Integral kuchaytirgichlar bevosita bog‘langan bosqich sxemalari ko‘rinishida quriladilar. Bu vaqtda bosqichdan bosqichga o‘tganda signal doimiy tashkil etuvchisining o‘zgarishi kuzatiladi
Download 0.99 Mb.
|
E 2-mustaqil ishi
VD2
VD1 AV sinf rejimida ishlaydigan ChK sxemasi. Keltirilgan sxema elementlari vazifasini ko‘rib chiqamiz. VT1 va VT2 chiqish tranzistorlarini boshqaruvchi kuchlanishni hosil qilish uchun kuchaytirgichda VT3 asosidagi qo‘shimcha kaskad ishlatilgan. U UE sxemada ulangan. Rezistor R chiqish toki bo‘yicha ketma-ket manfiy TA zanjirini hosil qiladi. U kaskad ish rejimini barqarorlaydi. Bundan tashqari, VT3 tranzistor butun ChK kuchaytirish koeffitsiyentini oshiradi. R qarshilik qiymati shunday tanlanadiki, A nuqta potensiali, sokinlik reji-mida nolga teng bo‘lsin. VD1 va VD2 diodlar VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil bo‘lgani uchun V nuqta potensiali (sokinlik rejimida kaskadning ChK kuchlanishi) ham nolga teng bo‘ladi. VT1 va VT2 tranzistorlar ikki taktli tok kuchaytirgichning yelkalarini tashkil etadi. Kirish kuchlanishining har bir yarim davrida yuklama toki kuchaytirgichning o‘z yelkasi bilan hosil qilinadi. VT4 va VT5 tranzistorlar VT1 va VT2 tranzistorlarni o‘ta yuklanishdan saqlash uchun xizmat qiladi. VD1 va VD2 diodlar BTG bilan birgalikda AV sinf ish rejimini ta’minlash uchun siljitish zanjirlarini hosil qiladi. Siljitish zanjirlari VT1 va VT2 tranzistorlarga emitter-baza kuchlanishlarni berish uchun xizmat qiladi. BTG toki I0 signal mavjud bo‘lmaganda, diodlardagi kuchlanish pasayishi kichik bo‘ladigan qilib tanlanadi, VT1 va VT2 hamda VT4 va VT5 tranzistorlar deyarli berk holatda bo‘ladi. Kuchaytirgich kaskadning ishlash prinsipini ko‘rib chiqamiz. VT3 tranzistor kirishiga signalning musbat yarim davri berilgan bo‘lsin. U emitter toki va mos ravishda, ushbu tranzistor kollek-tor tokining ortishiga olib keladi. Bunda S nuqta potensiali pasayadi, chunki bu nuqtaga keluvchi tok qiymati o‘zgarmas va BTG toki I0 ga teng, undan ketuvchi tok (VT3 tranzistor kollektor toki) qiymati esa ortadi. VT1 tranzistor bazasi bilan ulangan S nuqta potensialining pasayishi VT1ni berkitadi va uning baza toki nolga teng bo‘lib qoladi. Lekin bunda VD1 va VD2 diodlardan o‘tuvchi tok I0 ga teng bo‘ladi va F nuqta potensiali, S nuqta holatidek sababga ko‘ra pasayadi. F nuqta potensiali pasayishi (VT2 tranzistor baza potensiali) VT2 tranzistor baza tokining ortishiga, demak, ushbu tranzistor emitter tokining ham ortishiga olib keladi. BTG mavjud bo‘lgani sababli baza tokining o‘zgarishi VT3 tranzistor kollektor toki o‘zgarishiga teng, ya’ni VT2 tranzistor emitter toki ortishi yuklamada IE2 yo‘nalishda tok paydo bo‘lishiga olib keladi. VT1 tranzistor berk bo‘lgani uchun Tranzistor toklari orasidagi munosabatlarni e’tiborga olgan holda, va asosida: teng bo‘ladi. Bu yerda, β3 , β2 – mos tranzistorlar baza toklarini uzatish koeffitsiyentlari qiymatlari. Shunday qilib, kaskadning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti Kirishga manfiy yarim davrli kuchlanish UKIR berilganda VT1 tranzistor ochiladi, VT2 tranzistor esa berk bo‘ladi. Yuklamadagi chiqish toki IE1 yo‘nalishga ega bo‘ladi. Kaskadning chiqish qarshiligi amalda VT2 yoki VT1 tranzistorlarning to‘g‘ri siljigan EO‘lari qarshiligiga teng, ya’ni juda kichik bo‘ladi. VT4 va VT5 tranzistorlarning himoyalovchi funksiyalari quyidagicha amalga oshadi: Normal ish rejimida ular berk. Katta signalda yoki chiqish tasodifan kuchlanish manbaining elektrodlaridan biriga qisqa tutashganda VT4 va VT5 tranzistorlardan biri ochiladi va natijada, himoyalovchi VT1 yoki VT2 tranzistorlar baza tokining bir qismi oqadi va shu bilan VT1 va VT2 tranzistorlarning emitter-baza o‘tishi shuntlanadi. Bu ularni o‘ta yuklanishdan saqlaydi. Quvvat kuchaytirgichlarda chiqish tranzistorlari sifatida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ushbu prinsiplar MTlar asosidagi ChKlarni loyihalashda ham ishlatiladi. BTlar asosidagi qurilmalarga qaraganda bunday sxemalar nochiziqli buzilishlarning kichikligi va temperaturaga bardoshligi bilan farq qiladilar. Integral kuchaytirgichlar bevosita bog‘langan bosqich sxemalari ko‘rinishida quriladilar. Bu vaqtda bosqichdan bosqichga o‘tganda signal doimiy tashkil etuvchisining o‘zgarishi kuzatiladi. Bu holat esa keyingi bosqichlarni ishlab chiqarishda qiyinchiliklar tug‘diradi. Bu kamchilikni bartaraf etish maqsadida o‘zgarmas kuchlanish sathini siljitish qurilmalari qo‘llaniladi. Ular sath transformatorlari deb VA ataladilar. Bu vaqtda sath siljitish qurilmasi signal o‘zgarmas tashkil etuvchisini keyingi bosqichga o‘zgarishlarsiz uzatishi kerak, ya’ni kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti 1 bo‘lishi kerak. Oldingi ma’ruzada ko‘rib chiqilgan manfiy TAli kuchaytirgich kaskadlar kuchlanish bo‘yicha kichik kuchaytirish koeffitsiyentiga ega bo‘lgan holda yuqori barqarorlikka, nolining dreyfi kichik bo‘lishiga qaramasdan, turli halaqitlar ta’siridan himoyalanmagan. Natijada, kirishga signal berilma-ganda chiqishda yolg‘on signallar paydo bo‘lishi mumkin. Halaqitlar manbai bo‘lib: 1. Yuqori chastotali tebranishlarni generatsiyalovchi turli qurilmalar, masalan, radiouzatgich, yuqori chastotali apparaturalar; 2. Ishlaganida elektr zaryad hosil qiluvchi qurilmalar, masalan, elektr dvigatellar va generatorlar, avtomobillar dvigatellarini o‘t olidirish tizimlari va shunga o‘xshashlar xizmat qiladi. Halaqitlar signal sifatida elektron asbobga ta’minot manbalari liniyalaridan YOKI signal kiritish va chiqarish zanjirlaridan kirishi mumkin. Hozirgi kunda halaqitlar bilan kurashish uchun ko‘p samarali choralar ko‘rilgan. Ularning VAmasi xalaqit signalini so‘ndirishga yo‘naltirilgan bo‘lib, chuqur manfiy TA kiritish shular jumlasidandir. TA foydali signal kuchaytirish koeffitsiyentini keskin kamayishiga olib keladi, chunki halaqit signali VA, foydali signal VA, bitta kirishga beriladi. Shuning uchun VA signal kuchaytirish koeffitsiyentini, VA hala-qitlarni so‘ndirish koeffitsiyentini oshirish uchun kuchaytirgich: - halaqit uchun chuqur manfiy TAni ta’minlashi; - bir vaqtda foydali signal uchun manfiy TAni yo‘qotishi kerak. Bu talablarga differensial kuchaytirgich (DK) javob beradi. DKda chiqish kuchlanishi har bir kaskad chiqish kuchlanishlarining ayirmasi sifatida shakllanib, ko‘prik sxema ko‘rinishida bo‘ladi. Ko‘prik sxemalar o‘lchashlarning turli xatoliklarini kompensatsiyalash uchun qo‘llaniladi. Bu xatoliklar barqarorlikni buzuvchi omillar hisobiga hosil bo‘ladi. DKning an’anaviy sxemasi 7.1,a-rasmda keltirilgan. Kuchaytirgich ikkita simmetrik yelkadan tashkil topgan bo‘lib, birinchisi VT1 tranzistor va RK1 rezistordan, ikkinchisi esa, VT2 tranzistor va RK2 rezistordan tashkil topgan. RE rezistor ikkala yelka uchun umumiy. Har bir yelka manfiy TAli UE ulangan kaskadni tashkil etadi. Sxemaning boshlang‘ich ish rejimi I0 tok bilan aniqlanuvchi BTG YOKI uning o‘rnini bosuvchi katta nominalli RE rezistor bilan ta’minlanadi. DK elementlari ko‘prik sxema hosil qiladi. Sxema diagonallaridan biriga ikki qutbli kuchlanish manbai yo YeM, ikkinchisiga esa, yuklama qarshiligi RYu ulangan. Sxemadan foydalanilgan holda, ko‘prik balansi sharti, ya’ni uning chiqish kuchlanishi nolga teng bo‘ladi: . (7.1) a) b)
|
ma'muriyatiga murojaat qiling