Мдя транзисторлари ва улар асосидаги инвертор схемаси хақида асосий таъриф ва тушунчалар

КНШ (коньюктив нормал шакл) бу ифодаланиш шаклида функция барча киришдаги ўзгарувчилар йиғиндиси ёки уларнинг инверсиясидан ташкил топган кўпайтмалар йиғиндисидир.

9.Karno kartasi va uning yordamida (minimallashtirish bo`yicha 1misol ishlash)

Киришлари тўрттадан ортмаган мантиқий элементларда мантиқий алгебра функцияларини Карно картаси орқали ихчамлаш энг қулай усул ҳисобланади. Карно картаси ўзининг тузилиши билан хаққонийлик жадвалига ўхшаб кетади. Лекин ўзгарувчилари бошқа ўқда ётганлиги билан фарқланади. Жадвал катаклари шундай тузилганки, киришига қандай элемент берилишидан қатъий назар унинг холати ўзгармайди.

Иккита ўзгарувчили функция учун Карно картаси

Учта ўзгарувчили функция учун Карно картаси

Тўртта ўзгарувчили функция учун Карно картаси

Х1
10. 4ta o`zgaruvchili funksiya uchun karno kartasini to`ldirish

11. Bipolyar tranzistorda bajarilgan elektron kalit (inventor) sxemasi, u qanday elementlardan tashkil topgan va uning ishlash prinsipi

Биполяр транзисторда бажарилган электрон калит (инвертор) схемаси

Схеманинг ишлаш принципи

Биполяр содда калит схемаси умумий эмиттер кўринишида уланган. Схеманинг киришида манфий қутбли сигнал берилса, транзистор берк режимига ўтади яъни транзистордан ток оқиб ўтмайди, чиқишдаги кучланиш манба кучланишига яқин бўлади. Агар кириш кучланиши мусбат қутбга ва етарлича катта қийматга эга бўлса тр-р очилади ва калит уланади.

12. Содда инверторли ТТМ мантиқий элемент схемаси

Асосий ТТМ тури бўлиб мантиқий қўпайтириш инкори билан яъни, ҲАМ-ЭМАС амалини бажарадиган Шеффер элементи ҳисобланади.

Элемент 2 та мантиқий киришга эга бўлиб, у кўп эметтерли тр-р асосида хосил қилинган ток қайта улагичи ва инвертордан тузилган. Стандарт схемаларда киришлар (эмиттерлар) сони 8 дан ошмаслиги керак. Схеманинг киришларига 0 ёки 1 берилса, чиқишда мантиқий 1 хосил бўлади. Агар барча киришлар ман.1 берилса, чиқишда мантиқий 0 хосил бўлади.

13. Мураккаб инверторли ТТМ мантиқий элемент

Мураккаб инверторли ТТМ схемаси амалиётда кенг қўлланилади. У икки тактли чиқиш каскадидан ташкил топган. Бу схемада хам бирор киришга мант.0 берилса VT1 берк бўлади, VT2 очилади. VT1 очиқ холатида унинг эмиттерида юқори потенциал пайдо бўлиб VT3 ни очади. Демак VT2 ва VT3 транзисторлар галма гал очилади. Шунинг учун чиқиш каскади икки тактли деб аталади.

Мураккаб инверторли ТТМ МЭ

14. комплементар МДЯ – транзисторлар асосидаги негиз мантиқий элементлар

Афзаллиги: Энг юқори халақитбардошликка эга бўлиб ва кам энергия истъемол қилади.

комплементар МДЯ – транзисторлар асосидаги базавий мантиқий элементнинг асоси бўлиб калит хизмат қилади.


Хулоса.
МДЯ – майдоний транзистор ҳисобланиб металл затвори ва канал орасида юпқа диелектрик қатлами мавжудлиги туфайли Метал Диелектрик Яримўтказгич тузилмасига эга ва шунинг учун ҳам МДЯ транзистори деб аталар экан.
Мен мустақил ишини бажариш давомида дастлаб n-МДЯ транзистори тузилиши ва характеристикаси ва у асосида тузилган 2ҲАМ-ЭМАС ва 2ЁКИ-ЭМАС МЕ ларининг схемалалри билан танишдим. Кейин шулар асосида ўзимнинг вариантимдаги n-МДЯ да 7ҲАМ-ЭМАС ни блок схемасини йиғдим. Бешта ўзгарувчидан иборат (х1, х2, х3, х4, х5) ҳақиқийлик жадавалини туздим. Бу ҳақиқийлик жадвалида ўзгарувчилар 7 талиги сабабли 2^7 = 128 та комбинация ҳосил бўлди.

Фойдаланилган адабиётлар.

1. 
   X. K. Aripov va boshqalar.”Elektronika” oliy o’quv yurtlari uchun darslik. Toshkent “Aloqachi” – 2011.
   
2. 
   X. K. Aripov va boshqalar.”Raqamli mantiqiy qurilmalarni loyihalashtirish” oliy o’quv yurtlari uchun darslik. Toshkent “Aloqachi” – 2017.
   
3. 
   S.S.Sadaddinova, Yu.M.Abduraxmanova, F.S.Raximova. “Diskret matimatika” o’quv qo’llanma. Toshkent 2014;
   
4. 
   Дэвид М. Харрис и Сара Л. Харрис. “Цифровая схемотехника и архитектура компьютера”.