Islom karimov nomidagi toshkent davlat texnika universiteti elektronika va avtomatika fakulteti elektron apparatlarni ishlab chiqarish yo‘nalishi

NAZARIY QISM

Fotorezistorli qurilmalarni o’rganish uchun avvalo fotorezitorni ishlash tamoillarini o’rganish kerak. Undan avval qarshiliklar ularning turlari, yorug’lik tasirida ishlovchi elementlar bilan tanishib chiqamiz.
Qarshiliklar
Rezistorlarning ishlashi materiallardan o‘tayotgan elektr tokiga qarshilik qilish hususiyatiga asoslangan. Rezistorlar vazifasiga ko‘ra umumiy, presizion, yuqori chastotali, yuqori megaomli, yuqori voltli va maxsus, ishlatilish xususiyatlariga ko‘ra esa, temperatura va namlikka bardoshli, vibratsiyaga va zarbga chidamli, yuqori darajada ishonchli bo‘lishi mumkin. Rezistorlar qarshilikning o‘zgarish xarakteriga ko‘ra o‘zgarmas yoki o‘zgaruvchan, shu jumladan, sozlanuvchi bo‘ladi (1.1–rasm).

1
.1 –rasm. Rezistorlarning elektr sxemalarda shartli belgilanishi: o‘zgarmas (a), o‘zgaruvchan (b), sozlanuvchi (v), temistor (g) va varistor (d).
O‘zgarmas rezistorlar radioelektron apparat (REA)larni yig‘ishda, sozlashda va ishlatishda o‘z qarshiligini o‘zgartirmaydi, o‘zgaruvchi va sozlanuvchi qarshilikli rezistorlarda esa mos ravishda maxsus moslama (burama yoki chervyakli o‘qqa mahkamlangan kontakt surilgich)lari bo‘ladi. Integral mikrosxema (IMS)lar rezistorlarini yasashda uning geometrik o‘lchamlarining kichikligi sababli mo‘ljallangan qarshilikni olish imkoniyati bo‘lmaydi. Shuning uchun mexanik usullar bilan yoki lazer nuri yordamida geometrik o‘lchamlarini qisqartirib, rezistor qarshiligi talab etilgan nominalga keltiriladi.

1.2 –rasm. SMD rezistorlar

Qarshiliklarning asosiy parametrlari

Nominal qarshilik (R_NOM) va uning yo‘l qo‘yilgan og‘ishi ( ± ∂R ). Rezistorlar qarshiligi (Om) umumiy holda quyidagi formula orqali aniqlanadi:
R = ρ l/ S
bu yerda: ρ va S – tok o‘tkazuvchi elementning solishtirma elektr qarshiligi (Om·mm2/m) va ko‘ndalang kesim yuzasi (mm2); l – tok o‘tish yo‘lining uzunligi (m).