Ma’ruza №4 integral mikrosxemalar integral mikrosxema (ims)

BTlar asosidagi IMSlarni tayyorlash. BTli IMSlar elementlari 
(tranzistorlar, diodlar, rezistorlar, kondensatorlar) asosini n
+
 – p – n tuzilma tashkil 
etadi. 
IMS tayyorlash uchun planar, planar – epitaksial texnologiyalardan 
foydalaniladi. Planar texnologiyada elementlar р – yoki n – turli yarimo‘tkazgich 
asosda hosil qilinadi. Planar – epitaksial texnologiyasida elementlar asos sirtiga 
o‘stirilgan epitaksial qatlamda hosil qilinadi. 
Texnologiya asosni (epitaksial qatlamni) navbatma – navbat donor va 
akseptor kiritmalar bilan legirlashga asoslanadi, natijada sirt tagida turli 
o‘tkazuvchanlikka ega yupqa qatlamlar va qatlamlar chegarasida р–n o‘tishlar hosil 
bo‘ladi. Alohida qatlamlar rezistorlar sifatida, р–n o‘tishlar esa diod va tranzistor 
tuzilmalari sifatida ishlatiladi. Kondensatorlar sifatida teskari siljitilgan р–n o‘tishlar 
xizmat qiladi. 
Integral rezistorlar. Integral rezistorlar tranzistorlarning baza yoki emitter 
sohasini hosil qilish operatsiyasi bilan bir vaqtda tayyorlanadi. Rezistor qarshiligi 
berk holatdagi р–n o‘tish chegarasi bilan cheklangan qatlamning hajmiy 
qarshiligidan iborat bo‘ladi.
Emitter soha asosida qarshiligi 3÷100 Om bo‘lgan kichik qarshilikli 
rezistorlar hosil qilinadi, chunki emitter qatlamning solishtirma qarshiligi kichik 
bo‘ladi.
Katta qarshilikli rezistorlar nisbatan katta solishtirma qarshilikka ega baza 
qatlamda tayyorlanadi. Bunday rezistorlarning maksimal qarshiligi 200÷300 kOm 
bo‘ladi. 
Integral kondensatorlar. Integral kondenstorlar hosil qilish uchun ixtiyoriy 
р–n o‘tish: kollektor – asos, baza – kollektor, emitter – baza, yashirin n
+
- qatlam – 
izolyatsiyalovchi р – soha ishlatilishi mumkin. Teskari siljitilgan р–n o‘tishning 
baryer sig‘imi berilayotgan kuchlanishga bog‘liq bo‘ladi. Ko‘p hollarda kollektor 
o‘tish sig‘imi ishlatiladi.