Литература Импульсные диоды

Вольт-амперная характеристика импульсных диодов
Импульсный диод, напротив, имеет небольшую площадь перехода для снижения емкости, не отличается высокой пробивной стойкостью по обратному напряжению, не рассчитан на большой ток и имеет повышенное значение обратного тока. На рисунке 2 представлены его вольт-амперные характеристики и один из вариантов схемы включения.

Вольт-амперная характеристика импульсного диода и его включения
Один из вариантов импульсного диода, называемый по имени его изобретателя диодом Шоттки, использует потенциальный барьер, образуемый границей полупроводник-металл.
Вольтамперная характеристика диода Шоттки представлена на рисунке 3. Она очень похожа на ВАХ обычного выпрямительного диода, но имеет несколько важных отличий.
При приложении обратного напряжения Uобр диод Шоттки переходит в закрытое состояние, но через него протекает сравнительно больший (по сравнению с обычным полупроводниковым диодом) обратный ток, который может достигать нескольких миллиампер и возрастает с ростом температуры кристалла. Если обратное напряжение достигнет значения напряжения пробоя Uпроб, диод Шоттки выйдет из строя.
При приложении прямого напряжения Uпр диод Шоттки открывается и начинает проводить ток. Напряжение на его переходе может достигать 0,2…0,4 В, что значительно меньше по сравнению с обычным выпрямительным диодом.
Проводимость диода Шоттки обусловлена только движением электронов (не имеет зоны с так называемой «дырочной» проводимостью), что обуславливает малую инерционность переключения и хорошую способность диодов Шоттки работать в импульсных режимах.
ВАХ импульсного диода (диода Шоттки).
Маркировка импульсных диодов
На корпусе диода обычно указывают материал полупроводника, из которого он изготовлен (буква или цифра), тип (буква), назначение или электрические свойства прибора (цифра), букву, соответствующую разновидности прибора, и дату изготовления, а также его условное обозначение.
Условное обозначение диода (анод и катод) указывает, как нужно подключать диод на платах устройств. Диод имеет два вывода, один из которых катод (минус), а другой — анод (плюс).
Условное графическое изображение на корпусе диода наносится в виде стрелки, указывающей прямое направление, если стрелки нет, то ставится знак «+».
На плоских выводах некоторых диодов прямо выштамповано условное обозначение диода и его тип. При нанесении цветового кода, цветную метку, точку или полоску наносят ближе к аноду .
Для некоторых типов диодов используется цветная маркировка в виде точек и полосок .
Применение(назначение)импульсных диодов
Импульсные диоды применяют в сверхбыстродействующих импульсных ключевых схемах, например, в логических схемах.
Такие диоды применяются в цифровых устройствах, приборах коммутации, триггерах, высокочастотных генераторах и прочей подобной аппаратуре.
Импульсные диоды по своим параметрам хорошо подходят для применения в:

• 
  быстродействующих логических схемах;
  
• 
  цепях развертки стробоскопических осциллографов;
  
• 
  формирователях сверхкоротких импульсов.
  

Также их применяют в формирователях субнаносекундных импульсов, например, при формировании строб-импульсов в стробоскопических осциллографах, так называемые диоды с быстрым обратным восстановлением (импульсные диоды с накоплением заряда). Принцип формирования субнаносекундных импульсов основан на том, что восстановление обратного сопротивления после рассасывания неосновных носителей происходит за очень короткое время, существенно короче чем длительность фронта смены полярности, таким образом, затянутый фронт укорачивается

Заключение:

1. 
   Импульсные диоды работают в режиме электронного ключа.
   
2. 
   Длительность импульсов может быть очень мала, поэтому диод должен очень быстро переходить из одного состояния в другое.
   
3. 
   Основным параметром, характеризующим быстродействие импульсных диодов является время восстановления обратного сопротивления.
   
4. 
   Для уменьшения используют специальные меры, ускоряющие процесс рассасывания неосновных носителей заряда в базе.
   
5. 
   Требованиям, предъявляемым к импульсным диодам, хорошо удовлетворяют диоды на основе барьера Шоттки, которые имеют очень малую инерционность благодаря отсутствию инжекции и накопления неосновных носителей заряда в базе.
   

Литература :

1. Шишкин, Г. Г. Электроника / Г. Г. Шишкин, А. Г. Шишкин. – М. Дрофа, 2009 – 703 с.

2. Аваев, Н. А. Электронные приборы / Н. А. Аваев, Г. Г. Шишкин; под
ред. Г. Г. Шишкина. – М. : МАИ, 1996 – 540 с.
3. Дулин, В. Н. Электронные приборы / В. Н. Дулин, Н. А. Аваев,
В. П. Демин. – М. : Энергоатомиздат, 1989 – 496 с.
4. Электронные, квантовые приборы и микроэлектроника / Ю. Я. Бобров-
ский [и др.]. – М. : Радио и связь, 1998 – 560 с.
5. Булычев, А. Л. Электронные приборы / А. Л. Булычев, П. М. Лямин,
Е. С. Тулинов. – Минск : Выш. шк., 1999 – 414 с.
6. Ткаченко, Ф. А. Электронные приборы и устройства : учебник для студ.
вузов [утв. МО РБ] / Ф. А. Ткаченко. – Минск : Новое знание, М. : ИНФРА-М,
2011 – 682 с.
7. Валенко, В. С. Электроника и микросхемотехника / В. С. Валенко,
М. С. Хандогин. – Минск : Беларусь, 2000 – 325 с.
8. Валенко, В. С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники
электронных устройств / В. С. Валенко. – М. : Издательский дом «Додека-ХХI»,
2001 – 368 с.
9. Дробот, С. В. Электронные приборы и устройства. Практикум : учеб.
пособие для студ. по направлению информатики и радиоэлектроники [утв. МО
РБ] / С. В. Дробот, В. А. Мельников, В. Н. Путилин. – Минск : БГУИР, 2009 –
256 с.