Ma’ruza №4 integral mikrosxemalar integral mikrosxema (ims)

Dielektrik bilan izolyatsiyalash usuli (EPIC – texnologiya). Bu texnologiya
р–n o‘tish bilan izolyatsiyalanib tayyorlangan IMSlarga nisbatan yaxshiroq 
xarakteristikalarga ega mikrosxemalar yaratish imkonini beradi. Xususan, 
izolyatsiyalash darajasi taxminan 6 tartibga ortadi, teshilish kuchlanishi 
kattalashadi, parazit sig‘imlar taxminan 2 tartibga kamayadi, radiatsiyaga 

---

chidamlilik ortadi, IMS tezkorligi oshadi. Ushbu texnologiya asosida kichik quvvatli 
va yuqori tezlikda ishlaydigan raqamli IMSlar yaratish maqsadga muvofiq, chunki 
bunday texnologik jarayon narhi planar – epitaksial texnologiyaga nisbatan yuqori. 
Sodda IMS yaratish ketma – ketligi 4.4 – rasmda ko‘rsatilgan. 
а) 
b) 
v) 
g) 
d) 
4.4 – rasm. IMS elementlarini dielektrik qatlam bilan izolyatsiyalash 
O‘tkazuvchanligi n – turli asosga surma yoki margumush 1÷2 mkmga 
diffuziya qilish yo‘li bilan plastinaning butun yuzasi bo‘ylab n
+ 
– o‘tkazuvchanlikka 
ega yashirin qatlam hosil qilinadi. Asosni n
+ 
– qatlam tomondan termik oksidlab, 
uning butun yuzasida oksid qatlam hosil qilinadi. Birinchi fotolitografiya yordamida 
ushbu qatlamda izolyatsiyalovchi sohalar uchun “darcha”lar ochiladi (4.4, а – rasm), 

---

oksid bilan himoyalangan sohalar yemirilgani uchun 8÷15 mkm bo‘lgan 
“chuqurcha”lar hosil qilinadi (4.4, b – rasm). So‘ng “chuqurcha”lar yuzalari 
oksidlanadi (4.4, v – rasm). Bundan keyin oksidlangan “chuqurcha”lar tomondan 
asos sirtiga 0,2-0,25 mm qalinlikdagi polikristall kremniy o‘stiriladi. Polikristall 
kremniy keyinchalik bo‘lg‘usi IMS asosi bo‘lib xizmat qiladi (4.4, g – rasm).
Shundan so‘ng asosning qarshi tomoni oksid qatlamgacha shlifovka qilinadi 
yoki yemiriladi (4.4, d – rasm). Shunday qilib, bir – biridan SiO
2
qatlam bilan 
izolyatsiyalangan, n
+ 
– o‘tkazuvchanlikli yashirin qatlamga ega n – sohalar 
(cho‘ntakchalar) hosil qilinadi. Bu sohalarda oksidlash, fotolitografiya va diffuziya 
usullari bilan mikrosxema elementlari yaratiladi. Baza sohalarini hosil qilishdan 
boshlab keyingi jarayonlar planar – epitaksial texnologiya jarayonlariga o‘xshash 
davom etadi. 
BT asosidagi raqamli IMSlarning ba’zi mantiq elementlarida ko‘p emitterli 
va ko‘p kollektorli tranzistorlar qo‘llanladi. 
Ko‘p emitterli tranzistor (KET)ning shartli belgilanishi va tuzilmasi 4.5 – 
rasmda ko‘rsatilgan. 
а) b) 
4.5 – rasm. KET tuzilmasi (а) va shartli belgilanishi (b). 
KET bazalari va kollektorlari ulangan tranzistorlar majmui bo‘lib, undagi 
emitterlar soni 5÷8 ta bo‘lishi mumkin. Ko‘p kollektorli tranzistorlar (KKT) – invers 
rejimda ishlayotgan KETdir. Bunda umumiy emitter bo‘lib KETning kollektori, 
kollektorlari bo‘lib esa emitterlarning n
+
– sohalari xizmat qiladi.