Mavzu: ttm va ttmsh markalanishi va xarakteristikasi. Reja

Sodda invertorli TTM ME sxemasi
Axborotni qayta ishlash va saqlash vazifalarini bajaruvchi zamonaviy mikroelektron apparatlarda turli integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar ishlatiladi. Ayniqsa, KIS va O’KIS integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar keng qo’llanilmoqda. TTM va EBM elementlari yuqori tezkorlikni ta’minlaydi, ammo iste’mol quvvati va o’lchamlari katta bo’lganligi sababli, faqat kichik va o’rta integratsiya darajasiga ega bo’lgan IMSlar yaratishdagina qo’llaniladi. 1962-yilda planar texnologik jarayon asosida kremniy oksidili (SiO2) MDYA – tranzistor yaratildi, keyinchalik esa uning asosida guruh usulida ishlab chiqarish yo’lga qo’yildi. Integral BTlardan farqli ravishda bir turdagi MDYA integral tranzistorlarda izolatsiyalovchi cho’ntaklar hosil qilish talab etilmaydi. Shuning uchun, bir xil murakkablikka ega bo’lganda, MDYA – tranzistorli IMSlar BTlarga nisbatan kristallda kichik o’lchamlarga ega va yasalish texnologiyasi sodda bo„ladi. Kremniy oksidili MDYA ISlarning asosiy kamchiligi – tezkorlikning kichikligidir. Yana bir kamchiligi – kata iste’mol kuchlanishi bo’lib, u MDYA ISlarni BT ISlar bilan muvofiqlashtirishni murakkablashtiradi. MDYA ISlar asosan uncha kata bo’lmagan tezkorlikka ega bo’lgan va kichik tok iste’mol qiladigan mantiqiy sxemalar va KISlar yaratishda qo’llaniladi. MDYA ISlarda eng yuqori entegratsiya darajasiga erishilgan bo’lib, bir kristallda yuz minglab va undan ko’p komponentlar joylashishi mumkin. MDYA – tranzistorli mantiq (MDYATM) asosida yuklamasi MDYA–tranzistorlar asosida yaratilgan elektron kalit – invertorlar yotadi. Sxemada passiv elementlarning ishlatilmasligi, IMSlar tayyorlash texnologiyasini soddalashtiradi. Mantiqiy IMSlar tuzishda n– yoki p–kanali induksiyalangan MDYA tranzistorlardan foydalanish mumkin. Ko’proq n–kanalli tranzistorlar qo’llaniladi, chunki elektronlarning harakatchanligi kovaklarnikiga nisbatan yuqori bo’lganligi sababli mantiqiy IMSlarning yuqori tezkorligi ta’minlanadi. Bundan tashqari, n–MDYATM sxemalar kuchlanish nominali va mantiqiy 0 va 1 sathlari bo’yicha TTM sxemalar bilan t o’liq m
uvofiqlikka ega.
Element ikkita mantiqiy kirishga ega bo‘lib, u ko‘p emitterli tranzistor (KET) asosida hosil qilingan tok qayta ulagichi va VT1 tranzistorli elektron kalit (invertor)dan tuzilgan.
KET TTM turdagi MElarning o‘ziga xos komponentasi hisoblanadi. U umumiy baza va umumiy kollektorga ega bo‘lgan tranzistorli tuzilmadir.
Standart sxemalarda kirishlar (emitterlar) soni KBIRL≤8. TTM elementlar tarkibidagi KET invers rejimda yoki to‘yinish rejimda ishlashi mumkin.
Sxemaning statik rejimini tahlil qilishda quyidagi soddalashtirishlar qabul qilingan, agar:
- p-n o‘tish orqali to‘g‘ri tok oqib o‘tayotgan bo‘lsa, u holda o‘tish ochiq va undagi kuchlanish U*=0,7 V;
- p-n o‘tish kuchlanishi teskari, yoki U* dan kichik bo‘lsa, u holda o‘tish berk va oqib o‘tayotgan tok nolga teng;
- tranzistor to‘yinish rejimida bo‘lsa, u holda kollektor – emitter oralig‘idagi kuchlanish U*KE.TO’Y=0,3 ÷ 0,4 V.


Invertorlar global miqyosda muhim ro’l o'ynaydi, chunki u uzluksiz elektr ta'minotini ta'minlaydi va odamlarga energiya talablarini qondirishga yordam beradi. Siz ishlab chiqaruvchi tomonidan ishlab chiqarilgan tayyor inverterni ishlatgan bo'lishingiz mumkin, ammo o'zingiz buni qanday qilishingiz mumkin. Ushbu maqolada tranzistorlar va transformatorlar kabi ba'zi asosiy elektron komponentlar yordamida 12 vattni 120 vattga aylantiradigan tranzistor yordamida oddiy inverter sxemasini qanday qilish kerakligi tasvirlangan.