January-february 2019 Physical properties of reactive rf sputtered a-izon thin films

---

RESEARCH
Revista Mexicana de F´ısica 65 (2019) 133–138
JANUARY-FEBRUARY 2019
Physical properties of reactive RF sputtered a-IZON thin films
J.J. Ortega
a
, C.R. Escobedo-Galv´an
b
, F. Avelar-Mu˜noz
a
, A. A. Ortiz-Hern´andez
c
,
H. Tototzintle-Huitle
a
, C. Falcony
d
, and J.J. Araiza
a
a
Unidad Acad´emica de F´ısica, Universidad Aut´onoma de Zacatecas, Zacatecas, M´exico.
b
Centro de Estudios Cient´ıficos y Tecnol´ogicos 18, Instituto Polit´ecnico Nacional, Zacatecas, M´exico.
c
Departamento de Ingenier´ıa en Mecatr´onica, Universidad Polit´ecnica de Zacatecas, Zacatecas, M´exico.
d
Departamento de F´ısica, Centro de Investigaci´on y Estudios Avanzados del Instituto Polit´ecnico Nacional, Cd. M´exico,
M´exico.
Received 21 August 2018; accepted 13 November 2018
The physical properties of amorphous indium zinc oxynitride (a-IZON) thin films, which were deposited at room temperature by reactive
RF magnetron sputtering, were investigated. The results of the investigations indicated that the a-IZON films possessed excellent qualities:
high transparency with a very low resistivity from 10
−3
Ω·cm to 10
−4
Ω·cm, while the carrier concentration showed values over 10
20
cm
−3
with mobility between 10 and 21 cm
2
·V
−1
·s
−1
. The incorporated nitrogen reduces the typical crystallization of IZO and favors the
deposition of transparent thin films. These results show that the IZON is an ideal amorphous material for applications in transparent and
flexible optoelectronic devices.
Keywords: Indium zinc oxynitride; amorphous oxynitride; spectral ellipsometry; amorphous semiconductor; IZON.
PACS: 71.15.Mb; 01.30.Vv.