"Kompyuter injiniring" fakulteti " Elektronika va sxemalar 2 ” fanidan Mavzu: Differensial kuchaytirgich asosiy parametrlari

2.2. Simmetrik va nosimmetrik DK sxemasi. 
DK simmetrik bo‘lgani sababli kirish signali U
KIR
EO‘lar orasida teng 
taqsimlanadi: ularning birida kuchlanish 0,5·U
KIR
qiymatga ortadi, ikkinchisida 
esa shu qiymatga kamayadi. U
KIR1
kuchlanishi ortsin, U
KIR2 
esa, kamaysin. Bunda 
VT1 tranzistorning emitter va kollektor toklari musbat orttirma, VT2 
tranzistorning mos toklari esa, manfiy orttirma oladi. Natijada, chiqish 
kuchlanishi hosil bo‘ladi: 
)
(
2
2
1
1
K
K
K
K
ЧИК
R
I
R
I
U


−
−


=
. 
Emitter toklarining o‘zgarishi zanjirlar uchun umumiy R
E
rezistorda 
manfiy TA signalini tashkil etuvchi
)
(
2
1
Э
Э
Э
Э
I
I
R
U

−

=

orttirma hosil qiladi.
Agar DK ideal simmetrik bo‘lsa, 
2
1
Э
Э
I
I

=

va ΔU
E
=0. 
Natijada, emitterlar potensiali o‘zgarmas qoladi va DK uchun manfiy TA 
signali mavjud bo‘lmaydi. Shu sababli DKning kuchlanish bo‘yicha kuchaytirish 

---

koeffitsiyenti TAsiz UE ulangan kaskad uchun ilgari yozilgan ifoda bilan 
aniqlanadi 
11
21
h
R
h
I
R
K
K
T
Э
K
U
−
=
=


. (7.3) 


1, R
K 
=5 kOm, I
E 
=1 mA, 
T

= 0,025 V
-1
bo‘lganda, K
U 
= - 200 bo‘ladi. 
Amalda DKning to‘rt xil ulanishidan foydalaniladi: simmetrik kirish va 
chiqish; simmetrik kirish va nosimmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va 
simmetrik chiqish; nosimmetrik kirish va chiqish. 
Simmetrik kirishda signal manbai DK kirishlari orasiga (tranzistorlar 
bazalari orasiga) ulanadi. Simmetrik chiqishda yuklama qarshiligi DK chiqishlari 
orasiga (tranzistorlar kollektorlar orasiga) ulanadi. 
Nosimmetrik kirishda signal manbai DKning bitta kirishi va umumiy 
shinasi 
orasiga 
ulanadi. 
Nosimmetrik 
chiqishda 
yuklama 
qarshiligi 
tranzistorlardan birining kollektori va umumiy shina oralig‘iga ulanadi. 
DKning kuchaytirish koeffitsiyenti kirish signal berish usuliga, ya’ni kirish 
simmetrik yoki nosimmetrikligiga bog‘liq emas. 
Nosimmetrik chiqishda yuklama bir elektrodi bilan tranzistorlardan 
birining kollektoriga, boshqa elektrodi bilan esa, umumiy shinaga ulanadi. Bu 
holda, K
U
simmetrik chiqishdagiga nisbatan 2 marta kichik bo‘ladi. 
Nosimmetrik kirish va chiqishda, agar kirish signali DK chiqish signali 
olinadigan yelka kirishiga berilgan bo‘lsa, bu holda kuchaytirishga DKning faqat 
bir yelkasi ishlaydi. Agar kirish signali DKning bir yelkasiga berilgan bo‘lsa-yu, 
chiqish signali boshqa yelka chiqishidan olinsa, birinchi holdagidek K
U
ga ega 
bo‘lgan, inverslanmagan signal olinadi. Agar chiqish signali har doim berilgan 
bitta chiqishdan olinsa, DK kirishlariga «inverslaydigan» va «inverslamaydigan» 
degan nom beriladi. 
Nosimmetrik kirish va chiqishli kaskad namunasi 7.2-rasmda keltirilgan. 
Bunda foydalanilmaydigan kirish kuchlanishi o‘zgarmas sathli qilib olinadi, 
masalan, umumiy shinaga ulanadi. Agar kirish signali U
KIR1
ga berilsa, chiqishda 
inverslanmagan signal olinadi. Demak, U
KIR1
inverslamaydigan kirish, U
KIR2
esa, 
inverlaydigan kirish bo‘ladi. 
DKning asosiy parametrlaridan biri bo‘lib sinfaz signal-larni so‘ndirish 
koeffitsiyenti (SSSK) hisoblanadi. SSSK deb K
U.DF
ni K
U.SF
ga nisbatining 
detsibellarda ifodalangan qiymati tushuniladi, ya’ni
)
/
lg(
20
.
.
СФ
U
ДФ
U
K
K
CCCK =
. 

---

7.2-rasm. Nosimmetrik kirish va chiqishli DK. 
Zamonaviy DKlarda SSSKning qiymati odatda 60÷100 dB orasida bo‘ladi. 
DKning keyingi asosiy parametri uning dinamik diapazonidir. Dinamik 
diapazon deganda kuchaytirgich kirishidagi maksimal va minimal signallar 
amplitudalari nisbati tushuniladi 
)
/
lg(
20
)
(
.
.
мин
КИР
макс
КИР
K
K
дБ
Д
=
. 
Minimal signal DKning xususiy halaqitlari bilan, maksimal signal esa, 
signal shaklining buzilishlari bilan chegaralanadi. Nochiziqli buzilishlar signal 
ta’sirida tranzistor to‘yinish yoki berk rejimga o‘tganda hosil bo‘ladi. 
Hisoblar ko‘rsatishicha, ruxsat etilgan maksimal kirish signali 
Э
Э
T
I
r 
=

dan katta bo‘lishi mumkin emas. Bu yerda, r
E
– EO‘ning differensial qarshiligi; 
I
E
– sokinlik rejimidagi emitter toki. r
E
= 50 Om va I
E
= 12 mA bo‘lganda φ
T 
= 
50 mV. Amalda signal buzilishlari katta bo‘lmasligi uchun kirish signali 
amplitudalari 0,5·φ
T
atrofida bo‘lmog‘i kerak. Gap shundaki, φ
T
ga yaqinlashgan 
sari, emitter toki, u bilan birgalikda, r
E
qarshilik qiymati va kuchaytirish 
koeffitsiyenti juda sezilarli darajada o‘zgaradi.