Mavzu: “Maydon va bipolyar tranzistorlarda yig’ilgan gibrid integral sxemani loyihalash”. Reja Kirish

Ê_ò=R_i/ρ_s
Tanlangan ashyo shartni qanoatlantirishi lozim. Y₀ kattaligi 50 dan eng katta qarshilikka ega bo’lgan resistor uchun oshmasligi kerak. Y₀ hisoblanganidan keyin rezistor shakli o’rtnatiladi, agar Y₀ 10 bo’lsa bitta yo’lchadan iborat bo’ladi.Rasm p 4a yoki B ga qarang. Y₀ >10 bo’lsa shakl ilon izi ( meandr turda ) yoki rezistor bir necha yo’lchalarni ketma-ket ulanganidan iborat bo’ladi. Ular uchun Y₀ 10. (rasm P.4 yoki G ga qarang).
To’g’ri burchak shaklidagi plyonkali rezistorni uzunligini l hisoblash kengligi berilgach b harfi amalga oshiriladi. Agar rezistorga ruxsat etishlar va undagi sochilayotgan quvvat berilmagan bo’lsa b=b_min qabul qilish mumkin. b_minkattalik plyonkali elementlarni tayyorlash usuliga bo’g’liq bo’ladi ( b_min=200 mkm niqobli usulda va 100 mkm fotolitografiya usulida ). b ni qiymatini aniqlab l hisoblanadi:
l=Ê_ò b_min.
Alohida holat o’ringa ega qachonki formula l_min kattalikni bersa bunga ruxsat yo’q. Bu holatda l=l_minva undan b ni qiymati topiladi.


_{b } ^lmin _.
Ê _ô

Miandr turdagi resistor uchun ( rasm 11. V ga qarang) uzunlik rezistiv yo’lchani o’rta chizig’i uzunligi hisoblanadi. Bir necha ketma-ket ulangan yo’lchalardan iborat rezistorlar uchun ( rasm.11.G ga qarang), hisoblangan uzunlik barcha yo’lchalarni jami uzunligidan iborat.

Plyonkali kondensatorlarni hisoblashda avvaliga di elektrik ashyosi tanlanadi ( jadval 4 ga qarang) bu ish plyonkani tanlangan qoplash usuliga mos tanlanadi.

Jadval 4 plyonkali kondensatorlar uchun dielektrik ashyolarni xarakteritikalari.

Dielektrik material	Solishtirma sig’im, Ñ0 pF/mm ^2	Plyonka qoplash usullari
Kremniy monooksidi Germaniy monooksidi	50-100 50-100	Termik qoplash
Kremniy ikki oksidi Tantal oksidi	200 500	Katodli qoplash

Ashyo tanlanganidan keyin kondensator yuzasi hisoblanadi:

S  ^Ci  AB ,
C₀
Bu yerda N_i hisoblanayotgan kondensator sig’imi; A va B maydonchani uzinligi va kengligi u kondensatorni pastki va ustki qoplamalari bilan qoplanadigan qismi ( agar kondensator to’g’ri burchakli shaklga ega bo’lsa). Shundan keyin sxemani barcha elementlar egallagan yuza aniqlanadi. Agar hisoblashlar ko’rsatsa bir qator elementlar ( yuqori o’mli rezistorlar, ajratuvchi kondensatorlar va boshqalar ), qabul qilib bo’lmaydigan katta yuzaga ega bo’lsa shunda ularni ado etish uchun miniatyur asosidagi osiladigan analog elemantlarni imkoniyatlari ko’rib chiqiladi. Bir necha turdagi miniatyur rezistorlar va kondensatorlar haqidagi ma’lumot ilovada keltirilgan. Sxema elementlarini barchasi egallagan umumiy yuza:
S_Σ=S_òð+S_R+S_C
Bu yerda S_òð tranzistorlari tomonidan egallanadigan yuza
S_R rezistorlar tomonidan egallanadigan yuza
S_C kondensatorlar tomonidan egallanadigan yuza
Ulanishlar yuzasini hisobga olsak elementlar orasidagi oraliq va asos chekkalarigacha bo’lgan masofani hisobga olsak jami yuzani 3-4 martaga oshirish kerak bo’ladi.
Shundan keyin asos tanlanadi, bunda tavsiya qilinadigan platalar o’lchami hisobga olinadiva u 5-jadvalda keltirilgan.

Uzunligi, mm	48	30	24	60	30	20	48	30	16	12
Eni, mm	30	24	20	16	16	16	12	12	10	10

Jadval 5.Gibrid IMS lar uchun tavsiya qilinadigan platalar o’lchami.

Asos ashyosi ko’rsatiladi, tanlangan va hisoblangan elementlar asos yuzasiga joylashtiriladi va IMS topologiyasini chizmasi chiziladi millimetrli qog’ozga 10:1 yoki 20:1 masshtabda.
Topologik chizmani tuzish uchun umumiy tamoyillardan foydalaniladi, bunda elementlar orasidagi ulanishlarni uzunligi kichraytiriladi; elementlar egallaydigan yuza minimallashtiriladi; elementlar asos yuzasida bir tekis joylashtiriladi. Topologiyani eskizi millimetrli qog’ozda tanlangan masshtab bo’yicha bajarilishi lozim. Passiv elementlar asos chekkasidan 1mm dan kam bo’lmagan masofaga o’rnatiladi. Yuzani kirish va chiqish kontaktlari asosini uzun tomoni bo’ylab joylashadi, 1mm dan kam bo’lmagan chetiga nisbatan masofada. Topologiya eskizini tayyorlashda quyidagi asosiy cheklashlarni hisobga olish kerak, u yuqa plyonkali tehnologiyaga ko’ra qo’yiladi:

• 
  Qopolanadigan elementlar (kompanentlar) mahsus ajratilgan joylarga plyonkali elementlardan kamida 500mkm bo’lgan masofaga o’rnatiladi va kontakt maydonchasidan 600mkm dan kam bo’lmagan masofaga; osiladigan kompanentlar orasidagi masofa 300 mkm dan kam bo’lmasligi kerak;
  

Hаvо quvuridа hаrаkаtlаnаdigаn hаvоning nаzаriy tеzligi


V_n = r _Xt ) = 2 2, 65 /1, 23 = 2,07 m/sеk

Hаvоning hаqiqiy tеzligi

V_x 

Hаvо аlmаshinishini tа`minlаydigаn hаvо quvurining umumiy kеsim yuzаsi

_ F = L/360V = 2045,5/( 360 • 0,63) = 9,1m²

Tаlаb etilаdigаn tаbiiy hаvо аlmаshish quvurlаrining sоni

n=_ F / f = 9,1/0,36 = 25,3 dоnа

Xulosa:

Gibrid plyonka texnologiyalarining keng ko’lamda qo’llanishi, hamda sxemotexnik va konstruktiv jihatdan turli elektron qurilmalarning ishlab chiqishi yupqa plyonkali va qalin plyonkali GIS lar yasalishi bilan amalga oshiriladi.
Monolit integral sxemalarga qo’yilgan talablarning o’zaro qarama- qarshiligi gibrid plyonka texnologiyalari yordamida hal qilinadi. Bu talablarning asosiysi integratsiya darajasi va ishga yaroqli integral sxemalar chiqishining kattaligi. Murakkab qurilmani yasash paytida bir necha kristallarning qo’llanilishi, ularning bir korpusga bitta izolyatsiya qilingan taglikga yig’ilgani va bu kristallarning bir biri bilan ulaniwi pardali elementlar bilan amalga oshiriladi. Shunday qilib ko’p kristalli integral sxemalar yoki mikro to’plamlar yaratiladi. Passiv elementlarning nisbatan katta o’lchamlari va passiv taglikning mavjudligi ularni, masalan lazer yordamida yanada aniqlashtirish imkonini beradi. Lazer bilan sozlash rezistorlar qarshiliklarini protsentning yuzdan bir ulushigacha aniqlikda yasash imkonini beradi, bu holat o’lchov texnikasi qurilmalarida juda qo’l keladi.
Ushbu bitiruv malakaviy ishida maydon va bipolyar tranzistorlarda bajarilgan GIS loyihalashtirilgan.

Foydalanilgan adabiyotlar

1. 
   Цыкина А.В. Проектирование транзисторных усилителей - М.:Связь,1976
   
2. 
   Конденсаторы: Справочник. / под редакцией И.И.Четверткова и М.Н.Дьяконова. М.: «Радио и связь», 1993.
   
3. 
   Л.А.Коледов, В.А.Волков, Н.И.Докучаев, Э.М.Ильина, Н.И.Патрик. Конструирование и технология микросхем. Курсовое проектирование: Учебное пособие для вузов. / под редакцией Л.А.Коледова. М.:»Высшая школа», 1984.
   
4. 
   К.С.Лабец. Электронные приборы. Киев: «Вища школа», 1974.
   
5. 
   В.Г.Гусев, Ю.М.Гусев. Электроника. М.: «Высшая школа», 1991 Saytlar:
   

1. www.ziyonet.uz 2.http://www/Interactive.com 3.http:// www.bmstu.ru/index.html
4.http://fn//bmstu.ru/phys/bib/physbook/tom6/content.htm 5.http:journal.issep.rssi.ru/t_cat.php.id=4033 http:solbat.narod.ru/indeks.htm

Mundarija