маъруза Схемалар ва электроника фанига кириш

ЭЛЕКТРОНИКА ФАНИ

Учинчи босқич 1948 йили Дж. Бардин, В. Браттейн ва В. Шоклилар томонидан қаттиқ жисмли (ярим ўтказгичли) электрониканинг асосий актив (кучайтиргич) элементи бўлган - биполяр транзисторнинг кашф этилиши билан бошланди. Транзистор электрон лампанинг барча функцияларини бажаришга қодир.

У радиолампаларга нисбатан миниатюр, арзон, мустаҳкам, чидамли ҳамда кам энергия истеъмол қилар эди.

1956 йилда транзистор ихтирочилари Нобель мукофотига сазовор бўлишган.

Биринчи транзистор

Уильям Шокли, Джон Бардин ва Уолтер Браттейн

Уильям Шокли, Джон Бардин ва Уолтер Браттейн

Биринчи транзистор (1957 й.) ва операцион кучайтиргич (1967 й.)

Замонавий транзисторлар

Тўртинчи босқич интеграл микросхемалар (ИМС) асосида қурилма ва тизимлар яратиш билан бошланди ва микроэлектроника даври деб аталади.

Тўртинчи босқич интеграл микросхемалар (ИМС) асосида қурилма ва тизимлар яратиш билан бошланди ва микроэлектроника даври деб аталади.

Микроэлектрониканинг биринчи маҳсулотлари – интеграл микросхемалар 60 йиллар сўнгида пайдо бўлди. Ҳозирги кунда ИМСлар уч хил конструктив – технологик усулларда яратилади: қалин пардали ва юпқа пардали гибрид интеграл микросхемалар (ГИС) ва ярим ўтказичли интеграл микросхемалар.

Интеграл микросхемалар радио электрон аппаратураларда элементлараро уланишларни таъминлаш билан биргаликда, уларнинг кичик ўлчамларини, энергия таъминотини, масса ва материал ҳажмини таъминлайдилар. Кўп сонли чиқишлар ва корпусларнинг йўқлиги радио электрон аппаратураларнинг ҳажми ва массасини кичрайтиради.

Биринчи ИМС

Биринчи ИМСлардан (1960 -1962 йй.)

Биринчи планар ва гибрид ИМСлар

Замонавий ИМСЛАР

2000 йилда Джек Килби, Кремер и Жорес Алферовлар биринчи ИМС яратишганлиги учун Нобель мукофотига сазовор бўлишган (Роберт Нойс бу вақтда хаётдан кўз юмган эди).

Анди Гроув, Роберт Нойс ва Гордон Мур

Жорес Алферов

1970 йилларда бошлаган гетеротузилмаларда инжекция ҳодисаси, идеал гетеротузилмалар: арсенид–алюминий, арсенид-галлийлар, иккиланган гетеротузилмалар асосида яримўтказгичли лазер, биринчи биполяр гетеротранзисторлар ва гетеротузилмалар асоcида қуёш батареяларини яратганлиги учун 2000 йилда академик Ж.И.Алферов Нобель мукофотига сазовор бўлган.

http://fayllar.org