Mantiqiy integral mikrosxemalarning parametrlari

Bir turdagi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar. 5.3– rasmda n – kanali induksiyalanuvchi MDYa – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemasi keltirilgan.
VT0 tranzistor nochiziqli yuklama vazifasini bajaradi. Ketma – ket ulangan tranzistorlar asosi qobiqda qisqa tutashuv bajariladi, zatvor va yuklamadagi tranzistor stoki manba bilan tutashtirilgan. E_M = 3U_bo‘s tanlanadi, bu yerda U_bo‘s – tranzistor ochiladigan kuchlanish.



5.3– rasm. Bir turdagi metal dielektrik yarimo‘tkazgich – tranzistorlarda bajarilgan kalit sxemalar

Demak, yuqoridagi tranzistor doim ochiq holatda bo‘lib to‘yinish rejimida bo‘ladi va invertor tokini cheklash uchun xizmat qiladi (dinamik yuklama). VT0 stok toki kattaligi quyidagi formula bilan aniqlanadi

(5.7)
Agar kalit kirishi X ga U⁰_kir U_bo‘s kuchlanish berilsa (mantiqiy nol), VT1 tranzistor berk bo‘ladi, kalit orqali 10^-9-10^-10 A tok oqib o‘tadi, chiqishdagi kuchlanish esa bo‘lib kuchlanish manbai qiymatiga yaqin bo‘ladi: U_chiqE_M (mantiqiy bir).
Agar kalit kirishi X ga U⁰_kir U_bo‘skuchlanish berilsa, u holda VT1 tranzistor ochiladi va to‘yinish rejimiga o‘tadi, bu vaqtda stok toki I_S1 (5.7) ifoda orqali aniqlanadi, faqat U_SI0=E_M deb olinadi.


(5.8)
VT1 tranzistorning to‘yinish rejimidagi kanal qarshiligi



I_S1 tokni kanal qarshiligi R ga ko‘paytirib, chiqish kuchlanishini olamiz


(5.9)

Amaliyotda U¹_kirE_M (5.9) dan ko‘rinib turibdiki, kichik chiqish kuchlanishi qiymatini U_chiq ta’minlash uchun V₀V₁ nisbat bajarilishi kerak. V kattaligi kanal kengligini uning uzunligiga nisbati bilan aniqlanadi (Z/L).

Bu kalit kichik tezkorlikka ega, chunki chiqish impulsining fronti tranzistor parametrlari bilan emas, balki chiqish sig‘imi zaryadini nochiziqli yuklama tranzistoridan chiqishi bilan aniqlanadi, bu qarshilik qiymati esa yuzlab kOmlarga yetadi.