Исследование характеристик и параметров интегрального усилителя
Download 0.98 Mb.
|
Раббимов Жасур 9
- Bu sahifa navigatsiya:
- 9 - ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА
МИНИСЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН МИНИСТЕРСТВО ПО РАЗВИТИЮ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ И КОМУНИКАЦИЙ РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН САМАРКАНДСКИЙ ФИЛИАЛ ТАШКЕНТСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ ИМЕНИ МУХАММАДА АЛЬ ХОРАЗМИЙ ФАКУЛЬТЕТ<<КОМПЬЮТЕР ИНЖИНИРИНГ ИТ-СЕРВИС>> ЛАБАРАТОРНАЯ РАБОТА По предмету: Электроника и схемы Выполнил студент 21-09 группы: Жасур Раббимов Самарканд – 2023г.
9 - ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА Исследование характеристик и параметров интегрального усилителя Цель работы: экспериментально измерить вольт-амперную характеристику (ВАХ) униполярного транзистора, амплитудные и амплитудно-частотные характеристики каскада усилителя, изучить, как параметры элементов усилителя влияют на его свойства. Характеристики затвора и семейства характеристик запаса однополярного транзистора, управляемого R-n-переходом с обратным смещением, показаны на рисунке 9 .1. Режим работы исследуемого r-канального транзистора типа KP103I соответствует U ZI > 0. Рисунок 9 .1. униполярный транзистор, управляемый р-н-переходом характеристики сток-затвор и семейства характеристик сток-исток В этом случае ток затвора близок к нулю (около 0,001 мкА, ток обратной связи r-n). Как правило, рабочая точка транзистора получается вблизи середины прямой линии динамической характеристики затвора. Это достигает максимального значения динамического диапазона для биполярных сигналов. 9 2 показана стадия усилителя концептуальной схемы. Конденсаторы S R1 и S R2 разделяют каскады переменного тока. Резистор R3 обеспечивает поток зарядов в цепи. При анализе производительности однополярных транзисторных цепей используются слабые сигнальные (дифференциальные) параметры транзистора; R1 - внутреннее (дифференциальное) сопротивление, S - вертикальность характеристики запасного затвора в рабочей точке. На высоких частотах необходимо учитывать емкости между электродами транзистора (S ZI , S ZS , S SI - номинальный вход, передача и выход соответственно). На средних частотах - без учета реактивных составляющих схемы нетрудно найти формулу K 0 = S (R Yu ) для расчета усиления по напряжению , где R Yu - сопротивление нагрузки. Рисунок 9 .2. Принципиальная схема усилителного каскада на полевом транзисторе. На высоких частотах невозможно игнорировать нагрузки шунтирующих нагрузок. Шунтирующие емкости - это выходная емкость данного каскада, входная емкость следующего каскада (нагрузочная способность) и мощность помех сборки. Эти конденсаторы подключены параллельно друг другу. Учитывая тип транзистора и R Yu , ширина зоны проводимости может быть увеличена только путем уменьшения значения емкостного сопротивления ( R C ). Но в этом случае, чтобы увеличить отношение K уменьшается. На низких частотах (ПЧ) сопротивление разделительного конденсатора (S R) является значительным. Необходимо увеличить значения S R и R Yu, чтобы вытянуть проводник усилителя на сторону ПЧ. Одним из способов увеличения диапазона частот усилителя и, следовательно, уменьшения искажений усиленных импульсных сигналов является подключение дополнительной специальной корректирующей схемы к усилителю. Принципиальная схема такого цепного усилителя 9 .3. показано на рисунке а. R F , S F улучшают низкочастотные характеристики цепного усилителя, а L K улучшают характеристики дросселя - высокочастотные. Их влияние основано на увеличении сопротивления в выходной (штатной) цепи транзистора в определенном диапазоне частот, в котором наблюдается уменьшение усиления в неисправленном усилителе. Эквивалентная схема выходной цепи на низких частотах 9 .3. b может быть показан, как показано на рис. На чертеже предполагается, что значения R 1 и R F намного больше, чем R S (на практике это часто имеет место в широкополосных усилителях по частоте). Из этой эквивалентной схемы видно, что если выполняются уравнения R f S f и R Yu S R , выходное напряжение не зависит от частоты. Добавление дросселя L K (высокочастотного корректирующего элемента в базовой цепи транзистора) создает параллельную колебательную цепь в выходной цепи усилителя. Контур резонансной частоты колебаний ф Rez усилитель доказательства близко к верхнему пределу по частоте. Поскольку сопротивление параллельной LC- цепи на резонансной частоте и близких частотах больше, чем сопротивление выходной цепи не скорректированного транзистора усилителя, выходное напряжение исправленного усилителя (около f REZ ) также будет иметь большое значение. Значение утверждения Q контура колебаний принимается малым, чтобы сформировать наилучшие формы проводниковых, амплитудно-частотных и фазово-частотных характеристик. Download 0.98 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling