Ma’ruza №22 bipolyar tranzistorlar (2-qism)


Bipolyar tranzistorning statik xarakteristikalari


Download 172.4 Kb.
bet3/6
Sana26.01.2023
Hajmi172.4 Kb.
#1126332
1   2   3   4   5   6
Bog'liq
22-ma\'ruza

Bipolyar tranzistorning statik xarakteristikalari

Ebers – Moll tenglamalari,



ВТ statik rejimlarini tahlil qilish va statik xarakteristikalarni topish uchun qo'llani-ladi. Chunki, bu tenglamalar tranzistor p-n o'tishlaridagi har qanday kuchlanish-larda uning asosiy xususiyatlarini to‘liq aks ettiradi. Ammo, shuni ham aytib o‘tish kerakki, modelda I0E va I0K toklar p-n o‘tishlarning o‘zida zaryad tashuvchilarning generatsiyalanish va rekombinatsiyalanishini hamda Erli effektini e’tiborga olmaydi. Shu sababdan UB, UE va UK ulangan sxemalarda BTning real xarakteris-tikalarini ko‘rib chiqamiz.


Kirish xarakteristikasi deb chiqish kuchlanishining berilgan va o‘zgarmas qiymatlarida, kirish tokining kirish kuchlanishiga bog‘liqligini ko‘rsatuvchi grafikka aytiladi.
UВ sxema. UB ulangan sxemada kirish toki bo‘lib emitter toki IE, kirish kuchlanishi bo‘lib emitter-baza kuchlanishi UEB, chiqish kuchlanishi bo‘lib esa kollektor-baza kuchlanishi UKB xizmat qiladi. Shuning uchun UB ulangan sxema-ning kirish xarakteristikalari KO‘dagi kuchlanish UKB ning belgilangan qiymatlari-da IE=f(UEB) bog‘lanish orqali ifodalanadi.
BTda emitter va kollektor o‘tishlarning o‘zaro ta’siri o‘tishlarga qo’yilgan kuchlanish qutblariga bog‘liq. Masalan, aktiv rejimda KO‘ toki baza - emitter kuchlanishi bilan aniqlanadigan EO‘ tokiga bog‘liq. KO‘ kuchlanishining E0‘ tokiga ta’siri nisbatan sustroq bo‘ladi. To‘yinish rejimida ikkala o'tish bazaga zaryad tashuvchilarni injeksiyalaydi va KO‘ning E0‘ tokiga ta’siri kuchli bo‘ladi. Agar emitter toki IE da kovaklar toki elektronlar tokiga nisbatan foizning ulush-larini tashkil etish e’tiborga olinsa, simmetrik tuzilmali UB ulangan BTning kirish xarakteristikalar oilasi quyidagi tenglama bilan ifodalash mumkin:



UKB=0 bo’lganda xarakteristika tenglamasi,





ko‘rinishga ega bo‘lib diod VAXiga o‘xshaydi. Shunga qaramasdan, diodda I0 ‒ 1/L ga, tranzistorda esa I0 ‒ 1/LB ekanligini e’tiborga olish lozim. Aktiv rejimda exp(- qUKB/kT) ni e’tiborga olmasa ham bo'ladi, unda





Ko‘rinib turibdiki, UB ulangan sxemada kirish xarakteristikasi ordinatalar o‘qida Ig kesma kesuvchi eksponenta orqali ifodalanadi.



22.2-rasm. UB (a) va UE (b) ulangan BTning kirish xarakteristikalari.

KO‘ga berilgan teskari kuchla-nish qiymati ortgan sari Erli effekti hisobiga baza kengligi kamayadi, I0 esa - ortadi, chunki I0 baza kengligi LB ga teskari proporsio-nal bog'langan. Shu sababli, UKB ortishi bilan kirish xarakteristikalari chapga va yuqoriga siljiydi (22.2, a-rasm).



Download 172.4 Kb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling