Mavzu: Bipolyar Tranzistorlarning tuzulishi

Xulosa

Ilmiy-texnikaning zamonaviy yo’qlanishi elektronikaning rivojlanishi bilan chambarchas bog’liqdir. Elektronika gaz, qattiq jism, vakuum va boshqa muxitdagi elementar zaryadlangan zarrachalarga elektromagnit maydon ta`sir natijasida xosil bo’lgan elektr o’tkazuvchanlikni o’rganish va undan foydalanish masalalari bilan shug’ullanadigan fan soxasidir. Elektronika yutuqlari natijasi sifatida elektrovakuum va yarim o’tkazgichli asboblarning turli xil va ijobiy xususiyatlarida namoyon bo’ladi. Zamonaviy elektornikani o’rganish uchun avvalambor radioelektronika asboblarining tuzilishi, ishlash printsipi va fizikaviy asoslarini bilib olish kerak. Ushbu malakaviy bitiruv ishi shu muammolarga bag’ishlanadi. Hozirgi vaqtda elektronika asboblarning turli xildagi turlarining soni shunchalik ko’pki, ularning xar birini qarab chiqishning imkoni yo’q. Elektronika - elektrovakuumli va yarim o‘tkazgichli asboblarni ishlab chiqarish va hozirgi zamon qurilmalarida ishlatish kabi masalalarni o‘rganadi. Radiotexnika fanining rivojlanishida XIX asrda fizika sohasida qilingan ko‘pgina kashfiyotlar juda katta ahamiyatga ega bo‘ldi. Masalan: - Faradey tomonidan kashf etilgan elektr va magnit maydonlarning o‘zaro ta’sir hodisalari ya’ni o‘zaro aloqadorligi. - J.Maksvellning elektromagnit maydon xususiyatlarini ochib beruvchi tenglamalarini ko‘rsatish mumkin. Bu tenglamalarda elektromagnit to‘lqinlarning mavjudligi va ular yorug‘lik tezligiga teng bo‘lgan tezlik bilan tarqalishi nazariy holda keltirilgan edi. Moddaning yarim o‘tkazgichlik xossasiga asoslangan elementlarda fizik jarayonlar mikronlar tartibidagi sohalarda yuz berib, zamonaviy mikrochiplarda kremniy kristalining kichik bo‘lagida bir-biriga ulangan millionlab diodlar, tranzistorlar, qarshiliklar, kondensatorlar joylashgan. Nanotexnologiyani rivojlantirish haqida gap ketganda, asosan, quyidagi uch yo‘nalishni e’tirof etish mumkin.- molekula va atom o‘lchamidagi faol elementlardan elektron sxemalar tayyorlash;- molekula o‘lchamida mexanizm va robotlar, ya’ni nanomashinalar yaratish alohida atom yoki molekulalar bilan ish olib borish va ulardan barcha kerakli narsalarni yig‘ish ko‘zda tutiladi.
1948 y. D.Bardin va V.Bratteyn nuqtali n-p o‘tishlar bilan ishlab turib, ikki n-p o‘tishli qurilma quvvati bo‘yicha elektr tebranishlarni kuchaytirish qobiliyatiga egaligini guvohi bo‘lishdi. Bu qurilmani ular tranzistor deb atashdi (“Transfer” - o‘zgartiruvchi va “resistor” - qarshilik – ingliz so‘zlaridan olingan). Bugungi kunda bir yoki bir nechta n-p o‘tishli va uch yoki undan ko‘p uchlari bo‘lgan elektr o‘zgartiruvchi yarim o‘tkazgichli asbob tranzistor deb nomlanadi. Tranzistorlar konstruksiyasi bo‘yicha nuqtali va yassi bo‘lishi mumkin, biroq, garchi nuqtali tranzistorlar oldin paydo bo‘lishiga qaramasdan, ularning nostabil ishlashi shunga olib kelindiki, bugungi kunda faqat yassi tranzistorlar ishlab chiqariladi. Tranzistor uchta sohadan iborat yarimo‘tkazgichli asbob. Uning tuzilishi keltirilgan. O‘rta qismi baza deb atalib, aralashma konsentratsiyasi chetki qismlariga nisbatan kam va yupqa bo‘ladi. Baza qalinligi LB, elektron yoki kovakning rekombinatsiyalashgunga qadar yugurib o‘tgan masofasi LD ga nisbatan kichik. LB < LD bo‘lsa, yupqa baza deb yuritiladi. LD shuningdek, diffuziya siljish uzunligi deb ham ataladi. Chetki qismlaridan biri emitter, ikkinchisi kollektor deb ataladi. Emitter degan nom elektronlar bazaga purkaladi, in’eksiya, ya’ni injeksiyalanadi degan ma’noni anglatadi.