I. Ma`ruza rejasi

6-Ma’ruza
Siqish jarayoni

I. Ma`ruza rejasi:

1. Siqish jarayonining borishi.
2. Siqish jarayonida issiqlik almashinuvi.
3. Siqish jarayonini hisoblash.

5.1. Umumiy holatlar

Ichki yonuv dvigatelining haqiqiy siklda siqish jarayoni:
– ishchi sikl harorat chegaralarini orttirish;
– yonuvchi aralashma alangalanishi va yonishi uchun zarur bo`lgan sharoitlarni yaratish uchun xizmat qiladi; bu sharoitlar issiqlikning foydali ishga effektiv aylantirilishini ta`minlaydi.
Dvigatelda aralashma hosil bo`lishi va yonilg`i alangalanishining qaysi usuli qo`llanilishiga qarab, siqish jarayoniga quyiladigan talablar har xil bo`ladi.
Aralashma tashqarida hosil bo`ladigan va tashqi manba (o`t oldirish svechasi)dan o`t oladigan dvigatellarda, silindrda yonilg`i-havo aralashmasi siqilayotganda, siqish jarayonida aralashmaning qo`shimcha aralashishi sodir bo`ladi, natijada butun hajm bo`yicha aralashma tarkibining bir xilligi ortadi. Bu yonish kamerasi bo`ylab alanga tarqalishini osonlashtiradi va tezlashtiradi. Dvigatel ishi ko`rsatkichlarini yaxshilash uchun siqish darajasini orttirishga intilish lozim. Lekin siqish darajasi shunday bo`lishi kerakki, siqish oxiridagi harorat va bosim vaqtidan oldin alanga paydo bo`lishi yoki detanasion yonishga sabab bo`lmasin. Shu sababli siqish darajasining yuqori chegarasi yonilg`i xossalari, yonuvchi aralashma tarkibi, issiqlik uzatish sharoitlari, yonish kamerasining konstruksiyasiga va h.k.larga bog`liq.
Lekin amalda siqish darajasi quyidagi sabablarga ko`ra ancha yuqori bo`lishi kerak.

5.2. Siqish jarayonining borishi

Ikkita nazariy – izotermik va adibatik siqish jarayonlarini ko`rib chiqamiz (rasm).
Porshen q.ch.h. dan yu.ch.h. ga siljishining boshidan oxirigacha silindr devorlari sovutilgan holdagina siqish jarayoni izotermik bo`lishi mumkin, chunki faqat shundagina siqilayotgan gazlar haroratini o`zgarmas holda saqlash mumkin. Adiabatik siqish (ac<sub>1</sub>) issiqlikni absolyut o`tkazmaydigan devorlar mavjud bo`lgandagina sodir bo`lishi mumkin.
Real dvigatel silindrida devorlar sovitilishi tufayli adiabatik siqilish mumkin emas. Shu tufayli haqiqiy siqilish jarayonida gazlar bosimi, adiabatik siqishga qaraganda, sekinroq ortadi va real dvigatelda siqilish chizig`i adiabata chizig`idan pastda joylashadi.
Siqilayotgan gazlardan silindr devoriga nisbatan ko`p bo`lmagan miqdorda issiqlik olib ketilishi tufayli ularning harorati ko`tarilib boradi, bosimi esa izotermik siqishdagina nisbatan tezroq ortadi. Shuning uchun real dvigatelning siqish chizig`i izotermik siqish chizig`iga nisbatan yuqorida joylashadi.

Siqishning adiabatik va izotermik grafiklari

5.3. Siqish jarayonida issiqlik almashinuvi

Dvigatelning haqiqiy siklida siqish jarayoni ishchi jism va dvigatel detallari orasida issiqlik almashinuvi sharoitida boradi, shuning uchun adiabatik bo`lmaydi. Bu issiqlik almashinuvi murakkab tavsifga ega va uni termodinamik munosabatlar yordamida aniq ifodalash ancha qiyin. Hisoblarni soddalashtirish maqsadida siqish jarayoni politropik kechadi; bunda n<sub>2</sub> o`zgarmas o`rtacha politropa ko`rsatkichi deb qabul qilinadi. Bu holda o`zgarmas ko`rsatkich n₁ dagi siqish ishi o`zgaruvchi ko`rsatkichdagi ishga teng bo`lishi mumkin.
Rasmda siqish (ac), adiabata (be) va siqishning haqiqiy politropasi (fd)larning o`zaro joylashishi ko`rsatilgan.



Siqish (as), adiabata (ve) va siqishning haqiqiy politropasi (fd)larning o`zaro joylashishi

5.4. Siqish jarayonini hisoblash

Siqish jarayonining hisobi siqish politropasining o`rtacha ko`rsatkichi n₁, siqish oxiridagi parametrlar (p_c va T_c) va siqish oxirida ishchi jismning issiqlik sig`imi ni (t<sub>c</sub> – siqish oxirida aralashma harorati, C) aniqlashga keltiriladi.
Rasmda tasvirlangan nomogrammadan  va T<sub>a</sub> larning mos qiymatlari uchun k<sub>1</sub> qiymati aniqlanadi. Nomogramma k<sub>1</sub> ni T<sub>a</sub>, T<sub>c</sub>,  va havoning issiqlik sig`imi lar bilan bog`lovchi ikkita tenglamani birgalikda echish natijasida qurilgan: