Mexanikada saqlanish qonunlari statika va gidrodinamika mexanik tebranishlar va to

Yarimo‘tkazgichli diod
Yarimo‘tkazgichlarda p – n  o‘tishni hosil qilish uchun p  va n 
o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan ikkita yarimo‘tkazgichni mexanik ravishda 
ulash yetarli bo‘lmaydi. Chunki bu holda ulardagi oraliq katta bo‘ladi. 
p va n o‘tishdagi qalinlik atomlararo masofaga teng bo‘ladigan darajada 
kichik bo‘lishi kerak. Shu sababli donor aralashmaga ega bo‘lgan germaniy 
monokristali yuzalaridan biriga indiy kavsharlanadi. Diffuziya hodisasi 
tufayli indiy atomlari germaniy monokristali ichiga kiradi. Natijada germaniy 
yuzasida p-turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan soha hosil bo‘ladi. 

---

163
Germaniy monokristalining indiy atomlari kirmagan sohasi avvalgidek 
n-turdagi o‘tkazuvchanlikka ega bo‘ladi. Oraliq sohada p – n o‘tish hosil 
bo‘ladi (9.11 a-rasm).
Bitta p – n  o‘tishga ega bo‘lgan yarimo‘tkazgichli asbobga yarim-
o‘tkazgichli diod deyiladi.
Yarimo‘tkazgichli diodga yorug‘lik, havo va tashqi elektr, magnit 
maydonlarining ta’sirlarini kamaytirish uchun germaniy kristali germetik 
berk metall qobiqqa joylashtiriladi.
9.11-rasm.
9.11-rasm.
p – n
p
a) b)
n
Yarimo‘tkazgichli diodning shartli 
belgisi 9.11 b-rasmda keltirilgan.
Tranzistor haqida tushuncha.
Ikkita p–n o‘tishga ega bo‘lgan yarim-
o‘t kazgichli sistemaga tranzistor deyi ladi. 
Tranzistor yordamida elektr tebranish 
lari 
hosil qilinadi, boshqariladi va kuchaytiriladi.
Tranzistorni tayyorlash uchun elektron o‘tkazuvchanlikka ega bo‘lgan 
germaniy kristalining ikkita tomoniga indiy kavsharlanadi. Germaniy 
kristalining qalinligi juda kichik bo‘ladi (bir necha mikrometr). Mana shu 
qatlam tranzistor asosi, ya’ni bazasi deb ataladi (9.12 a-rasm).
9.13-rasm.
Emitter
p n p
Kollektor
Baza
B
1
J
k
B
2
R
9.12-rasm.
Emitter
Kollektor
p
Baza
a)
b)
B
K
E
p
n
Uning kovakli o‘tkazuvchanlikka ega 
bo‘lgan ikkita tomonidan сhiqarilgan uchlari