"Kompyuter injiniring" fakulteti " Elektronika va sxemalar 2 ” fanidan Mavzu: Differensial kuchaytirgich asosiy parametrlari
Download 0.88 Mb. Pdf ko'rish
|
6 mustaqil ish
|
K1
rezistordan, ikkinchisi esa, VT2 tranzistor va R K2 rezistordan tashkil topgan. R E rezistor ikkala yelka uchun umumiy. Har bir yelka manfiy TAli UE ulangan kaskadni tashkil etadi. Sxemaning boshlang‘ich ish rejimi I 0 tok bilan aniqlanuvchi BTG yoki uning o‘rnini bosuvchi katta nominalli R E rezistor bilan ta’minlanadi. DK elementlari ko‘prik sxema hosil qiladi. Sxema diagonallaridan biriga ikki qutbli kuchlanish manbai yo Ye M , ikkinchisiga esa, yuklama qarshiligi R Yu ulangan. Sxemadan foydalanilgan holda, ko‘prik balansi sharti, ya’ni uning chiqish kuchlanishi В А ЧИК U U U − = nolga teng bo‘ladi: 1 2 2 1 K VT K VT R R R R = . (7.1) a) b) 7.1-rasm. Differensial kuchaytirgich (a) va uning ekvivalent sxemasi (b). Shart bajarilganda, ya’ni Ye M kuchlanishlar va ko‘prik yelkalari qarshiliklari o‘zgarsa ham, balans buzilmaydi. VT1 va VT2 tranzistorlar parametrlari bir xil ( 2 1 VT VT R R = ), 2 1 K K R R = bo‘lgan ideal DK xususiyatlarini ko‘rib chiqamiz. 2 1 КИР КИР U U = bo‘lganda kollektorlar potensiallari U K1 va U K2 bir xil, natijada, yuklamadagi chiqish kuchlanishi 0 2 1 = − = K K ЧИК U U U bo‘ladi. Sxema simmetrik bo‘lgani uchun, kuchlanish manbai va temperatura bir vaqtda o‘zgarganda, chiqish kuchlanishi U ChIQ =0 qiymati saqlanib qoladi, ya’ni ideal DKda nolning dreyfi bo‘lmaydi. DK ikkita kuchlanish manbaidan ta’minlanadi. Bu manbalarning kuchlanishlari modul bo‘yicha bir-biriga teng. Ikkinchi manba (-Ye M )ning ishlatilashi VT1 va VT2 tranzistorlarlarning emitterlari potensiallarini (E nuqta) umumiy shina potensialigacha kamaytirish imkonini beradi. Bu, birinchidan, DK kirishlariga signallar sathini siljitmasdan uzatish (kiritish), ikkinchidan, ham musbat, ham manfiy kirish signallari bilan ishlash imkonini beradi. DK kirishlariga amplitudalari teng va fazalari bir xil signallar beraylik. Bunday signallar sinfaz signallar deb ataladi. Sinfaz signallar manbai bo‘lib xalaqitlar xizmat qiladi. Agar sinfaz signallar musbat bo‘lsa, VT1 va VT2 tranzistorlarlarning emitter toklari qiymatlari ortadi. Natijada, emitter toki orttirmasi ΔI E hosil bo‘ladi va u DK yelkalari orasida teng taqsimlanadi, Э kollektorlar potensiallari bir xil qiymatga o‘zgaradi. Natijada, bu holda ham U ChIQ =0 bo‘ladi. Real DKlarda R K1 ≠ R K2 bo‘lgani uchun chiqishda kuchlanish hosil bo‘ladi. Sinfaz signallar uchun kuchaytirish koeffitsiyenti K USF ni hisoblaymiz. DK da R E rezistor tok bo‘yicha ketma-ket manfiy TA hosil qiladi, tok orttirmasi esa, unda manfiy TA signalini hosil qiladi. Demak, K USF manfiy TAli kuchaytirgich kaskad uchun yozilgan oddiy formula bilan hisoblanishi mumkin. DKda R E rezistor emitter zanjirlar uchun umumiy bo‘lgani tufayli R E o‘rniga 2R E ishlatish kerak, ya’ni Э K Э K Э K UСФ R R R R R R K 2 2 2 2 1 = − = (7.2) Amalda sinfaz signal ishchi signaldan minglarcha marta katta bo‘lgani sababli, K USF <<1 bo‘lishiga intiliniladi. Buning uchun R E qiymati oshirilishi kerak. Lekin IMSlarda katta nominalli rezistorlarni hosil qilish maqsadga muvofiq emas. Shuning uchun R E rezistor o‘rniga katta nominalli rezistorning elektron ekvivalentidan foydalaniladi. Bunday ekvivalent bo‘lib o‘zgaruvchan tokka qarshiligi bir necha MOmni tashkil etuvchi BTG xizmat qiladi. Monolit IMSda kollektor qarshiliklari tarqoqligi ΔR K yo 3 %dan ortmaydi. Baholash uchun R K larning qiymat bo‘yicha katta va kichik tomonga og‘ishi bir xil, lekin ishoralari bilan farq qiladi (eng noxush holat) deb hisoblaylik. Unda R K =5 kOm, R E =1 MOm bo‘lganda, K USF ≈ 0,3·10 -3 tashkil etadi. Shunday qilib, masalan, agar sinfaz signal amplitudasi 1 V bo‘lsa, berilgan K USF da DK chiqishida 0,3 mV ga teng yolg‘on signal paydo bo‘ladi. Demak, bu holda kuchaytirish haqida emas, balki sinfaz signalni so‘ndirish haqida gapirish o‘rinli bo‘ladi. Download 0.88 Mb. Do'stlaringiz bilan baham: 
|