Kommunikasiyalarini rivojlantirish vazirligi muhammad al-xorazmiy nomidagi toshkent axborot texnologiyalari universiteti nukus
1-§. Raqamli integral mikrosxemalar
Download 65.29 Kb. Pdf ko'rish
|
raqamli integral sxemalar qobiqlari
|
5 1-§. Raqamli integral mikrosxemalar Mikrosxemaning kashf qilinishi yupqa oksidli plyonkaning xossasi va xususiyatini o‘rganish va unga elektr kuchlanish uzatib elektr o‘tkazuvchanligini tekshirishdan boshlangan. Muammo shundan iborat ediki, ikki metall bir-biriga tegib turishida elektr kontaktni hosil qilmagan yoki qutblar xossasi to‘g‘ri kelmagan, uzoq muddat o‘rganishlar natijasida diod va tranzistorlar kashf qilingan. 1958-yil boshqa-boshqa joyda yashovchi olimlar bir vaqtda: biri Jek Kolbi «Texas Instruments», ikkinchisi Robert Noys yarimo‘tkazgichli «Fairchild Semi conductor» korxonasi olimi mikrosxema kashf qilgan. Bu ikki olim mikrosxema yaratishda rezistor, kondensator va boshqa komponentlarni mikrosxema ichiga joylashtirish masalasi to‘g‘risida gaplashib, o‘zaro fikr almashib olishgan. Oldingi vaqtda mikrosxemaning normal ishlashi uchun rezistor, kondensatorlar alohida bosma plataga joylashtirilgan edi, olimlar yarimo‘tkazgichli bitta monolit kristalldan foydalanishni sinab ko‘rishni kelishib olishdi, lekin Kolbi germaniy, Noys kremniyni tanlagan. Bu kashfiyotlari uchun 1959-yil ikkala olim alohida patent olishga erishgan. 1961-yil «Fairchild Semiconductor Corporation» korxonasi mikrosxemalarni sotuvga chiqardi. 6 Bu esa, o‘z navbatida, kalkulator va kompyuter ishlab chiqarilishiga odim qadam tashlandi, kompyuter o‘lchamlari birmunchaga qisqardi, ishlab chiqarish birmuncha ortdi. Integral (ingl. Integrated circuit, IC, microcircuit, microchip, silicon chip or chip) (mikro)sxema (IC, IMC, m/sx) chip, mikpochip-mikroelektron qurilmasi, murakkab elektron sxema, tayyorlanishi yarimo‘tkazgichli kristall (yoki plyonkali). Integral mikrosxemalar turli ko‘rinishda va turli xillarda ishlab chiqariladi. Ular ikki usul bilan bosma plataga kavsharlanadi. Birinchi usuli an’anaviy usul bo‘lib, bosma plataning tuynukchalariga mikrosxemaning oyoqchalarini o‘rnatib bosma platani ikkinchi tomonidan kavsharlanadi. Ikkinchi usul bosma platadagi yo‘lchalar ustiga qo‘yib kavsharlanadi. Bu usulni sirtqi montaj deyiladi, sirtqi montaj uchun radioelementlarni 2009-yildan ishlab chiqarish yo‘lga qo‘yilgan. Hozirgi kunda asosan sirtqi montaj uchun radioelementlar ishlab chiqarilmoqda. Integral – injeksion mantiq elementi (I 2 M). Kalit komplementar bipolyar tranzistorlar juftligidan tashkil topgan bo‘lib, n-p-n turli VT1 tranzistor ko‘pkollektorli bo‘lib, uning baza zanjiriga p-n-p turli VT2 ko‘pkollektorli tranzistor ulangan. Bu tranzistor injektor nomini olgan bo‘lib, barqaror tok generatori vazifasini bajaradi (1 a – rasm.) 7 a) b) 1 – rasm. VT1 tranzistor emitter – kollektor oralig‘i kalit vazifasini bajaradi. Signal manbai va yuklama sifatida xuddi shunday sxemalar ishlatiladi. Agar kirishga mantiqiy birga mos keluvchi yuqori potensial berilsa, VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimida bo‘ladi. Uning chiqishidagi potensial nol potensialiga mos keladi. Kirishga mantiqiy nolga mos keluvchi potensial berilsa, VT1 tranzistorning emitter o‘tishi berkiladi. Kovaklar toki I Q (qayta ulanish toki) VT1 tranzistorning kollektor o‘tishini teskari yo‘nalishda ulaydi. Buning natijasida VT1 chiqish qarshiligi keskin ortadi va uning chiqishida mantiqiy bir potensiali hosil bo‘ladi. Ya’ni mazkur sxema yuqorida ko‘rilgan sxemalar kabi invertor vazifasini bajaradi. 8 Mantiqiy amallarni bajarish invertor chiqishlarini metall simlar bilan birlashtirish natijasida amalga oshiriladi. 1 b – rasmda HAM amalini bajarish usuli ko‘rsatilgan. Haqiqatdan ham, agar X1 yoki X2 kirishlardan biriga yuqori potensial berilsa U 1 KIR , natijada birlashgan chiqishlarda (A nuqta) past potensial hosil bo‘ladi U 0 . Natijada 1 x va 2 x invers o‘zgaruvchilarning kon’yuksiyasi bajariladi. Ular VT1 va VT3 invertor chiqishlarida hosil bo‘ladi: 2 1 x x y . I 2 M elementining tezkorligi 10 100 ns va iste’mol quvvati 0,01 0,1 mVt . Kristallda bitta I 2 M elementi KMDYa –elmentga nisbatan 3 4 marta kichik, TTM – elementiga nisbatan esa 5 10 marta kichik yuzani egallaydi. Integral mikrosxema (IMS) – bu o`zaro bog`langan bir necha tranzistorlar, diodlar, kondensatorlar. Rezistorlar yig`indisi hisoblanadi va u yagona texnologik siklda tayyorlanib (yani bir paytda), elektr signallarini o`zgartirishda ma`lum funksiyalarni bajaradi. IMS tarkibiga kirgan komponentlar undan mustaqil ajratib olinishi va mustaqil buyum sifatida ishlatilishi mumkin emas. Ular integral elementlar deb ataladi. Ulardan farqli o`laroq ularga konstruktiv moslashtirilgan detal va qurilmalar diskret komponentlar deb ataladi. Ular asosida tuzilgan bloklar esa diskret sxemalar deb ataladi. 9 Yuqori puhtalik va sifat, ihchamlik, engillik, arzonlik integral mikrosxemalarini halq ho`jaligini barcha sohalarida keng qo`llanilishga sabab bo`lmoqda. Zamonaviy mikroelektrotexnika asosini yarimo`tkazgichli integral mikrosxemnalar tashkil etmoqda. Zamonaviy yarimo`tkazgichli IMS kristtallarini o`lchamlari 1,5x1,5 dan 6x6 mm gacha. Kristall maydoni qancha katta bo`lsa unga shuncha ko`p elementli integral mikrosxemani joylashtirish mumkin bo`ladi. Integral mikrosxemalarida tranzistorlarni ma`lum ulanishlar asosida rezistor va kondensator hosil qilish mumkin. Yarimo`tkazgichli IMS larni hususiyati shundan iboratki ularni elementlari orasida induktivlik g`altagi yo`q, chunki shu paytgacha qattiq jismlarda elektromagnit induksiyasiga ekvivalent bo`lgan fizik hodisa olish imkoniyati bo`lmagan. Download 65.29 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|