Ma’ruza №22 bipolyar tranzistorlar (2-qism)

Statik rejimda BTning nochiziqli elektr modeli (Ebers-Moll modeli). Ebers-Moll modeli tranzistor p-n o'tishlari orqali aktiv (normal) va invers rejimlarda oquvchi toklar uchun yozilgan tenglamalarga asoslanadi


bu yerda, va mos ravishda invers va aktiv rejimlarda emitter tokini uzatish integral koeffitsientlari.
n-p-n transistor uchun modelning eng soda variant 22.1-rasmda ko’rsatilgan.

22.1-rasm. Bipolyar tranzistor uchun Ebers-Moll modeli.

Model ikkita qarama-qarshi ulangan tok manbalari va ikkita dioddan tashkil topgan. VD1 diod E0‘ xususiyatlarini, VD2 diod esa K0‘ xususiyatlarini model-lashtiradi. α₁I₂ va α_NI₁ tok manbalari mos diodlar bilan boshqariladi. Tok manba-larining ichki qarshiligi juda yuqori bo‘lgani sababli, zanjir qarshiligi qiymatiga bog'liq bo‘lmagan holda, zanjirdan oqayotgan tok qiymatini belgilaydilar.

Diodlar VAXlari approksimatsiyalanadi

bu yerda model parametrlari. Emitter, kollektor va baza toklari model-ning ichki toklari bilan quyidagicha bog’langan,

Ushbu tenglamalar BT ning matematik modellaridir. Ular asosida turli ulanish sxemalarda statik VAXlarning ixtiyoriy oilasi uchun analitik ifodalarni topish mumkin. Masalan, (22.2) tenglama UB ulangan sxema uchun statik kirish xarak-teristikalarni bevosita aniqlaydi. UB ulanish sxemasida ulangan BT ning statik chiqish xarakteristikalarini aniqlovchi ifoda (22.3) tenglamani (22.2)ni e’tiborga olgan holda o‘zgartirish yo‘li bilan hosil qilinadi

UE ulangan sxema uchun kirish xarakteristikalarni ifodalovchi munosabatlar oxirgi tenglamada U_BK=U_BF – U_KE deb olinadi. Sxemada ulangan BT ning chiqish xarak-teristikalarini ifodalovchi munosabatlarda U_BK=U_BE – U_KE va U_BE o‘zgaruvchini almashtirish orqali topiladi.