"Kompyuter injiniring" fakulteti " Elektronika va sxemalar 2 ” fanidan Mavzu: Differensial kuchaytirgich asosiy parametrlari

2.3.DK asosiy parametrlari. 
Turli modifikatsiyali DKlar o‘zlarining aniqlik parametrlari bilan 
xarakterlanadilar. 
Shunday parametrlardan biri bo‘lib nolning siljish kuchlanishi U
SIL
  xizmat 
qiladi. DK chiqishida nolga teng kuchlanish olish uchun kirishga beriladigan 
kuchlanish qiymati siljituvchi kuchlanish deb ataladi. Gap shundaki, yelkalar 
assimmetriyasi hisobiga kirishda signal bo‘lmagan holda, chiqishda qandaydir 
kuchlanish paydo bo‘ladi. Bu kuchlanish signal sifatida qabul qilinishi mumkin. 
Turli DKlarda U
SIL
 qiymati 30÷50 mV bo‘lishi mumkin. U
SIL
 ning temperaturaga 
bog‘liqligini e’tiborga olish zarur. Bu bog‘liqlik temperatura sezgirlik ε
U
=0,05-
70 mV/
0
S bilan ifodalanadi. 
DKning yana bir aniqlik parametri – siljitish toki ΔI
SIL
dir. U kirish toklari 
ayirmasidan iborat. Parametrning an’anaviy qiymatlari mikroamperlardan 

---

nanoamper ulushlarigacha bo‘ladi. Siljish toki signal manbai qarshiligi R
G
orqali 
o‘tib, unda yolg‘on signal hosil qiladi. Masalan, agar ΔI
SIL
= 20 nA va R
G
= 100
kOm bo‘lsa,
 
ΔI
SIL
· R
G
=2 mV ni tashkil etadi. 
O‘rtacha kirish toki I
KIR.O‘RT 
ham DKning aniqlik parametrlaridan 
hisoblanadi. O‘rtacha kirish toki siljish tokidan ancha katta qiymatga ega va turli 
DK larda 1÷7·10
3
nA bo‘ladi. O‘rtacha kirish toki signal manbai qarshiligi R
G
orqali o‘tib, unda kuchlanish pasayishi hosil qiladi. Bu kuchlanish o‘zini kiruvchi 
sinfaz signaldek tutadi. K
U.SF 
marta so‘ndirilgan ushbu kuchlanish DK chiqishida 
yolg‘on signal sifatida hosil bo‘ladi.
DK kuchaytirish koeffitsiyenti kollektor zanjiridagi R
K
yuklama 
qarshiligiga bog‘liq bo‘ladi. Integral texnologiyada R
K
qiymatining ortishi bilan, 
kristallda u egallagan yuza ortadi va tranzistorlar ish rejimlari saqlangan holda, 
kuchlanish manbai qiymati ham ortadi. Shuning uchun DKlarda kuchaytirish 
koeffitsiyentini oshirish uchun, R
K
rezistorlar o‘rniga, dinamik (aktiv) 
yuklamadan foydalaniladi. Dinamik yuklama bipolyar yoki maydoniy 
tranzistorlar asosida hosil qilinadi. Yuklama sifatida ikkinchi BTG ishlatilgan DK 
sxemasi 7.3-rasmda keltirilgan. Ikkinchi BTG p – n – p turli VT3 va VT4 
tranzistorlar asosida yaratilgan. Birinchi BTG ilgarigidek DK sokinlik rejimini 
belgilaydi va emitter qarshiligi sifatida ishlatiladi. 
7.3-rasm. Dinamik yuklamali DK sxemasi. 
BTGlarning statik qarshiligi differensial qarshiligiga nisbatan ko‘p marta 
kichik. Bu holda BTGdan sokinlik toki oqib o‘tishi hisobiga kuchlanish 
pasayishi, uning statik qarshiligi bilan aniqlanadi. Signal berilganda kollektor 
toklarining o‘zgarishi hisobiga chiqish kuchlanishining o‘zgarishi uning 
differensial qarshiligi bilan bog‘liq bo‘ladi. Shuning uchun (7.3) formulada R
K
o‘rniga R
DIF
qo‘yilishi kerak. Bunda kuchaytirish koeffitsiyentining kaskadda 
ruxsat etilgan maksimal qiymati to-piladi. Tashqi yuklama ulanganda 
kuchaytirish koeffitsiyentining absolyut qiymati faqat uning qarshiligi R
Yu
bilan 
aniqlanadi, ya’ni (7.3) formulada R
K
o‘rniga R
Yu
qo‘yilishi kerak. 
DKning asosiy parametrlariga differensial va sinfaz signallarni 
kuchaytirish 
koeffitsiyentidan, 
sinfaz 
tashkil 
etuvchini 
so‘ndirish 
koeffitsiyentidan tashqari kirish va chiqish qarshiliklari ham kiradi. 

---

Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi R
Yu
e’tiborga olin-maganda 
DKning chiqish qarshiligi 
2
1
K
K
ЧИК
R
R
R
+

. 
Simmetrik kirishda DKning kirish qarshiligi chap va o‘ng tomonlar kirish 
qarshiliklari yig‘indisiga teng bo‘ladi va signal manbaiga nisbatan ketma-ket 
ulangan bo‘ladi. R
E
=0 bo‘lganda: 


Б
Э
КИР
r
r
R
+
+
=
)
1
(
2

. 
β = 100, r
E
= 250 Om va r
B
= 150 Om bo‘lsin, bunda R
KIR
= 5,35 kOm 
bo‘ladi. 
β ning qiymati tranzistor sokinlik tokiga I
B0 
bog‘liq. Shuning uchun kirish 
qarshiligini oshirish uchun DKni kichik signal rejimida ishlatish kerak. Kaskad 
kuchaytirish koeffitsiyenti va DK kirish qarshiligini sezilarli oshirish maqsadida 
tarkibiy tranzistorlardan foydalaniladi. Ko‘proq Darlington sxemasi ishlatiladi 
(7.4-rasm). Bunday DKning tok bo‘yicha kuchaytirish koeffitsiyenti 
2
2
21

=

Э
I
h
K
. 
Tarkibiy tranzistorning kirish qarshiligi
1
2
1
1
2
1
Б
БЭ
КИР
Б
БЭ
БЭ
Б
БЭ
I
U
R
I
U
U
I
U
R
+
=
+
=
=
. 
bo‘ladi. O‘zgartirishlarni kiritib:
2
2
1
)
1
(
КИР
КИР
КИР
КИР
R
R
R
R



+
+
=
. 
7.4-rasm. Tarkibiy tranzistorlar asosidagi DK sxemasi. 
Demak, tarkibiy tranzistorlar qo‘llanilganda DK kirish qarshiligi β marta 
ortar ekan. 
DK kirish qarshiligini kichik kirish tokiga ega MTlarni qo‘llab ham 
oshirish mumkin. Bunday sxemalarni yaratishda r–n o‘tish bilan boshqariluvchi 
MTlar afzal hisoblanadi, chunki ular xarakteristikalarining barqarorligi 
yuqoriroq.

---

Kanali r–n o‘tish bilan boshqariladigan n – kanalli MTlar asosidagi 
DKning an’anaviy sxemasi 7.5-rasmda keltirilgan. Tok belgilovchi BTG VT3 
tranzistor bilan R
I
rezistor asosida hosil qilingan.
7.5-rasm. MTlar asosidagi DK sxemasi. 
 
R
SIL1
  va R
SIL2 
rezistorlar VT1 va VT2 tranzistorlar zatvoriga boshlang‘ich 
siljitish berish uchun xizmat qiladi. DKning kirish qarshiligi teskari siljitilgan r 
– n o‘tishning differensial qarshiligidan iborat bo‘ladi va 10
8
÷ 10
10
Om ni 
tashkil etadi. 
Ba’zan DK kirish qarshiligini oshirish uchun n – kanalli  r–n o‘tish bilan 
boshqariladigan MT va n–p–n tuzilmali BTlardan tashkil topgan tarkibiy 
tranzistorlardan foydalaniladi. DKlarning barcha ko‘rilgan turlari har xil 
OKlarning kirish kaskadlari sifatida ishlatiladi. 

---

XULOSA: 
Hozirgacha biz kuchaytirgichga ulanish uchun bitta kirish signalini kuchaytirish 
uchun boshqa kirish erga ulangan holda "inverting" yoki "inverting bo'lmagan" 
kirish terminalidan foydalangan holda operatsion kuchaytirgichning faqat bitta 
kirishidan foydalanganmiz. 
Ammo standart operatsion kuchaytirgich ikkita kirishga ega bo'lgani uchun, 
inverting va inverting, biz signallarni bir vaqtning o'zida ikkala kirishga ham 
ulashimiz mumkin va Differensial kuchaytirgich deb ataladigan boshqa keng 
tarqalgan operatsion kuchaytirgich sxemasini ishlab chiqarishimiz mumkin .