Ma’ruza №22 bipolyar tranzistorlar (2-qism)

UE sxema. UE ulangan sxemada kirish toki bo‘lib baza toki I_B, chiqish kuchlanishi bo'lib kollektor-emitter kuchlanishi U_KE xizmat qiladi. Shuning uchun kirish xarakteristikalar oilasi bo'lib, kollektoremitter kuchlanishi U_KE ning belgilan-gan qiymatlarida I_B=f (U_BE) bog‘lanish xizmat qiladi. U_KE=U_KB+U_BE bo‘lgani uchun U_KE ning o‘zgarmas qiymatlarida kirish kuchlanishi U_BE ning o ‘zgarishlari KO'dagi U_KB kuchlanishning o‘zgarishlariga olib keladi. Bu esa, o‘z navbatida, I_E toki qiymatlariga va KO‘ning xususiy toki I_K0 qiymatlariga ta ’sir ko‘rsatadi.
Aktiv rejimda, U_KE > U_BE bo‘lganda, tranzistor kirish xarakteristikalarini ko‘rib chiqamiz. Bu holda emitter toki (22.4) ifoda bilan aniqlanadi, kirish xarakteristikasi (22.6) ga muvofiq,

(22.7) va (22.6) larni solishtirib UB va UE ulangan sxemalarda kirish xarakteris-tikalar ko‘rinishi eksponensial ekanini va tikligi bo‘yicha bir-biridan farqlanishini ko‘ramiz. UE ulangan sxemada kirish xarakteristikasi tikligi UB sxemada ulangan ВТ kirish xarakteristikasi tikligidan 1/(1-α)=β +1 marta kichik. U_BE=0 bo‘lganda l va baza toki amalda I_K0 ga teng bo’lib qoladi, ya’ni o‘z yo‘nalishini o‘zgartiradi. Teskari kuchlanish qiymati ortishi bilan I_K0 tok ham ortishi ma’lum. Shuning uchun U_KE kuchlanish ortishi bilan kirish xarakteristikalari pastga va o‘ngga siljiydi (22.2, b-rasm).

Agar U_BE>0 va bunda U_KE=0 bo‘lsa, ikkala p-n o‘tish to‘g‘ri yo‘nalishda siljigan bo‘ladi. Kirish xarakteristikasi to‘yinish rejimiga mos keladi, baza toki esa emitterdan va kollektordan bir vaqtning o‘zida e lektronlar injeksiyalangani uchun baza toklari yig‘indisiga teng bo’ladi. U_BE kuchlanishi ortishi bilan ikkala p-n o‘tishdagi injeksiya ortadi, bazada noasosiy zaryad tashuvchilar konsentratsiyasi ortadi, bu esa o‘z navbatida bazada rekombinatsiyaning ortishiga, baza tokining keskin ortishiga olib keladi.
UK sxema. UK ulangan sxemada kirish toki - baza toki I_B, chiqish kuchla-nishi esa U_EK kuchlanishdir. Demak, kirish xarakteristikalar oilasi U_BK kuchlani-shning belgilangan qiymatlarida I_B=f(U_EK) bog‘liqlik orqali ifodalanadi. U_BK=U_EK – U_EB bo‘lgani uchun U_EK ning o‘zgarmas qiymatlarida U_BK o‘zgarishlari baza toki I_B ni eksponensial kamaytiradi. Tranzistorning dinamik kirish qarshiligi UE ulangan sxemadagidek bo‘ladi.