Глава I исследование электрофизических свойств и Анализ методов получения пленок (ZnSe) Х (SnSe ) 1-х §

электронно-лучевое испарение. Бахтет и др. [74] нанесение пленок SnSe методом электронно-лучевого испарения на поверхность серебро (Ag) в 1975 г. для коммутации памяти. Экспериментально исследованы аморфные пленки SnSe для коммутации памяти овального типа и исследована работоспособность устройства в зависимости от величины приложенного импульса напряжения.
Испарение вспышки (Flash evaporation). SnSe фильмов на флэш-испарения была впервые сообщил Ганесан и соавт. [75] в 1987 году. Исследовано влияние адсорбции и температуры (300-450 К) на электрические свойства пленок SnSe в диапазоне толщин 500-2500 А° . Они обнаружили, что адсорбированный кислород оказывает значительное влияние на электрическое сопротивление и действует в качестве легирующей примеси p-типа.
Синг и др. [76, 77] впервые сообщалось о фотоэлектрическом поведении испаренных вспышкой пленок SnSe с КПД 2,3 % (интенсивность освещения отсутствует) в 1990 году. Они также изучали электрические свойств пленок, испаренных вспышкой, на подложках из стекла, слюды и KCl подложка. Они отметили, что удельное электрическое сопротивление испаренных пленок вспышки ниже, чем у обычных испаренных пленок. Все пленки показали p-тип проводимость и пленки депозированные на KCl показали низкую резистивность чем другие субстраты.
Чандра и др [78] изучено влияние температуры подложки (303-513 К) на свойства выпаренных вспышкой пленок Znse. Они получили однофазные пленки с (400) предпочтительной ориентацией при 513 К, которые имели электрическое сопротивление 30 Х-см, проводимость p-типа, энергию активации 0,26 эВ, оптическую запрещенную зону 1,26 ЭВ и высокий коэффициент оптического поглощения 10^-4 см^-1. Эти свойства показали потенциальность селенида олова как поглотителя в тонкопленочных гетеропереходных солнечных элементах.
лазерным испарением. Тегхил и др. [79, 80] изучали различные эффекты, такие как природа подложки, мощность лазера, скорость осаждения и геометрия между подложкой и мишенью на рост тонкой пленки SnSe методом лазерной абляции. Фильмы был разрыв полосы 0.94 эВ с энергией активации 0.09 эВ.