Конспект лекций Часть 2 Челябинск 2015

Внешнее запоминающее устройство – предназначено для длительного 
хранения массивов информации и обмена ими с ОЗУ. Внутренние ЗУ
организуются как взаимосвязанная совокупность нескольких типов ЗУ. В ее 
состав входят: 

---

21 
Рис. 3. Классификация внутренних запоминающих устройств 
Адресными называют запоминающие устройства, в которых каждая ЗЯ имеет 
свой уникальный номер (адрес). Совокупность адресов памяти называется 
адресным пространством памяти. 
Ассоциативными запоминающими устройствами являются устройства, 
обращение к данным в которых производится по совпадению или частичному 
совпадению данных. 
Стековые запоминающие устройства представляют собой совокупность ЗЯ, 
соединенных в цепочки и используются, например, для хранения адресов возврата 
подпрограмм. 
ПЗУ (постоянное запоминающее устройство) – запоминающее устройство, из 
которого может производиться только выдача хранящейся в нем информации. 
Занесение информации в ПЗУ производится при его изготовлении. Такие ПЗУ 
называют масочными. Пример масочного ПЗУ представлен на рис. 4. 
Рис. 4. Пример масочного ПЗУ с информацией «1 Апреля» 

---

22 
Постоянные ЗУ являются энергонезависимыми, т.е. сохраняют информацию 
после пропадания питающего напряжения. 
ППЗУ (программируемое постоянное запоминающее устройство) – ЗУ, в 
котором информация может обновляться с помощью специальной аппаратуры. 
Программируемые постоянные запоминающие устройства могут быть 
организованы на базе плавких перемычек (рис. 5а) или встречно включенных 
диодов (рис. 5б). В ЗУ с плавкими перемычками перемычки включаются в 
электроды диодов или транзисторов. Перемычки могут быть металлическими или 
поликристаллическими (кремниевыми). В исходном состоянии запоминающий 
элемент хранит логическую единицу, логический ноль можно записать,
расплавляя перемычку подачей импульса на базу транзистора. Второй тип 
запоминающего элемента ППЗУ – два встречно включенных диода. В исходном 
состоянии сопротивление такой цепочки настолько велико, что практически 
равноценно разомкнутой цепи, и запоминающий элемент хранит логический нуль. 
Для записи единицы к диодам прикладывают повышенное напряжение, 
пробивающее диод, смещенный в обратном направлении. Диод пробивается с 
образованием в нем короткого замыкания и играет роль появившейся проводящей 
перемычки. 
а)
б) 
Рис. 5. Организация программируемых ПЗУ 
ПППЗУ (перепрограммируемое постоянное запоминающее устройство) – ЗУ, 
в котором возможно многократное обновление информации. В EPROM стирание 
выполняется с помощью облучения кристалла ультрафиолетовыми лучами, а 
запись – электрическими сигналами.
ЭПППЗУ (электрически перепрограммируемое 
постоянное запоминающее устройство) – ЗУ, в 
котором 
возможно 
многократное 
обновление 
информации, причем как стирание, так и запись 
информации 
производится 
под 
действием 
электрических сигналов. В отличие от EEPROM- 
памяти, в которой возможны стирание и запись 
информации в отдельной ячейке, FLASH- память 
представляет собой память блочной организации, в 
которой чтение и запись данных возможны блоками данных. Чаще всего размер 
блока составляет 512 байт, что соответствует одному сектору памяти. Такая 
организация FLASH- памяти является более дешевой по сравнению с EEPROM и 
широко применяется для хранения больших объемов информации. Электрически 
Исток
Сток
Затвор
«Плавающий» 
затвор
Рис. 6. ЛИЗМОП транзистор

---

23 
программируемые ПЗУ чаще всего строят на базе ЛИЗМОП- транзисторов 
(транзисторов с лавинной инжекцией заряда и «плавающим» затвором) (рис. 6). 
«Плавающим» затвор называют потому, что он не имеет электрических 
соединений с внешними цепями. При подаче повышенного напряжения на затвор 
такого транзистора электроны накапливаются в «плавающем» затворе. Поскольку 
«плавающий» затвор окружен диэлектриком, заряд на нем может сохраняться 
длительное время. 
ОЗУ (оперативное запоминающее устройство) – запоминающее устройство, 
предназначенное для хранения информации, непосредственно участвующей в 
процессе выполнения операций, выполняемых процессором.
Оперативные ЗУ являются энергозависимыми, т. е. сохраняют информацию 
только до пропадания питающего напряжения. 
Примером статического запоминающего элемента является триггер. В