Лабораторная работа №11 Исследование статического вах бт в схеме подключения оэ

Физическая т-образная эквивалентная схема бт в схеме об. Связь н-параметров бт с элементами эквивалентной схемы.

В этих схемах αI_эr_к=I_эr_г; r_к=αr_г. r_э – включает в себя сопротивление внешних выводов и контактов эмиттера, дифференциальное сопротивление ЭП, объемное сопротивление области эмиттера. r_к – включает в себя сопротивление вывода коллектора, омического контакта коллектора, дифференциального сопротивления КП, объемное сопротивление коллектора. r_б – объемное сопротивление базы транзистора. h11б= r_э+(1-h21б) r_б ; h12б= r_б/ r_к ; h21б=α ; h22б=1/ r_к . Эмиттерный и коллекторный переходы обладают емкостными свойствами, поэтому в эквивалентных схемах необходимо учитывать Cдиф и Cбар.
Лабораторная работа №12
Исследование статического ВАХ БТ в схеме подключения ОБ

Цель работы: Исследовать основные статические характеристики и параметры биполярных транзисторов в схеме включения с ОЭ, познакомиться с методикой измерения характеристик и обработкой экспериментальных данных.

1. 
   Подготовка к лабораторной работе:
   Статическими характеристиками транзистора называются связи между токами и напряжениями, представленные в графической форме. В схеме с общим эмиттером в качестве независимых переменных выбирают ток базы I_Б и напряжение коллектор-эмиттер U_КЭ, тогда:
   (5.1)
   

В графической форме функции двух переменных изображают в виде семейств характеристик.Семейство входных характеристик БТ показано на рис. 5.1. а, а семейство выходных характеристик – на рис. 5.1. б. Каждая из характеристик представляется зависимостью
, при  (5.2) , при  (5.3)
Рис. 5.1.
При работе с сигналами малой амплитуды I_Бm , U_БЭm , I_Km , U_КЭm нелинейные зависимости (5.1–5.3) в окрестности произвольной рабочей точки, задаваемой значениями I_Б (0) и U_БЭ (0), могут быть линеаризированы, например с использованием h- параметров транзистора: (5.4) где  , при  , при  , при  (5.5) , при  h - параметры в соответствии с формулами (4.5) можно определить с помощью семейств характеристик (h_11Э и h_12Э - по семейству входных, а h_21Э и h_22Э - по семейству выходных характеристик). В практических расчетах часто используется и кусочно-линейная аппроксимация статических характеристик БТ см.

рис.5.2.

а) б)Рис. 5.2.Для аппроксимированных входных характеристик имеем (5.6)а для выходных (5.7)