Kirish Kuchlanish, tok va qarshilik

Fanning tarixi va rivojlanishi hamda ishlatilish sohalari.
Birinchi bosqich
1874 yili nemis olimi Braun metall–YaO‘ kontaktida to‘g‘rilanish effektini ochdi. Bu yuqori chastotalar detektorlari rivojiga katta hissa qo‘shdi.
Ikkinchi bosqich
1904 yilda ingliz olimi Fleming elektrovakuum diod kashf qildi , 1907 yilda kuchaytiruvchi lampa - triod kashf qilindi. 1913 – 1919 yillar –elektron texnikaning rivojlanish yillaridir.
Uchinchi bosqich
Bu bosqichda vakuum elektronikasi rivojlandi va diskret YaO‘ asboblar yaratila boshlandi. 1946 yili "Bell Telefon" laboratoriyasida Uilyamom Shokli rahbarligida guruh shakllantirilib, kremniy va germaniy YaO‘laridi tadqiqotlar boshlandi va natijada uch elektrodli YaO‘ asbob - tranzistor yaratildi. Zaryad tashuvchilarning soniga qarab ular ikki turga bo‘linadi:
– unipolyar (maydon ) tranzistorlari ,
– bipolyar tranzistorlar.
Djon Bardin, Uolter Bratteyn i Uilyam Shokli 1956 yili tranzistor ixtirosi uchun Nobel mukofotini oldilar. Tranzistorlar shartli belgilari, sokolevkalari tashqi ko‘rinishlari 1- rasmda keltirilgan
Mikroelektronikaning paydo bo‘lishi
Diskret tranzistorlar yaratilgandan keyin kichik gabaritli EHMlar yasash davri boshlandi. Kosmik va aviatsiya texnikasi uchun bortlarda ishlatiluvchi asboblar yaratila boshlandi. Bosma platalar texnikasi rivojlandi. Bu o‘z navbatida mikroelektronikaning paydo bo‘lishiga katta turtki bo‘ldi. Gibrid sxemalar, mikrosxemalar paydo bo‘la boshlandi. Yupqa plyonkali texnologiyalar rivojlandi.

To‘rtinchi bosqich
1960 yili Fairchild firmasidan Robert Noys monolit integral sxema taklifi bilan chiqdi va birinchi marta planar texnologiya asosida kremniyli monolit integral sxema yaratdi. Xornining planar texnologiyasi va Noys monolit texnologiyasi integral mikrosxemalarning rivojlanishiga poydevor bo‘ldi (avval bipolyar tranzistorlarda, keyin 1965–85 yillarda maydon tranzistorlari va ularning kombinatsiyalarida- Fairchild, IBM (Nyu-York) firmalari).
l ROWLAND Cembridge universiʼn PRESS, 2015 – 527- bet).
1968 yilda. Gordon Mur, Robert Noys va ularga qo‘shilgan Mauntin Vyu Intel firmasini tuzishadi, ular o‘z oldilariga bitta YaO‘ kristallida katta sonli komponentlarni joylashtirish hisobiga sifat jihatdan o‘ta murakkab elektron asboblarni yaratishni niyat qilib qo‘yadilar.
Integral mikrosxemalarni mikroelektron qurilmalar deb atay boshlandi.