Mavzu: ims tayyorlash texnologiyasi va klassifikatsiyasi bilan tanishish Ishning maqsadi

I_Э I₀ exp(U_БЭ /_Т) (5.1)

ifoda bilan approksimatsiyalanadi, bu erda, I₀ – teskari silji-tilgan EO’ning to’yinish toki. Tranzistorlarning I_E0 va φ_T para-metrlari aynan bir xil bo’lgani uchun U_BE1= U_BE2 shartdan
I_Э1  I_Э2 . (5.2)

5. 
   1-rasmdan
   

I1 IЭ1 IБ2, I2  IK2  IЭ2 IБ2 .
(5.1 ni e’tiborga olgan holda
I₂  I₁ 2I_Б2 (5.2)
yozish mumkin. Baza toki kollektor tokidan 50÷100 marta kichik bo’ladi. Shuning uchun hisoblashlarda I₂ = I₁ deb olish mumkin. Bundagi xatolik 1÷2% dan oshmaydi. Demak, R_Yu yuklama zanji-ridagi chiqish toki I₂ , zanjir qanday bo’lishidan qat’iy nazar, ki-rish tokini ham qiymat, ham yo’nalish bo’yicha takrorlaydi. Kirish toki qiymatiga kelsak, u etarli aniqlik bilan I₁  (E_М1 0.6)/R ga teng.
I₁ tokning o’zgarmasligi barqarorlashgan kuchlanish manbai E_M1 dan
foydalanish hisobiga erishiladi. Natijada, I₂ tokning zanjir parametrlari E_M2 va R_Yu ga bog’liqligi yo’qotiladi.
Lekin bunday BTGda I₂ tokning temperatura bo’yicha barqa-rorligi ta’minlanmaydi, chunki baza toki I_B2 temperatura o’zga-rishlariga juda bog’liq. I₂ tokning temperatura bo’yicha barqa-rorligini ta’minlash uchun murakkabroq sxemalardan foydala-niladi.
Masalan, 5.3-rasmda BTGning uchta tranzistorli sxemasi (Uilson tok ko’zgusi) keltirilgan. Unda boshqaruvchi VT1 va VT2 tranzistorlarnig baza toklari qaramaqarshi yo’nalgan.
Sxemadan
I1 IБ2 IБ1  IЭ1, I2 IБ2 IБ1  IЭ3
ko’rinib turibdi.
VT1 va VT2 tranzistorlar egizak. Ularning ishlash rejim-lari bir-birinikidan kollektor-baza kuchlanish bo’yicha farq qiladi. VT1 tranzistorning kollektor-baza kuchlanishi VT2 tranzistorning emitter-baza kuchlanishiga teng, ya’ni qiymati kichik. VT2 tranzistorning kollektor-baza kuchlanishi esa R rezistordagi va R_Yu zanjirdagi kuchlanish pasayishlari bilan aniqlanadi va sezilarli darajada katta bo’lishi mumkin.
Lekin baza toki kollektor-baza kuchlanishi qiymatiga sust bog’langan, shuning uchun I_B1= I_B2. Emitter toklari ham 5.2-rasmdagi holat sabablariga ko’ra bir-biriga teng I_E1= I_E3. Natijada,
I₂  I₁ 2(I_Б2 I_Б1)  I₁.
Bu ifodadan 5.2-rasmda keltirilgan sxemada kirish va chiqish toklarining qaytarilishi 5.3-sxemadagiga qaraganda yuqoriroq-ligi ko’rinib turibdi.

5. 
   3-rasm. Uilson tok ko’zgusi sxemasi. 5.4-rasm. Aktiv tok transformatori.
   

Qator integral sxemalarda tayanch toki I₁ (I₂ << I₁) qiymati katta bo’lgan kichik tokli BTGlar talab etiladi. Ushbu hollarda sodda BTGning takomillashgan sxemasidan foydalaniladi (5.3- rasm).
Bu sxema tok transformatori sxemasi deb ataladi. Uning uchun
I_Э2R_Э U_БЭ1 U_БЭ2 ; U_БЭ1  Е_M I₁R (5.3)
ifoda o’rinli.
Ideallashtirilgan o’tish VAX (5.1) dan foydalanib,
U_БЭ1 _T ln(I₁ / I₀) ; U_БЭ2 _T ln(I₂ / I₀) (5.4)
yozish mumkin.
(5.3) va (5.4) ifodalardan
^T E^M U^БЭ1

I₂  ln (5.5)