Thin Solid Films 149 (1987) 197.
[12] Y. Xie, H. Su, B. Li, Y. Qian, Mater. Res. Bull. 35 (2000) 459.
[13] I.R. Nuriev, E.Y. Salaev, A.K. Sharifova, Ser. Fiz.-Tekh. Mat. Nauk 3 (1982) 91.
[14] R. Teghil, A. Santagata, V. Marotta, S. Orlando, G. Pizzella, A. Giardini- Guidoni, A. Mele, Appl. Surf. Sci. 90 (1995) 505.
[15] D.A. Hady, H. Soliman, A. El-Shazly, M.S. Mahmoud, Vacuum 52 (1999) 375.
[16] M.F. De Oliveira, R. Caram, C.S. Kiminami, J. Alloys Compd. 375 (2004)142.
[17] H.M. Manasevit, W.I.J. Simpson, J. Electrochem. Soc. 122 (1975) 444.
[18] I.S. Chuprakov, K.H. Dahmen, J.J. Schneider, J. Hagen, Chem. Mater. 10(1998) 3467.
[19] I.S. Chuprakov, K.H. Dahmen, J. Phys. IV: Proc. 9 (1999) 313.
[20] Y. Cheng, T.J. Emge, J.G. Brennan, Inorg. Chem. 35 (1996) 342.

Физические свойства пленок SnSe весьма чувствительны к условиям роста и типу метода низложения используемого для их роста. Поэтому, необходимо понять процесс маршрутов низложения для подготовки фильмов хорошего качества тонких. В прошлом веке, SnSe тонких пленок были выращены с помощью различных физико-химических методов. Все эти маршруты имеют свои достоинства и недостатки в подготовке однородных и бездефектных тонких пленок. В следующем разделе мы рассмотрели различные физических и химическим методы, которые использовались для восстановления пленок SnSe за последние 100 лет.