Лабораторная работа №11 Исследование статического вах бт в схеме подключения оэ

Влияние температуры на входные характеристики обусловлено увеличением теплового обратного тока эмиттерного перехода с ростом температуры, чем объясняется увеличение входного тока.

Влияние температуры на выходные характеристики.
С ростом температуры увеличива­ется коэффициент передачи тока базы, по­этому возрастает ток коллектора; уменьшение выходного сопротивления в активном режиме и напряжения пробоя также объясняется повышением β.

Система н-параметров бт, их физический смысл. Формальная эквивалентная схема

В качестве независимых переменных приняты входной ток и выходное напряжение, а функциями – выходной ток, входное напряжение.

В этой системе параметры измеряются в режиме ХХ на входе и в режиме КЗ на выходе, что делает её наиболее удобной. Ей соответствует эквивалентная с хема:

Систему H–параметров обычно используют на низких частотах, когда ёмкостные составляющие токов малы. Необходимые режимы для измерения параметров по переменной составляющей тока могут быть осуществлены на этих частотах достаточно просто. Поэтому в справочниках по транзисторам низкочастотные параметры приводятся в системе H–параметров.

Определение н-параметров бт по семействам вах.

, , , .

Системы y-параметров бт, их физический смысл. Формальная эквивалентная схема.

В системе Y–параметров токи считаются функциями напряжения:

.

.
Приращения dU1, dU2 можно рассматривать как малые переменные напряжения с комплексными амплитудами  . Приращения токов dI1, dI2 представляют собой гармонические колебания с амплитудами  . С учётом этого можно записать:



Для измерения Y–параметров необходимо обеспечить создание режима короткого замыкания по переменному току. Он может быть создан путём закорачивания соответствующей цепи конденсатором большой ёмкости. Создание режима короткого замыкания (КЗ) во входной цепи довольно сложно на низких частотах из-за низкого входного сопротивления транзистора. Однако на высоких частотах создание режима короткого замыкания значительно проще. Генератор тока Y12U2 определяет обратную связь в транзисторе, а генератор тока Y21U1 характеризует усилительные свойства транзистора.