Mavzu: Bipolyar tranzistorda yigʻilgan elektron kalit sxemasini tadqiq etish


Download 0.81 Mb.
Pdf ko'rish
bet8/8
Sana16.06.2023
Hajmi0.81 Mb.
#1517706
1   2   3   4   5   6   7   8
Bog'liq
18mustaqil ish

 
 
 
 


Tranzistor uchta soxadan iborat yarim o‘tkazgichli asbobdir. . Urta 
kismi baza deb deb atalib aralashma kontsentratsiyasi chetki 
kismlariga nisbatan kam va yupka bo‘ladi. Baza kalinligi L
Б
elektron 
yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga kadar erkin yugurib utgan 
masofasi L
д
ga nisbatan kichik L
Б 
< L
Д
.bulsa yupka baza deb yuritiladi. 
L
Д
shuningdek, diffuziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki 
kismlaridan 
biri 
emitter, 
ikkinchisi 
kollektor 
deb 
ataladi. 
Tranzistorning tuzilishi triodga kiyoslansa, emitter – katodga, baza- 
turga, kollektor - anodga uxshatiladi.
Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi in’ektsiya, ya’ni 
injektsiyalanadi degan ma’noni anglatadi. Mana shu xususiyati bilan 
elektron lampadagi katoddan termoelektron emissiya xodisasi tufayli 
elektronlar hosil bulishi orasidagi fark tushuntiriladi. Tranzistor va 
vakuumli triod ishlash printsipi jihatidan ham fark kiladi. Triodda turga 
kuchlanish berilsa ham, anod toki hosil bo‘ladi. Tranzistorda esa baza 
toki bulmasa, kollektor toki ham bulmaydi. Diskret tranzistorda r-n 
utishlar yarim o‘tkazgichli plastinaning karama – qarshi tomonlarida 
joylashgan. Utishlari bir tomonga joylashgan tranzistorlar ham 
mavjud. Bunday tranzistorlar integral tranzistorlar deb ataladi. Emitter 
soxasida aralashma miqdori ko‘p rok bo‘ladi. Kollektor zaryad 
tashuvchilarni ekstraktsiyalash (sugurib olish) vazifasini bajaradi.
Tranzistorning bazasi n yoki р utkazuvchanlikka ega bulishi 
mumkin. Shunga kura chetki kismlari р yoki n utkazuvchanlikka ega 
bo‘ladi. Demak, tranzistor р – n - р yoki n- р- n strukturali bo‘ladi. 
Tranzistorda ikkita р-n utish mavjud. Buni xisobga olgan holda 
tranzistorni ketma –ket ulangan ikkita boglangan diod sifatida qarash 


mumkin. Uning chetki uchlariga kuchlanish ulanganda r-n utishlarning 
biri tugri utish bo‘lsaikkinchisi teskari bulganligidan xar ikkala 
yunalishda ham sistemadan tok utmaydi. Tranzistorni ikkita tok 
manbaiga ulaylik. K kalit ochik bo‘lganda emitter zanjirida tok 
bulmaydi.
Kollektor zanjirida esa oz miqdorda teskari р-n utish toki ( I
кБт,
т- teskari demak) bo‘ladi. K- kalit ulanganda emitter zanjirida tok hosil 
bo‘ladi.
Chunki Е
э
. manba kuchlanishi emitter – baza yo‘nalishida tugri р-n 
utish hosil kiladi. Bunda ko‘pchilik kovaklar emitterdan bazaga 
utganda L
Б
> L
Д
. bulganligidan kollektor o‘tishiga yetib boradi. 
Natijada kollektor toki ortadi. Umuman olganda tranzistorning asosiy 
xossasi bazada borayotgan jarayonlar bilan belgilanadi. Bazada chet 
moddalar taksimlanishi natijasida unda asosiy bo‘lmagan zaryadlarni 
emitterdan kollektorga o‘tishiga yordam beruvchi elektr maydon 
bo‘lsabunday tranzistor dreyfli tranzistor deyiladi. Agar bazada 
xususiy maydon bulmasa, asosiy bo‘lmagan zaryad tashuvchilar baza 
orqali asosan diffuziya tufayli utsa bunday tranzistor dreyfsiz tranzistor 
deb ataladi.Tranzistorning chikish xarakteristikasida I
э
= 0. ga mos 


kelgan xarakteristika K kalit ochik bulgan holni ifodalaydi. 
Harakteristikadan kurinadiki kollektor - bazaga quyilgan manfiy 
kuchlanish qiymati ortishi bilan tokning sezilarli darajada ortishi 
kuzatilmaydi. Buni tushuntirish uchun tranzistorning potentsial 
diagrammasi bilan tanishib chikaylik. Unda tranzistorning zaryadlarga 
kambagallashgan soxalari ham ko‘rsatilgan. Emitter va kollektor 
soxalarida 
zaryadlangan 
zarrachalar 
kontsentratsiyasi 
katta 
bulganligidan kambagal soxa asosan baza katlamida bulib, ikki soxa 
orasidagi masofa ya’ni bazaning effektiv kalinligi baza kalinligidan 
kichik bo‘ladi. Kollektordagi manfiy kuchlanishning ortishi kollektor 
o‘tishidagi kambagal katlamning kengayishiga olib keladi. Natijada 
bazaning effektiv kalinligi kamayadi. Bu xodisa baza kalinligining 
modulyatsiyasi deb ataladi.
Emitter toki fakat kovaklar xarakati tufayli hosil bulmasdan 
elektronlar xarakati bilan ham boglik. Kollektorda esa tok fakat 
kovaklar xarakati tufayli vujudga keladi. Shu sababli emitterning 
samadorligi 
 =I
эр 
/ I
эр
+ I
эн
orqali aniklanadi. Bu yerda I
эр
- kovaklar xarakati tufayli hosil bulgan 
emitter toki; I
эн
-. elektronlar xarakati tufayli hosil bulgan emitter toki. 


Emitterning bazaga injektsiyalangan (purkalgan) bir kism kovaklar 
bazadan 
asosiy 
zaryad 
tashuvchilar 
elektronlar bilan 
rekombinatsiyalanadi. Baza orqali o‘tib boruvchi kovaklar, baza uchun 
asosiy bo‘lmagan tok tashuvchi zarrachalar xisoblanadi. Kuyidagi  = 
I
к
- I
КБТ.
/ I
эр
nisbat bilan aniklanadigan kattalik baza orqali utuvchi 
asosiy bo‘lmagan zaryad tushuvchilarni utkazish koefftsenti deb 
yuritiladi.Emitterning samaradorligi va utkazish koeffitsiyenti 
tranzistor katta signal bilan ishlagandagi tok uzatish koefftsenti.h
21Б
. ni 
belgilaydi. 
Bu koeffitsent h
21Б

Ошибка!
= - da teng. Kollektorga kirib 
keluvchi tok yo‘nalishi musbat yo‘nalishi musbat yunalish deb qabul 
qilinganligidan «minus» ishora quyiladi. h21B koeffitsiyenti 
tranzistorning muxim parametrlaridan biri xisoblanib sifatli 
tayorlangan tranzistorlarda birga yakin bo‘ladi. Tranzistorni zanjirga 
ulash umumiy bazali(UB) sxema deb yuritiladi. Bu sxema buyicha Е
ЭБ
va Е
КБ
manbaalarning ulanish usuliga kura tratzistorlar turli rejimda 
ishlashi mumkin.
Shulardan tranzistor aktiv rejimda ishlaganda undan utuvchi tokni 
boshkarish samarali bo‘ladi. 


Umuman olganda tranzistorlar zanjirga uch xil usulda ulanishi 
mumkin. Е
1
va Е
2
. batariyalar hosil kilinadigan tok zanjirida emitter 
xar ikkalasi uchun umumiydir. Shu sababli bunday ulash umumiy 
emitterli sxema deb yuritiladi. Xuddi shunday umumiy kollektorli 
sxemalarni ham tuzish mumkin. Tranzistorlardan signallarni 
kuchaytirish, impulsli sxemalar tuzish va x larda foydalanish mumkin. 
Shu sababli tranzistorlarlarga signal ta’sir ettirilganda uning 
parametirlari qanday o‘zga rishga aloxida ahamiyat beriladi. 
Tranzistorlarga kichik signal ta’sir ettirilganda uni chiziqli aktiv 
nosimmetrik turt kutbli deb qarash mumkin. Kichik signal ta’sir ettirish 
deyilganda signal amplitudasi 1,5 barabor orttirilganda tranzistor 
parametrlari 10 % dan ko‘p ga ortmaydigan hol kuzda tutiladi. Shunda 
turt kutbli parametrlarni xisoblash usulini kullash mumkin. Odatda 
tranzistorlarning h parametrlarini UB va UE sxemalari uchun 
xisoblanadi. Bu sxemalar yordamida topilgan parametrlar o‘zaro 
quyidagicha boglangan. ;
h
11б 
h
11э 
/ 1+h
21э 2б 
h
12б 
 h
11э
h
22э
/ 1+ h
21э
h
21б
 h
21э 
/ 1+h
21э
; h
22б 
 h
22э
/ 1+ h
21э
Shularning eng ko‘p ishlatiladigan UB sxemada h
12б 
= -  = I
к 
/ I
э 

Uкб соnst 
va UEsxema uchun h
21э 
= -  = I
к 
/ I
б 

Uкэ соnst 


Bulib ular o‘zaro quyidagicha boglangan  =  / 1-  
Tranzistordan utuvchi toklarni kuchlanishga boglikligi statik volt - 
amper xarakteristikalari orqali ifodalanadi. Ular kirish va chikish 
xarakteristikalariga ajratiladi. Kirish xarakteristikasi deyilganda 
chikish zanjirining kuchlanishi o‘zgarmas saklangan holda, kirish 
zanjiridagi Tranzistordan tokning kirish kuchlanishiga bogliklik 
grafigi tushuniladi. 
kuchaytirgich sifatida foydalanilganda umumiy emitterli sxemada 
signalni kuchlanish buyicha 10-200 marta kuchaytirish mumkin. Shu 
sabali UE sxema boshkalariga nisbatan ko‘prok kullaniladi. Lekin UE 
sxemada qarshiligi 500-1000 Om, chikish qarshiligi 2-20 kOM 
atrofida bo‘ladi. 
Kirish qarshiligi kichik bulganida boshka kurilmalarga moslash 
davrida kiyinchiliklar tugiladi. UK sxemada kuchlanish buyicha 
kuchaytirish UE niki bilan bir xil. UB sxemada tok buyicha 
kuchaytirish bir atrofida kuchlanish buyicha kuchaytirish UE niki kabi 
bo‘ladi. Kirish qarshiligi bu sxemada juda kichik 10-200 Om atrofida 
bulganligidan ko‘pincha elektr signallarini generatsiyalash va shunga 
uxshash kurilmalarda ishlatiladi. 


Foydalanilgan Adabiyot va manbaalar 
1. “ЭЛЕМЕНТАРНЫЕ ИЗЛУЧАТЕЛИ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВОЛН”. 
(В.П. КУБАНОВ) Самара 2015
2. 
https://siblec.ru/telekommunikatsii/elektromagnitnye-polya-i-volny/6- 
izluchenie-elektromagnitnykh-voln#6.3
3.https://bstudy.net/816703/informatika/polya_elementarnyh_izluchateley_bliz
hn yaya_dalnyaya_zon 

Download 0.81 Mb.

Do'stlaringiz bilan baham:
1   2   3   4   5   6   7   8




Ma'lumotlar bazasi mualliflik huquqi bilan himoyalangan ©fayllar.org 2024
ma'muriyatiga murojaat qiling