Intergal sxemalarini rusumlash Intergal sxemalarini belgilash tizimlari

Integral sxema
Bu radio qabul qiluvchilarning bitta trubka ushlagichiga ega bo'lishiga imkon berdi.Integral mikrosxemaning dastlabki tushunchalari 1949 yilda, nemis muhandisi Verner Jakobidan boshlanadi[4] (Siemens AG)[5] integral mikrosxemaga o'xshash yarimo'tkazgichli kuchaytiruvchi qurilmaga patent topshirdi[6] beshta ko'rsatmoqda tranzistorlar uch bosqichda umumiy substratda kuchaytirgich tartibga solish. Jakobi kichik va arzon narxlarni oshkor qildi eshitish vositalari uning patentiga xos sanoat talabnomalari sifatida. Uning patentidan darhol tijorat maqsadlarida foydalanish to'g'risida xabar berilmagan.Ushbu kontseptsiyaning yana bir dastlabki tarafdori edi Jefri Dammer (1909–2002), uchun ishlaydigan radar olimi Qirollik radiolokatsiya tizimi inglizlarning Mudofaa vazirligi. Dummer ushbu g'oyani jamoatchilikka Sifatdagi elektron komponentlarning rivojlanishi bo'yicha simpoziumda taqdim etdi Vashington, Kolumbiya 1952 yil 7-mayda.[7] U o'zining g'oyalarini targ'ib qilish uchun ko'plab simpoziumlarni berdi va 1956 yilda bunday sxemani qurishga muvaffaq bo'lmagan. 1953-1957 yillarda Sidni Darlington va Yasuro Tarui(Elektrotexnika laboratoriyasi) bir nechta tranzistorlar umumiy faol maydonni baham ko'rishi mumkin bo'lgan o'xshash chip dizaynlarini taklif qildi, ammo yo'q edi elektr izolyatsiyasi ularni bir-biridan ajratish. Monolitik integral mikrosxemasi yoqilgan Mohamed M. Atalla"s sirt passivatsiyasi elektr stabillashadigan jarayon kremniy orqali yuzalar termal oksidlanish, buni amalga oshirish uydirma kremniydan foydalangan holda yaxlit integral mikrosxemalar. Bu uchun asos bo'ldi tekislik jarayonitomonidan ishlab chiqilgan Jan Xerni da Fairchild Semiconductor 1959 yil boshida, bu monolitik integral mikrosxemaning ixtirosi uchun juda muhim edi.[8][9][10] Monolitik ICning asosiy tushunchasi bu printsipdir p – n tutashuv izolyatsiyasi, bu har bir tranzistorning bir xil kremniy qismiga qaramasdan mustaqil ishlashiga imkon beradi. Atallaning sirt passivatsiyasi jarayoni izolyatsiya qilingan diodlar va tranzistorlar,[11] tomonidan bitta silikon parchasida mustaqil tranzistorlarga uzatilgan Kurt Lexovec da Sprague Electric 1959 yilda,[12] va keyin mustaqil ravishda Robert Noys o'sha yili Fairchildda.Dizayn Narxi loyihalash va murakkab integral mikrosxemani ishlab chiqish juda yuqori, odatda bir necha o'n million dollar.[63][64] Shuning uchun, ishlab chiqarish hajmi yuqori bo'lgan integral mikrosxemalar mahsulotlarini ishlab chiqarish faqat iqtisodiy ma'noga ega, shuning uchun takrorlanmaydigan muhandislik (NRE) xarajatlar odatda millionlab ishlab chiqarish birliklariga tarqaladi.
Zamonaviy yarimo'tkazgich mikrosxemalari milliardlab tarkibiy qismlarga ega bo'lib, ularni qo'lda loyihalash uchun juda murakkab. Dizaynerga yordam beradigan dasturiy vositalar juda muhimdir. Elektron dizaynni avtomatlashtirish (EDA), shuningdek, elektron deb nomlanadi Kompyuter yordamida loyihalash (ECAD),[65] toifasi dasturiy vositalar loyihalash uchun elektron tizimlarshu jumladan integral mikrosxemalar. Asboblar a da birgalikda ishlaydi dizayn oqimi muhandislar butun yarimo'tkazgich chiplarini loyihalash va tahlil qilish uchun foydalanadilar. 1980-yillarda, dasturlashtiriladigan mantiqiy qurilmalar ishlab chiqilgan. Ushbu qurilmalar integral mikrosxemalar ishlab chiqaruvchisi tomonidan o'rnatilmasdan, mantiqiy funktsiyasi va ulanishi foydalanuvchi tomonidan dasturlashtirilishi mumkin bo'lgan sxemalarni o'z ichiga oladi. Bu kabi bir xil LSI tipidagi funktsiyalarni amalga oshirish uchun bitta chipni dasturlash imkonini beradi mantiq eshiklari, qo'shimchalar va registrlar.