Guruh talabasi tohirov islomjon 1 – laboratoriya ishi Mavzu

0 
1 
2 
3 
4 
5 
IMS prinsipmal sxemalari 
- berilgan схемаларда asosiy belgilanishlari; 
- berilgan схемаларда har bir IMS uchun qisqacha xarakteristika; 
- yarimo‘tkazgich va gibrid IMSlar tayyorlash texnologik bosqichlarini bayoni; 
void setup() { 
pinMode(13, OUTPUT); // объявляем пин 13 как выход 
} 
void loop() { 
digitalWrite(13, HIGH); // зажигаем светодиод 
delay(1000); // ждем 1 секунду 

---

digitalWrite(13, LOW); // выключаем светодиод 
delay(1000); // ждем 1 секунду 
} 
XULOSA 
Elektronika sohasi so'nggi 50 yil ichida IMS elementlarining hajmini kamaytirishga qaratilgan. 1999 yilda 
mikroelektronika 100 nm texnologik ajratish chegarasi engib o'tilishi bilan nanoelektronikaga aylandi. 
Hozirgi vaqtda standart texnologiya jarayoni optik litografiyaga asoslangan 45 nm. Kelgusi 10 yil ichida 
planar jarayonlar kabi an'anaviy usullar xarajat va murakkablik nuqtai nazaridan o'z chegarasiga etadi, bu 
esa qurilma sifatini yaxshilash uchun nanotexnologik usullardan foydalanishni talab qiladi. 
 
2 – laboratoriya ishi 
Mavzu: BTda yasalgan UE kuchaytirgich sxemasini tadqiq etish 
Ishning maqsadi: Umumiy emitter sxemasida ulangan bipolyar tranzistorda 
yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlarini o‘lchash. 
1. Laboratoriya ishini bajarishga tayyorgarlik ko‘rish: 
Ishda 2.1- rasmda ko‘rsatilgan, umumiy emitter sxemada ulangan bipolyar 
tranzistorda yasalgan sodda kuchaytirgich bosqichi parametrlari o‘lchanadi. 
Qisqacha nazariy ma’lumot: 
Tranzistor (
inglizcha
: transfer — koʻchirmoq va rezistor) — 
elektr 
tebranishlarni kuchaytirish, generatsiyalash (hosil qilish) va oʻzgartirish uchun 
moʻljallangan 3 elektrodli yarimoʻtkazgich asbob hamda mikroelektronika 
qurilmalarining asosiy elementi. 
Tranzistorlar tuzilishi, ishlash prinsipi va parametrlariga koʻra 2 ta sinfga 
ajratiladi — bipolyar va maydoniy (unipolyar) tranzistorlar. Bipolyar tranzistorlarda 
ikkala turdagi (
p-tipli 
va 
n-tipli
) oʻtkazuvchanlikka ega boʻlgan yarimoʻtkazgichlar 
ishlatiladi. Bipolyar tranzistor, oʻzaro yaqin joylashgan 
p-n oʻtish 
hisobiga ishlaydi va 
baza-emitter oʻtishi orqali tokni boshqaradi. Maydoniy tranzistorlarda faqat bir turdagi 
(n-tipli yoki p-tipli) yarimoʻtkazgichlar ishlatiladi. Bunday tranzisorlarning bipolyar 
tranzistorlardan asosiy farqi shundaki, ular kuchlanishni boshqaradi, tokni emas. 
Kuchlanishni boshqarish zatvor va istok orasidagi kuchlanishni oʻzgartirish orqali 
amalga oshiriladi. 
Hozirgi kunda analog texnikalar olamida bipolyar tranzistorlar (BT) (xalqaro 
atama — BJT, Bipolar Junction Transistor) asosiy oʻrinni egallagan. Raqamli 
texnikalar sohasida esa, aksincha maydoniy tranzistorlar bipolyar tranzistorlarni siqib 
chiqargan. Oʻtgan asrning 90-yillarida, hozirgi davrda ham elektronikada keng 
miqyosda qoʻllanilayotgan bipolyar-maydoniy tranzistorlarning gibrid koʻrinishi — 
IGBT ishlab chiqildi. 

---