Исследование характеристик и параметров интегрального усилителя

МИНИСЕРСТВО ВЫСШЕГО И СРЕДНЕГО СПЕЦИАЛЬНОГО ОБРАЗОВАНИЯ

РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН
МИНИСТЕРСТВО ПО РАЗВИТИЮ ИНФОРМАЦИОННЫХ ТЕХНОЛОГИЙ И
КОМУНИКАЦИЙ
РЕСПУБЛИКИ УЗБЕКИСТАН
САМАРКАНДСКИЙ ФИЛИАЛ ТАШКЕНТСКОГО УНИВЕРСИТЕТА ИНФОРМАЦИОННЫХ
ТЕХНОЛОГИЙ ИМЕНИ МУХАММАДА АЛЬ ХОРАЗМИЙ
ФАКУЛЬТЕТ<<КОМПЬЮТЕР ИНЖИНИРИНГ ИТ-СЕРВИС>>

ЛАБАРАТОРНАЯ РАБОТА

По предмету: Электроника и схемы

Выполнил студент 21-09 группы: Жасур Раббимов

Самарканд – 2023г.

9 - ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА

Исследование характеристик и параметров интегрального усилителя
Цель работы: экспериментально измерить вольт-амперную характеристику (ВАХ) униполярного транзистора, амплитудные и амплитудно-частотные характеристики каскада усилителя, изучить, как параметры элементов усилителя влияют на его свойства.
Характеристики затвора и семейства характеристик запаса однополярного транзистора, управляемого R-n-переходом с обратным смещением, показаны на рисунке 9 .1.
Режим работы исследуемого r-канального транзистора типа KP103I соответствует U _ZI > 0.

Рисунок 9 .1. униполярный транзистор, управляемый р-н-переходом
характеристики сток-затвор и семейства характеристик сток-исток

В этом случае ток затвора близок к нулю (около 0,001 мкА, ток обратной связи r-n).

Как правило, рабочая точка транзистора получается вблизи середины прямой линии динамической характеристики затвора. Это достигает максимального значения динамического диапазона для биполярных сигналов.
9 2 показана стадия усилителя концептуальной схемы. _{Конденсаторы} S _R1 и S _R2 разделяют каскады переменного тока. Резистор R3 обеспечивает поток зарядов в цепи.
При анализе производительности однополярных транзисторных цепей используются слабые сигнальные (дифференциальные) параметры транзистора; R1 - внутреннее (дифференциальное) сопротивление, S - вертикальность характеристики запасного затвора в рабочей точке. На высоких частотах необходимо учитывать _{емкости} между электродами транзистора (S _ZI , S _ZS , S _SI - номинальный вход, передача и выход соответственно). На средних частотах - без учета реактивных составляющих схемы нетрудно найти формулу K ₀ = S (R _Yu ) для расчета усиления по напряжению , где R _Yu - сопротивление нагрузки.

Рисунок 9 .2. Принципиальная схема усилителного каскада на полевом транзисторе.
На высоких частотах невозможно игнорировать нагрузки шунтирующих нагрузок. Шунтирующие емкости - это выходная емкость данного каскада, входная емкость следующего каскада (нагрузочная способность) и мощность помех сборки. Эти конденсаторы подключены параллельно друг другу. Учитывая тип транзистора и R _Yu , ширина зоны проводимости может быть увеличена только путем уменьшения значения емкостного сопротивления ( R _C ). Но в этом случае, чтобы увеличить отношение K уменьшается.
На низких частотах (ПЧ) сопротивление разделительного конденсатора (S _R) является значительным. Необходимо увеличить значения S _R и R _Yu, чтобы вытянуть проводник усилителя на сторону ПЧ.
Одним из способов увеличения диапазона частот усилителя и, следовательно, уменьшения искажений усиленных импульсных сигналов является подключение дополнительной специальной корректирующей схемы к усилителю. Принципиальная схема такого цепного усилителя 9 .3. показано на рисунке а. R _F , S _F улучшают низкочастотные характеристики цепного усилителя, а L _K улучшают характеристики дросселя - высокочастотные. Их влияние основано на увеличении сопротивления в выходной (штатной) цепи транзистора в определенном диапазоне частот, в котором наблюдается уменьшение усиления в неисправленном усилителе. Эквивалентная схема выходной цепи на низких частотах 9 .3. b может быть показан, как показано на рис. На чертеже предполагается, что значения R ₁ и R _F намного больше, чем R _S (на практике это часто имеет место в широкополосных усилителях по частоте). Из этой эквивалентной схемы видно, что если _{выполняются} уравнения R _f S _f и R _Yu S _R , выходное напряжение не зависит от частоты.
Добавление дросселя L _K (высокочастотного корректирующего элемента в базовой цепи транзистора) создает параллельную колебательную цепь в выходной цепи усилителя. Контур резонансной частоты колебаний ф _Rez усилитель доказательства близко к верхнему пределу по частоте. Поскольку сопротивление параллельной LC- цепи на резонансной частоте и близких частотах больше, чем сопротивление выходной цепи не _{скорректированного} транзистора усилителя, выходное напряжение _{исправленного} усилителя (около f _REZ ) также будет иметь большое значение. Значение утверждения Q контура колебаний принимается малым, чтобы сформировать наилучшие формы проводниковых, амплитудно-частотных и фазово-частотных характеристик.