Maydonli tranzistorlarning tuzilishi, turlari, ishlashi, statik xarakteristikalari va

ул
U
; 
2. Tiristorning ochiq holatidagi maksimal tok kattaligi; 
3. Tiristorning differentsial qarshiligi. 
Mikrosxemalar haqida maʻlumot. 
• Dastlabki (1955-1960 yillargacha) radiosxemalar va barcha elektron qurilmalar faqat 
elektron lampalar asosida ishlar edi. Fan va texnikaning rivojlanishi bilan ularning soni va turlari 
ortib bordi. Keyinchalik elektron asboblarning chidamliligi, uzoq muddatga ishonchli xizmat 
qilishini taʻminlagan holda ularning hajmlarini kichraytirish, massasi va isteʻmol quvvatini 
kamaytirishga harakat qilina boshlandi. O’tgan asrning oltmishinchi yillaridan boshlab 
radioelektron qurilmalarda elektron lampalar (elektrovakuumli asboblar) o’rnini Yarim 
o’tkazgichli asboblar egallay boshladi. Yarim o’tkazgichli asboblar barcha ko’rsatgichlari 
bo’yicha istiqbolli ekanligini ko’rsatdi. Keyinchalik barcha radioqurilmalar Yarim o’tkazgichli 
asboblar asosida yig’ila boshlandi. 
Maʻlumki, zamonaviy radioelektron qurilmalar ko’p sondagi elektron va yarim o’tkazgichli 
asboblardan tashkil topgan. Fan va texnikaning rivojlanishi natijasida ularning sifat ko’rsatgichlari 

---

yaxshilanib, tuzilishi takomillashib bordi. Radioelektron qurilmalarning mustahkamligi, 
ishonchliligi, uzoq muddat ishlashi va boshqa xususiyatlarini oshirgan holda ularni o’lchamlarini 
kichraytirish, massasi va sarf qiladigan quvvatini kamaytirish kabi muammolarni hal etish o’sha 
paytda nihoyatda dolzarb edi.
Yarim o’tkazgichlar fizikasining rivojlanishi natijasida 20-asrning 60-yillaridan boshlab, 
elektron sanoatida yarim o’tkazgichli asboblarning maʻlum kombinatsiyadagi (muayyan sxemasi) 
sistemasini bir qobiqqa joylashtirish imkoniyati yaratildi. Bunday asboblar modul sxemalar yoki 
mikromodullar deb ataladi. Ularda o’ta ixcham qobiqsiz yarim o’tkazgichli asboblar plyonkali 
kondensator va rezistorlar maʻlum sxema asosida bir qobiq ichiga yig’iladi va muayyan elektron 
qurilmaning to’liq sxemasini tashkil etadi. Ana Shunday asboblar mikrosxemalar deyiladi va ular 
integral texnologiya asosida ishlab chiqariladi. Boshqacha qilib aytganda, integral mikrosxema - 
(IMS) bu – mikroelektron asbob bo’lib, undagi passiv va aktiv elementlar yarim o’tkazgich sirti 
yoki hajmida integral texnologiya asosida zich qilib joylashtirilgan qurilma hisoblanadi. 
IMSlarning asosiy xususiyati shundan iboratki, ular tugallangan uzel bo’lib, murakkab radiotexnik 
amallarni (maʻlum bir aniq vazifani) bajaradi. U kuchaytirgich, generator, trigger, registr va 
boshqa Shunga o’xshash murakkab elektron qurilma bo’lishi mumkin.
Dastlab ishlab chiqarilgan mikrosxemalarning 1sm
3
hajmida 5-10ta element (tranzistor, 
diod, rezistor va h.k) qatnashib, ular elektron qurilmaning tugallangan sxemasini tashkil qilar edi. 
Keyinchalik Elektronika va signallarni qayta ishlash qurilmalarda yarim o’tkazgichli va yupqa 
pardali integral mikrosxemalar keng qo’llanila boshlandi. Ular elektron qurilmaning umumiy 
hajmini 20 000 martadan ortiq kichraytirish imkonini beradi. 
IMS ning barcha elementlari bir-biri bilan o’zaro elektrik bog’langan bo’ladi. Yuqorida 
taʻkidlangandek, ulardagi aktiv va passiv elementlar bir-biri bilan shunday tutashganki, natijada u 
bir butun elektron qurilmaning sxemasini aks ettiradi va aniq vazifani bajaradi.
IMS ning murakkabligi uning tarkibidagi yaʻni u tayyorlangan yarim o’tkazgich kristallida 
nechta element joylashganligi bilan belgilanadi. Shunga ko’ra mikrosxemalar integratsiya darajasi 
deb aytiladigan kattalik bilan xarakterlanadi. Masalan, mikrosxemadagi elementlarning soni 100 
tagacha bo’lganlari ikkinchi darajali mikrosxema; elementlar soni 100-10 000 bo’lgan IS lar 
uchinchi darajali yaʻni katta integral sxema KIS deb ataladi. 10 000 va undan ortiq elementga ega 
bo’lgan mikrosxemalar esa o’ta katta integral mikrosxemalar (O’KIS) deyiladi.
Integratsiya darajasi yuqori bo’lgan ISlar asosan EHMlar, radioaloqa, robototexnika va 
telekomunikatsiya tizimlarida qo’llaniladi. IMSlar integratsiya darajasini oshirish va undagi 
elementlar o’lchamlarini kichraytirishning ham chegarasi bor. Bir necha o’n ming elementni bir 
sxemaga birlashtirish texnologik jihatdan murakkab bo’lib, iqtisodiy jihatdan ham maqsadga 
muvofiq emas. Shuning uchun bunday muammolar funktsional mikroelektronika deb ataladigan 
fan sohasida hal etiladi. Unda qurilmaning biror funktsiyasini bajarish standart elementlar 
yordamida emas, balki qattiq jism hajmida yuz beradigan fizik jarayonlar asosida bajariladi.
IMS lar konstruktiv jihatdan tugallangan kichik o’lchamli elektron qurilma bo’lib, elektr 
signallarni kuchaytirish, generatsiyalash yoki o’zgartirish uchun mo’ljallangan. Ular ko’pincha 
Yarim o’tkazgich kristalidan iborat bo’lib, unda alohida uchastkalar aktiv elementlarga yoki passiv 
elementlarga ekvivalent bo’ladi.
Mikrosxemalar to’g’ri to’rtburchak yoki maʻlum diametrli metall yoki plasmassa korpusga 
joylashtirilgan bo’ladi. IMS lar kichik o’lcham va massaga ega bo’lishi, kam sarflashi va yuqori 
ishonch bilan ishlashi, tezkorliga va boshqalar ularning afzalligidir.
Tayyorlash texnologiyasi bo’yicha IMS lar plyonkali (yupqa pardali) yarim o’tkazgichli va 
gibrid mikrosxemalarga bo’linadi. Yarim o’tkazgichli IMSlarda hamma elementlar va ularning 
birikmalari yarim o’tkazgichli sirtida yoki hajmida yig’iladi. 
Gibrid MS lar quydagilar bilan farqlanadi: ularda elementlarning bir qismigina integral
texnologiya usulida bajariladi, qolgan elementlar (odatda aktiv elementlar) esa bir-biridan 
mustaqil bajariladi. Yarim o’tkazgichli, plyonkali gibrid, (duragay) va birlashtirilgan (qo’shma) 
IMSlar eng ko’p qo’llaniladigan mikrosxemalardir. 

---

 Yarim o’tkazgichli MSlarda ko’pincha yarim o’tkazgich sifatida kremniy kristalli olinadi. 
U MSni asosini tashkil etadi va taglik (podlojika) deb ataladi. Kristallga fotolitografiya usuli 
yordamida muayyan sxemaning relefi (ko’rinishi) tushiriladi. Bunda kristallda p-n o’tishlar hosil 
qilish yo’li bilan sxemaning passiv va aktiv elementlari joriy qilinadi Yarim o’tkazgichli IMSlar 
ko’p to’plamli qilib yasaladi. Har bir to’plamga bir vaqtda juda ko’p MS joylashadi. Masalan: 
diametri 76 mm bo’lgan birta plastinkaga 5000 tagacha mikrosxema joylashishi mumkin . Uning 
har birida 10 tadan 20 000 tagacha elektron element qatnashadi.
Plyonkali (pardasimon) IMS lar 2 turga bo’linadi: yupqa plyonkali va qalin plyonkali . 
Shuningdek ular yasalish texnologiyalari bilan farqlanadi. 
Plyonkali IMS dan faqat passiv elementlar-rezistorlar, kondensatorlar va induktivlik g’altagi 
yasaladi. Qo’shma IMSda aktiv elementlar Yarim o’tkazgichli MS dagi passiv elementlar esa 
plyonkali mikrosxemalardagi kabi yasaladi. Ular umumiy taglik bilan himoyalangan holda 
joylashtiriladi. Barcha IMS lar germetik qobiqqa o’ralgan bo’lib, undan sxemada tutashtirish 
uchlaridan elektrodlar chiqariladi. IMS larda faqat passiv elementlar-rezistor va kondesator taglik 
sirtiga o’tkazuvchan va himoyalovchi (dielektrik) moddalarni purkash yoki plyonkalar qatlami 
sifatida joylashtirish yo’li bilan hosil qilinadi.
Mikrosxemalarni turlarga ajratishda juda ko’p belgilarga asoslaniladi. Materialning turi, 
elementlarning soni, funktsional bog’lanish, qanday maqsadga xizmat qilishi, ishlab chiqarish 
texnologiyasi va boshqalar. Masalan, mikrosxemalar bajaradigan vazifasiga qarab kuchaytirgich, 
generator, va mantiqiy elementli mikrosxemalarga, ishlab chiqarish texnologiyasiga qarab esa 
Yarim o’tkazgichli, plyonkali, duragay mikrosxemalarga bo’linadi. Integral mikrosxemalar 
funktsional bog’lanishiga qarab mantiqiy va analogli IMS larga bo’linadi. Integral mikrosxemalar 
hozirgi zamon elektronikasining eng muhim tashkil etuvchi tarkibiy qismidir.
Analogli mikrosxemalar uzluksiz signallarni kuchaytirish, generatsiyalash va o’zgartirish 
uchun ishlatiladi. Raqamli IMSlar esa diskret funktsiya qonuni bo’yicha o’zgaradigan signallarni 
o’zgartirish hamda ularga ishlov berish uchun mo’ljallangan.
Hozirgi zamon raqamli integral mikrosxemalari (IMS) – bu juda kichik elektron blok bo’lib, 
maxsus korpus ichiga joylashtirilgan ko’p sonli aktiv va passiv elementlardan tashkil topgan 
qurilmadir.
Katta mikrosxemalar ichidagi aktiv elementlar soni 100 mingta etishi mumkin. Bitta katta 
mikrosxema EHM, mikroprotsessorlar yoki mikrokalkulyatorlarni butun bir blokining 
funktsiyasini bajarishi mumkin.