Кафедраси эээ. Ээ ва кт (ЭЭ) йўналиши талабалари учун

IV. ОЛИНГАН НАТИЖАЛАРНИ ҚАЙТА ИШЛАШ.

1. 
   Ҳар бир осциллограммани таҳлил қилиб, унинг шаклини тушунтиринг.
   
2. 
   Олинган осциллограммани бир-бирига таққослаб, занжир характерининг вақт домийсига ва ўтиш жараёнининг давомийлигига таьсири бўйича хулоса чиқаринг.
   

V. ТЕКШИРИШ УЧУН САВОЛЛАР

1. 
   Ўтиш жараёни деганда нимани тушунасиз ?
   
2. 
   Коммутация қонунларини айтиб беринг ?
   
3. 
   Занжирнинг вақт домийси, унинг физик хусусияти ва биринчи тартибли занжирлар учун ҳисоблаш усулларини айтиб беринг.
   
4. 
   Конденсатор учун коммутация қонуни қандай таърифланади?
   
5. 
   Ғалтак учун коммутация қонуни қандай таърифланади?
   
6. 
   RC – занжирнинг вақт доимийси нимага тенг?
   
7. 
   RL – занжирнинг вақт доимийси нимага тенг?
   
8. 
   Биринчи тартибли занжирлар деб қандай занжирларга айтилади?
   
9. 
   Ўтиш жараёнини ҳисоблашнинг классик усулини тушунтиринг.
   
10. 
    Мажбурий ташкил қилувчи деб ўтиш катталигининг қандай қисмига айтилади?
    

VI. АДАБИЁТ
1. Каримов А.С. «Назарий электротехника» Дарслик 2 том. Тошкент 2003 йил 405 бет
2. В.Н. Ушаков. «Электротехника ва электроника» ўқув қўлланмасини ўзбек тилидаги таржимаси. Москва: Радио и связь 2005 йил
№ 2 - ЛАБОРАТОРИЯ ИШИ


ИККИНЧИ ТАРТИБЛИ ЗАНЖИРЛАРДА ЎТИШ ЖАРАЁНИ


I. ИШДАН МАҚСАД
Тўғрибурчак кучланиш таъсири остидаги иккинчи тартибли занжирларда рўй берадиган ўтиш жараёнларини ўрганиш.


II .ДАСТЛАБКИ ҲИСОБЛАШЛАР
f₀ - резонанс такрорлигини, R_с- характеристик каршилигини R=R₂=2 кОм ва R=R1=100 Ом бўлганда занжир асллиги L=L₃= 2 мГц, C=CI=1500 пФ бўлганда критик қаршилигини, R_пр=2 , занжирнинг хусусий тебраниш даврини ҳисобланг.