"Kompyuter injiniring" fakulteti " Elektronika va sxemalar 2 ” fanidan Mavzu: Differensial kuchaytirgich asosiy parametrlari
Download 0.88 Mb. Pdf ko'rish
|
6 mustaqil ish
- Bu sahifa navigatsiya:
- O‘rtacha kirish toki
- Differensial
2.3.DK asosiy parametrlari.
Turli modifikatsiyali DKlar o‘zlarining aniqlik parametrlari bilan xarakterlanadilar. Shunday parametrlardan biri bo‘lib nolning siljish kuchlanishi U SIL xizmat qiladi. DK chiqishida nolga teng kuchlanish olish uchun kirishga beriladigan kuchlanish qiymati siljituvchi kuchlanish deb ataladi. Gap shundaki, yelkalar assimmetriyasi hisobiga kirishda signal bo‘lmagan holda, chiqishda qandaydir kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu kuchlanish signal sifatida qabul qilinishi mumkin. Turli DKlarda U SIL qiymati 30÷50 mV bo‘lishi mumkin. U SIL ning temperaturaga bog‘liqligini e’tiborga olish zarur. Bu bog‘liqlik temperatura sezgirlik ε U =0,05- 70 mV/ 0 S bilan ifodalanadi. DKning yana bir aniqlik parametri – siljitish toki ΔI SIL dir. U kirish toklari ayirmasidan iborat. Parametrning an’anaviy qiymatlari mikroamperlardan nanoamper ulushlarigacha bo‘ladi. Siljish toki signal manbai qarshiligi R G orqali o‘tib, unda yolg‘on signal hosil qiladi. Masalan, agar ΔI SIL = 20 nA va R G = 100 kOm bo‘lsa, ΔI SIL · R G =2 mV ni tashkil etadi. O‘rtacha kirish toki I KIR.O‘RT ham DKning aniqlik parametrlaridan hisoblanadi. O‘rtacha kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli DK larda 1÷7·10 3 nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi R G orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi sinfaz signaldek tutadi. K U.SF marta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi. DK kuchaytirish koeffitsiyenti kollektor zanjiridagi R K yuklama qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada R K qiymatining ortishi bilan, kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, kuchlanish manbai qiymati ham ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish koeffitsiyentini oshirish uchun, R K rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar yoki maydoniy tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK sxemasi 7.3-rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p – n – p turli VT3 va VT4 tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi. 7.3-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi. BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan ko‘p marta kichik. Bu holda BTGdan sokinlik toki oqib o‘tishi hisobiga kuchlanish pasayishi, uning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal berilganda kollektor toklarining o‘zgarishi hisobiga chiqish kuchlanishining o‘zgarishi uning differensial qarshiligi bilan bog‘liq bo‘ladi. Shuning uchun (7.3) formulada R K o‘rniga R DIF qo‘yilishi kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsiyentining kaskadda ruxsat etilgan maksimal qiymati to-piladi. Tashqi yuklama ulanganda kuchaytirish koeffitsiyentining absolyut qiymati faqat uning qarshiligi R Yu bilan aniqlanadi, ya’ni (7.3) formulada R K o‘rniga R Yu qo‘yilishi kerak. DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni kuchaytirish koeffitsiyentidan, sinfaz tashkil etuvchini so‘ndirish koeffitsiyentidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari ham kiradi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi R Yu e’tiborga olin-maganda DKning chiqish qarshiligi 2 1 K K ЧИК R R R + . Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi chap va o‘ng tomonlar kirish qarshiliklari yig‘indisiga teng bo‘ladi va signal manbaiga nisbatan ketma-ket ulangan bo‘ladi. R E =0 bo‘lganda: Б Э КИР r r R + + = ) 1 ( 2 . β = 100, r E = 250 Om va r B = 150 Om bo‘lsin, bunda R KIR = 5,35 kOm bo‘ladi. β ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga I B0 bog‘liq. Shuning uchun kirish qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak. Kaskad kuchaytirish koeffitsiyenti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi (7.4-rasm). Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti 2 2 21 = Э I h K . Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi 1 2 1 1 2 1 Б БЭ КИР Б БЭ БЭ Б БЭ I U R I U U I U R + = + = = . bo‘ladi. O‘zgartirishlarni kiritib: 2 2 1 ) 1 ( КИР КИР КИР КИР R R R R + + = . 7.4-rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi. Demak, tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi β marta ortar ekan. DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo‘llab ham oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda r–n o‘tish bilan boshqariluvchi MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteristikalarining barqarorligi yuqoriroq. Kanali r–n o‘tish bilan boshqariladigan n – kanalli MTlar asosidagi DKning an’anaviy sxemasi 7.5-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3 tranzistor bilan R I rezistor asosida hosil qilingan. 7.5-rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi. R SIL1 va R SIL2 rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zatvoriga boshlang‘ich siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi teskari siljitilgan r – n o‘tishning differensial qarshiligidan iborat bo‘ladi va 10 8 ÷ 10 10 Om ni tashkil etadi. Ba’zan DK kirish qarshiligini oshirish uchun n – kanalli r–n o‘tish bilan boshqariladigan MT va n–p–n tuzilmali BTlardan tashkil topgan tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. DKlarning barcha ko‘rilgan turlari har xil OKlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi. XULOSA: Hozirgacha biz kuchaytirgichga ulanish uchun bitta kirish signalini kuchaytirish uchun boshqa kirish erga ulangan holda "inverting" yoki "inverting bo'lmagan" kirish terminalidan foydalangan holda operatsion kuchaytirgichning faqat bitta kirishidan foydalanganmiz. Ammo standart operatsion kuchaytirgich ikkita kirishga ega bo'lgani uchun, inverting va inverting, biz signallarni bir vaqtning o'zida ikkala kirishga ham ulashimiz mumkin va Differensial kuchaytirgich deb ataladigan boshqa keng tarqalgan operatsion kuchaytirgich sxemasini ishlab chiqarishimiz mumkin . Download 0.88 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: |
Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling
ma'muriyatiga murojaat qiling