Интегральные схемы. План: 1) Вступление
Download 44.29 Kb.
|
Интегральные схемы
- Bu sahifa navigatsiya:
- Классификация.
- Плюсы и минусы ИС.
Интегральные схемы. План: 1) Вступление (понятие, устройство). 2) Типы ИС. 3) Плюсы и минусы ИС. 4) Производство. 5) Применение. Вступление. (от лат. integratio — «соединение»). ИС - это микроэлектронная схема, сформированная на крошечной пластинке (кристаллике, или "чипе") полупроводникового материала, обычно кремния, которая используется для управления электрическим током и его усиления. Типичная ИС состоит из множества соединенных между собой микроэлектронных компонентов, таких, как транзисторы, резисторы, конденсаторы и диоды, изготовленные в поверхностном слое кристалла. Размеры кремниевых кристаллов лежат в пределах от примерно 1,3 х 1,3 мм до 13 х13 мм. Прогресс в области интегральных схем привел к разработке технологий больших и сверхбольших интегральных схем (БИС и СБИС). Классификация. В зависимости от степени интеграции (количество элементов для цифровых схем) применяются следующие названия интегральных схем: малая интегральная схема (МИС) — до 100 элементов в кристалле, средняя интегральная схема (СИС) — до 1000 элементов в кристалле, большая интегральная схема (БИС) — до 10 тыс. элементов в кристалле, сверхбольшая интегральная схема (СБИС) — более 10 тыс. элементов в кристалле. Ранее использовались также теперь устаревшие названия: ультрабольшая интегральная схема (УБИС) — от 1-10 млн до 1 млрд элементов в кристалле и, иногда, гигабольшая интегральная схема (ГБИС) — более 1 млрд. элементов в кристалле. В настоящее время, в 2010-х, названия «УБИС» и «ГБИС» практически не используются, и все микросхемы с числом элементов более 10 тыс. относят к классу СБИС. Плюсы и минусы ИС. Интегральные схемы обладают целым рядом преимуществ перед своими предшественниками -аналоговыми схемами, которые собирались из отдельных компонентов, монтируемых на шасси. ИС имеют меньшие размеры, более высокие быстродействие и надежность; они, кроме того, дешевле и в меньшей степени подвержены отказам, вызываемым воздействиями вибраций, влаги и старения. Миниатюризация электронных схем оказалась возможной благодаря особым свойствам полупроводников. Download 44.29 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling