Mavzu: Integral sxemani o’rganish. Bosma montaj qilishni o’rganish. Operatsion kuchaytirgichni montaj qilish va ishlatish. Integral sxema
Download 21.76 Kb.
|
Integral sxemani o’rganish.Bosma montaj qilishni o’rganish.Operatsion kuchaytirgichni montaj qilish va ishlatish. 1
- Bu sahifa navigatsiya:
- Bosma montaj
Mavzu: Integral sxemani o’rganish.Bosma montaj qilishni o’rganish.Operatsion kuchaytirgichni montaj qilish va ishlatish. Integral sxema (IS, integral mikrosxema) — juda ixcham (mikrominiatyur) elektron qurilma. Elementlari (diodlar, tranzistorlar, rezistorlar, kondensatorlar va b.) konstruktiv, texnologik va elektr jihatdan oʻzaro uzviy bogʻlangan (birlashtirilgan) va oʻta zich joylashtirilgan boʻladi. Uzluksiz yoki diskret (uzlukli) elektr va optik signallar tarzidagi axborotlarni qabul qilish, qayta ishlash uchun moʻljallanadi. I. s. quyidagi xillarga boʻlinadi: elementlarni birlashtirish (integratsiya) usuli boʻyicha — yaxlit (monolit) va gibrid (tarkibiy) (osma diskret elektron asboblarlan foydalanilgan) sxemalar; ishlov beriladigan signallarning xili boʻyicha — raqamli va analog sxemalar; IS dagi elementlar soni N (integratsiya darajasi) boʻyicha — kichik (N< 102) oʻrta (N = 102 — —103), katta {N= W— 104) va juda katta (N> 104) sxemalarga boʻlinadi. I. s. elektron hisoblash mashinalari, nazorat-oʻlchash apparatlari, aloqa texnikasi va b. sohalarda qoʻllaniladi. Bosma montaj — mikroelektron qurilmalar elementlari (qismlari)ni montaj qilish usuli. Bunda elektr ulashlar elektr oʻtkazuvchi yupqa metall lentalar (simlar) orqali amalga oshiriladi( q. Bosma plata). Bosma montaj elementlari oʻzgarmas va oʻzgaruvchan qarshiliklar, kondensatorlar, induksiya gʻaltaklari, transformatorlar, tranzistor va diodlar, rele, ulagichlar va almashlab ulagichlardan iborat. Radioelektronikada va, ayniqsa, kosmik apparatlarda mikroelektron qurilmalarni mumkin qadar ixchamlashtirishning juda katta ahamiyati bor. Bu sohada 3 omil; qurilmaning oʻlchami, puxtaligi va narxi muhim rol oʻynaydi. Mikroelektron sxemada 1 sm2 sathga elementlarni oʻzaro ulovchi 14 ga yaqin sim toʻgʻri keladi. Bunga erishish uchun koʻp qavatli Bosma montaj dan foydalaniladi. Oʻtkazgichlar (simlar) bir-biriga elektron nur yordamida payvandlanadi. Integral ko’rinishda bajarilgan operatsion kuchaytirgich (OK) – bu universal analogmikrosxemadir. U ikki kirishli differentsial kuchaytirgichda bajarilgan keng polosali o’zgarmas tok kuchaytirgichi bo’lib, chiqishida shakllanayotgan signal kirishdagi signallarning farqiga teng bo’ladi. Uning chiqishida teskari aloqa zanjirini qo’llab kirishdagi signallar ustidan turlimatematik amallar bajarish imkoniyati borligi tufayli ҳam - operatsion kuchaytirgich nomini olgan. CHiqish zanjirini tanlashga qarab OK qo’shish, ayirish, ko’paytirish, o’rta qiymatni aniqlash, integrallash, differentsiallash, logarifmlash va boshqa amallarni bajarish uchun qo’llanilishimumkin. Amallarni bajarish aniqligi OKning kuchaytirish koeffitsienti va kirish qarshiligi qancha katta, chiqish qarshiligi esa qancha kichik bo’lsa, shuncha yuqori bo’ladi. 1-Rasm Operatsion kuchaytirgich Integral mikrosxemalar yaratish bo’yicha dastlabki tadqiqotlar 1953 yili boshlangan bo’lsada, ularni ishlab chiqarish 1959 yildan boshlandi. 1960 yilda epitaksial - planar tranzistorlar ishlab chiqarila boshlangandan keyin elementlarining soni 100 tagacha bo’lgan IMS lar ishlab chiqarila boshladi. 1966 yildan boshlab 1 ta kristaldagi elementlar soni 1000 tagacha bo’lgan IMS lar, 10000 ta elementga ega bo’lgan katta integral sxemalar (KIS lar) yaratila boshlandi. 1975 yildan esa, elementlar soni 10000 dan ortiq bo’lgan o’ta katta integral sxemalar (O’KIS lar) ishlab chiqarila boshlandi. Yarim o’tkazgichli IMS larda barcha elementlar va elementlarni ulash yarim o’tkazgich hajmi yoki sirtida amalga oshiriladi. Bunday IMS larda elementlar yarim o’tkazgichning 0,5-10 mkm qalinlikdagi sirtki qatlamida joylashtiriladi va elementlar maxsus izolyasiya sohalari bilan ajratiladi. Yarim o’tkazgichli IMS larda ishlatiladigan aktiv elementning turiga qarab ular 2 asosiy guruhga bo’linadi: 1. Bipolyar tranzistor asosidagi IMS lar. 2. Metall–dielektrik-yarim o’tkazgich (MDYa) tranzistor asosidagi IMS lar. Savollar
Integral mikrosxemalar yaratish tarixi? Yarim o’tkazgichli integral mikrosxemalar haqida qisqacha malumot bering? Download 21.76 Kb. Do'stlaringiz bilan baham: |
ma'muriyatiga murojaat qiling